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三星量產第九代V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數(shù)紀錄

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-18 09:49 ? 次閱讀
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三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業(yè)內為止密度最大的290層第九代V-NAND (3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升,也代表著當前行業(yè)中最高的可量產堆疊層數(shù)。據(jù)悉,該公司還計劃于2025年推出430層V-NAND產品。

有業(yè)內人士分析稱,三星此舉主要是為了應對人工智能AI)領域對NAND閃存的巨大需求。隨著AI從“訓練”向“推理”轉變,需要處理海量的圖像和視頻等數(shù)據(jù),因此對大容量存儲設備的需求日益增長。同時,觀察者們也注意到,三星對其NAND業(yè)務在第一季度的盈利狀況持樂觀態(tài)度。

值得一提的是,三星即將推出的第九代V-NAND采用了雙層鍵合技術以提高生產效率,這一突破性進展打破了之前業(yè)內專家預測的需使用三層鍵合技術才能實現(xiàn)300層的觀點。

研究機構TechInsights預測,三星將在2025年下半年批量生產第十代V-NAND,堆疊層數(shù)可高達430層,并直接越過350層。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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