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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>NAND閃存市場回暖,CAPEX比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上

NAND閃存市場回暖,CAPEX比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上

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Q3季度NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑,2020年NAND市場或?qū)⑦M(jìn)行大洗牌

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Q3季度NAND閃存價(jià)格跌了10-15%,Q4價(jià)格還會(huì)更慘

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2019-04-17 16:32:345462

美光計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況,美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測的20%增長,而NAND閃存預(yù)計(jì)增長35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:053511

IDC對NAND閃存價(jià)格的最新預(yù)測

NAND的平均售價(jià)(美元/ GB)會(huì)降低54%,而下半年同比下降45%。 市場供應(yīng)和需求是影響客戶支付閃存存儲(chǔ)價(jià)格的兩個(gè)主要因素,需求增加會(huì)推動(dòng)價(jià)格上漲,促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果供過于求,則可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)量過剩以及價(jià)格下跌。 NAND 閃存產(chǎn)品平均售價(jià)年度變化(最右側(cè)年度價(jià)格變化
2019-03-20 15:09:01282

NAND閃存連跌6個(gè)季度 上游廠商認(rèn)為5月會(huì)回暖

2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630

預(yù)計(jì)Q4季度NAND閃存市場漲幅10%,三星計(jì)劃增大投資

在連跌7個(gè)季度之后,NAND閃存市場將在今年底迎來轉(zhuǎn)機(jī),Q3季度閃存價(jià)格下跌幅度已經(jīng)大幅收窄,預(yù)計(jì)Q4季度會(huì)由跌轉(zhuǎn)漲,漲幅約為10%。
2019-10-14 14:46:022554

全球NAND閃存市場聞風(fēng)而動(dòng) 韓國對日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

從去年初以來,全球NAND Flash閃存市場價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度,導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營收及盈利不斷下滑,多家廠商還削減了產(chǎn)能,其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10
2019-11-14 15:58:53502

5G通信引領(lǐng),DRAM和NAND閃存市場需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場研究公司預(yù)測,基于固態(tài)硬盤(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156

受5G的影響 DRAM與NAND將迎來增長

12 月 22 日訊,據(jù)韓媒報(bào)道,市場研究公司預(yù)測,基于固態(tài)硬盤密度和性能提升,明年全球 NAND 閃存需求將增加,5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場的增長。
2019-12-23 14:13:44647

如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率

任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634

NAND Flash閃存芯片提價(jià) 可能重新回歸千元以上“站崗”

新年伊始,讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來,存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出,NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:01:16719

NAND Flash閃存面臨漲價(jià) 或在今年提高40%之多

新年伊始,讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來,存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出,NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:30:182865

預(yù)測:2020年第一季度NAND閃存環(huán)比增長10%,全年售價(jià)上漲40

據(jù)消息報(bào)道,臺(tái)灣內(nèi)存芯片制造商的消息人士預(yù)測,NAND閃存合同價(jià)格將在2020年上漲40%。這將包括硬件產(chǎn)品,例如存儲(chǔ)卡、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器。根據(jù)DRAMeXchange的說法,SSD的合同價(jià)格已經(jīng)下降了幾年,在生產(chǎn)問題導(dǎo)致NAND產(chǎn)量下降之后,直到2019年第二季度才開始再次上漲。
2020-01-03 17:15:482761

兆易創(chuàng)新NOR閃存累計(jì)出貨量超過100億顆 將推動(dòng)研發(fā)24nm工藝NAND技術(shù)

NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場要變天?

的投資額就達(dá)8萬億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場的不確定性大增。然而,三星電子過往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資,以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競爭力,此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn),或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn),再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

NAND閃存類型機(jī)選擇技巧

通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716

NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,多廠商擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能

市場NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

600億買下Intel閃存業(yè)務(wù) SK海力士:預(yù)期5年內(nèi)公司收入增加2倍

后悔。 據(jù)韓媒報(bào)道,CEO Lee Seok-hee在本周三表示,公司計(jì)劃在5年的時(shí)間內(nèi),將閃存業(yè)務(wù)的收入增加兩倍。 按照Omdia的數(shù)據(jù),SK海力士2019年的閃存業(yè)務(wù)收入是45.52億美元,Intel今年上半年NAND業(yè)務(wù)則有28億美元,因此,分析師們對SK海力士提出的目標(biāo)表示看好。 至于收
2020-11-05 09:41:541253

SK海力士欲將在NAND市場占據(jù)領(lǐng)先地位

據(jù)報(bào)道,第三季度財(cái)報(bào)優(yōu)于市場預(yù)期的SK海力士計(jì)劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào),決心通過從英特爾手中收購NAND業(yè)務(wù),在NAND市場占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:421538

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

全球NAND Flash三季度閃存市場情況曝光

日前,TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場的主要情況。
2020-11-27 09:00:131799

研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)NAND閃存在2021年全年都將持續(xù)下滑

將環(huán)比下滑10%到15%,在2021年全年都將持續(xù)下滑。 從研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告來看,NAND閃存的平均銷售價(jià)格在明年一季度環(huán)比下滑,很大程度上還是受供過于求影響。研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中表示,NAND閃存產(chǎn)量,在明年一季度將增長6%,市場供應(yīng)量會(huì)更高。 研究機(jī)構(gòu)
2020-12-15 18:04:461411

NAND 閃存平均售價(jià)在 2021 年全年都將持續(xù)下滑

的平均銷售價(jià)格,在明年一季度將環(huán)比下滑 10% 到 15%,在 2021 年全年都將持續(xù)下滑。 從研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告來看,NAND 閃存的平均銷售價(jià)格在明年一季度環(huán)比下滑,很大程度上還是受供過于求影響。研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中表示,NAND 閃存產(chǎn)量,在明年一季度將增長 6%,市場
2020-12-15 18:10:162001

華為新專利;明年 NAND 閃存控制芯片將漲價(jià) 15~20%

(至2022年底)。阿里巴巴已于本季度開始執(zhí)行該股份回購計(jì)劃。 報(bào)告顯示,明年 NAND 閃存控制芯片將漲價(jià) 15~20% 盡管研究機(jī)構(gòu)此前曾預(yù)測由于三星、SK 海力士、英特爾和長江存儲(chǔ)將提高產(chǎn)量,明年 NAND 閃存的平均價(jià)格將下降 10~15%,但根據(jù)集邦咨詢 (TrendFor
2020-12-29 15:58:362427

NAND閃存營收達(dá)398.01億元,創(chuàng)下歷史新高

由于成本上的優(yōu)勢,目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC,MLC都很罕見了,SLC閃存更是鳳毛麟角,消費(fèi)級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400

三星在NAND閃存市場將面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:372217

NAND閃存市場競爭愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢

圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

存儲(chǔ)器4Q寒氣蔓延 第3季NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上

NAND價(jià)格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報(bào)價(jià)后,市場價(jià)格快速反轉(zhuǎn)走跌,第3季NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上,相當(dāng)于從年初高點(diǎn)下跌約達(dá)50%,由于終端備貨消極,晶圓廠報(bào)價(jià)持續(xù)探底,市場預(yù)估第4季NAND晶圓價(jià)格跌幅將再季減20%。
2022-11-01 12:36:27517

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

Yole:NAND閃存及控制器的市場趨勢

一、NAND閃存市場分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報(bào)告顯示,2020年起,NAND閃存市場發(fā)展趨勢保持穩(wěn)定增長,2021年,NAND閃存市場份額達(dá)到了近670億美元(見圖1),同年
2022-12-26 18:13:09991

西部數(shù)據(jù)首次宣布減產(chǎn) NAND閃存晶圓產(chǎn)量將減少30%

據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示,西部數(shù)據(jù)在全球NAND閃存市場占有12.6%的份額,僅次于三星電子、鎧俠和SK Group,位居全球第四。
2023-02-09 10:11:22280

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031197

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

2Gb以下容量的 NAND閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁面容量,2Gb以上容量的NAND閃存則將頁容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。
2023-06-10 17:21:001983

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中,由于市場持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場,穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214

鎧俠提升NAND閃存產(chǎn)能利用率

據(jù)最新報(bào)道,全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略,并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35264

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