受5G的影響 DRAM與NAND將迎來增長

12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場的增長。

目前存儲器合約價格不一定會出現(xiàn)急漲，但整體存儲器供應(yīng)鏈庫存水位降低至尾聲，隨著需求穩(wěn)健上揚，5G 及服務(wù)器應(yīng)用在第 2 季成長力道轉(zhuǎn)強(qiáng)，預(yù)計 2020 年下半 DRAM 與 NAND Flash 將出現(xiàn)產(chǎn)能吃緊。

相較于 2018 年第 4 季，2019 年底 NAND Flash 及 DRAM 市場價格已大幅下跌 6 成，其中，有一半的跌幅都在 2019 年第 2 季發(fā)生，第 3 季起市場開始需求回升，根據(jù)近期系統(tǒng)廠商陸 2020 年訂單展望，預(yù)期 2020 年整體 ASP 價格將可望明顯優(yōu)于 2019 年，預(yù)期價格回升將可達(dá)到 3 成，NANDFlash 的回漲速度將比 DRAM 價格更快反應(yīng)。

IC Insights 預(yù)估，2019 年 NAND Flash 與 DRAM 市場分別衰退 27%和 37%，在 2020 年將分別迎來 19%與 12%的年成長表現(xiàn)，NAND Flash 預(yù)期將成為 2020 年 33 款 IC 產(chǎn)品類別中，增幅度最高的產(chǎn)品。

此前世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織 （WSTS）預(yù)測，明年存儲芯片行業(yè)和全球半導(dǎo)體市場整體將分別增長 4.1%和 5.9%。樂觀的前景是基于 5G 服務(wù)對移動芯片的需求增加，以及英特爾下一代 Ice Lake 服務(wù)器芯片需求增加。

根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，移動設(shè)備芯片需求占去年 DRAM 總需求的 32%，預(yù)計此比例今年將增長到 34%。隨著 5G iPhone 的發(fā)布以及華為在 5G 智慧型手機(jī)的發(fā)展。Kiwoom Securities 估計，到 2020 年，全球 5G 智慧型手機(jī)銷量將達(dá)到 1.77 億部，高端移動 DRAM 需求將增長 45%，整體行動 DRAM 需求增長 22％。

長江存儲預(yù)期武漢新廠至 2020 年底，單月晶圓產(chǎn)能可提升至 6 萬片，約占全球產(chǎn)能 5%；長鑫儲存預(yù)期投資 80 億美元興建的合肥廠，單月 DRAM 芯片產(chǎn)能可達(dá) 4 萬片晶圓，約占全球 DRAM 產(chǎn)能 3%。

全球 DRAM 年產(chǎn)能約達(dá) 140 萬片左右，目前合肥長鑫的規(guī)劃，一個廠房進(jìn)入全產(chǎn)能的市占率僅約 3%，未來 3 個廠區(qū)全面投產(chǎn)的市占率約 9%，對于整體 DRAM 市場的供需影響及價格沖擊仍然很有限。

由于 2020 年 5G 帶動相關(guān)需求回升，國際大廠擴(kuò)產(chǎn)保守，國內(nèi)兩大新進(jìn)廠商產(chǎn)能占全球比重仍低，預(yù)期存儲器報價維持穩(wěn)中有升的格局。