NAND閃存市場或今年冬天迎來“春風”

三星電子和SK海力士已經將閃存芯片的堆疊層數(shù)增加至100層以上，并以此作為提高半導體收益的重要武器。最近，主要的智能手機制造商正在擴大高容量旗艦手機的產出，預計數(shù)據(jù)中心運營商也將在2019年下半年擴大對NAND的需求。

圖：三星250GB企業(yè)固態(tài)硬盤（基于其128層高端NAND閃存）

全球半導體設備制造商Ram Research在13日宣布，將為其產品組合增加“VECTOR DT”和“EOS GS”，這是針對高端NAND閃存大規(guī)模生產而優(yōu)化的半導體設備解決方案。

Lam Research的VECTOR DT和EOS GS針對大規(guī)模生產96層或更高層的NAND閃存進行了優(yōu)化，并提高了現(xiàn)有設備的產量。

換句話說，Ram Research產品組合的增加意味著三星電子和SK海力士正專注于高端NAND閃存業(yè)務，并專注于生產效率。

“我們的客戶繼續(xù)大幅增加存儲單元的層數(shù)，因此RAM壓力可能會超過光刻設備的極限，”Ram Research說。

此前針對三星電子和SK海力士的報道，NAND閃存市場的供需形勢將從今年第三季度開始改善。

這是因為三星，蘋果，華為和小米等主要智能手機制造商正在推出256千兆字節(jié)（GB）以上的高端手機版本，數(shù)據(jù)中心運營商也在購買高容量固態(tài)硬盤。

此外，由于6月份四日市東芝工廠停電導致NAND閃存總量減少，NAND閃存市場面臨需求變化（價格上漲）。

事實上，根據(jù)市場研究公司Dram Exchange的數(shù)據(jù)，NAND閃存（128Gb MLC）固定交易價格從6月底的3.93美元上漲1.78％至7月底的4.01美元。

NH Investment＆Securities研究員Doh Hyun-woo表示，“東芝，SK海力士和美光在第二季度大幅減產2~20％。此外，隨著東芝工廠受到日本地震的影響，閃存供應開始大幅放緩。我們預計第三季度將滿足供需，第四季度需求將超過供給?！鳖A計下半年NAND市場將有所改善。

閃存芯片創(chuàng)新工藝不斷得到拓展。在企業(yè)級PC SSD應用上，三星電子開發(fā)了256Gb容量128層的高密度NAND閃存產品。今年下半年，該公司計劃在智能手機應用上，推出堆疊層數(shù)達到100層以上的NAND閃存，進一步提高存儲容量。

SK海力士目前擁有高密度的96層高容量NAND閃存，而且計劃大規(guī)模生產128層高容量的NAND閃存。在明年上半年，該公司也計劃為智能手機提供更高的存儲容量。

業(yè)界人士表示，“半導體行業(yè)正專注于高端NAND閃存的大規(guī)模生產，因為預計下半年內存半導體市場將從NAND閃存中改善?！蔽覀兿嘈潘鼘O大地促進解決供需失衡問題。”

同時，據(jù)市場研究公司IHS Markit稱，三星電子今年第一季度以34.1％排名第一，東芝排名第二，占18.1％；西部數(shù)據(jù)排名第三，占15.4％；美光12.9%，SK海力士以9.6％排名第五。