9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個(gè)存儲單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512064 
制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
該行業(yè)非常重視單個(gè)ECC代碼的強(qiáng)度：但經(jīng)常被忽視的是錯(cuò)誤預(yù)防的強(qiáng)度，這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的我們?nèi)绾卧诨?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率？您可能已在工程團(tuán)隊(duì)或存儲系統(tǒng)供應(yīng)商之間進(jìn)行過
2019-08-01 07:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
存儲級內(nèi)存（SCM）取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
AD5640BRJZ的使用壽命/年限是多少?
2023-12-11 08:18:38
巧。
合適的容量，提供128MB和512MB容量，后續(xù)推出1GB和4GB容量，可根據(jù)需求選擇。
簡單易用，內(nèi)置壞塊管理、平均讀寫、EDC/ECC等功能，降低CPU負(fù)擔(dān)，提高產(chǎn)品質(zhì)量和壽命。
長壽命和穩(wěn)定性，SLC NAND具有最長的使用壽命和性能穩(wěn)定性，擦寫壽命達(dá)到10萬次。
2024-01-24 18:30:00
DEV KIT ARRIA 10 SX SOC
2024-03-14 20:40:18
的、針對嵌入式應(yīng)用的文件系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)Flash存儲器的損耗均衡，并且實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效管理，對于提高其使用壽命具有一定的意義。
2019-08-16 07:06:12
NAND的每個(gè)擦除塊的容量也只有NOR的1/8至1/2，這就表明，每個(gè)塊的擦寫的頻率要少于NOR閃存，從而有助于延長使用壽命。在數(shù)據(jù)的保存時(shí)間上，兩者都差不多，為10年的水平。不過，由于串聯(lián)的架構(gòu)
2013-04-02 23:02:03
的每塊可擦寫次數(shù)在10萬至100萬次之間，NOR則只是它的1/10，而且NAND的每個(gè)擦除塊的容量也只有NOR的1/8至1/2，這就表明，每個(gè)塊的擦寫的頻率要少于NOR閃存，從而有助于延長使用壽命
2014-04-23 18:24:52
STM8的內(nèi)部flash的使用壽命有多長
2023-10-12 07:06:55
？我可以將 NAND 閃存分成兩個(gè)分區(qū)嗎：應(yīng)用程序代碼的第一個(gè)分區(qū)第二個(gè)分區(qū)將被格式化為 FAT32 文件系統(tǒng)
2023-03-29 07:06:44
認(rèn)為每個(gè)組件都有自己的閃存。您如何看待，我應(yīng)該只使用一個(gè)NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問，這意味著FPGA配置文件（.mcs）也存儲在非易失性閃存中，在加電時(shí)，ARM處理器會自動配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
如今到處都可看見了的燈的存在，據(jù)說其使用壽命不長!與傳統(tǒng)的燈相比怎樣！
2012-10-21 12:23:57
閃存等其他存儲設(shè)備更快。在使用SDIO接口時(shí)，SD NAND的速度更高。其讀取時(shí)延較低，比 SD 卡等其他媒體被訪問時(shí)更加實(shí)時(shí)。
內(nèi)置控制器：SD NAND內(nèi)置了控制器，不必額外添置控制器，可以實(shí)現(xiàn)
2024-01-05 17:54:39
從ALtera官網(wǎng)下載了一個(gè)參考設(shè)計(jì)，其基于stratix V，但我的開發(fā)板型號為Arria 10 SOC，做相應(yīng)修改后，編譯出現(xiàn)以下，不知道有人遇到過沒有，求幫助。Error (14566
2018-01-07 21:16:13
其他幾個(gè)領(lǐng)先的無線電SoC的藍(lán)牙信標(biāo)的預(yù)期電池使用壽命。下圖是在相同的應(yīng)用條件下繪制的，包括傳輸功率和工作周期。X軸代表電池容量（200至240毫安時(shí)，相當(dāng)于一個(gè)CR2032紐扣電池），Y軸代表預(yù)期
2022-05-10 09:53:33
Flash產(chǎn)品呢？ CS品牌SD NAND就是這樣一款產(chǎn)品。內(nèi)部使用壽命最長、性能最穩(wěn)定的SLC NAND Flash晶圓,擦寫次數(shù)可以達(dá)到10萬次。另外，內(nèi)置了特定的Flash控制器
2019-10-15 17:01:27
如何延長蓄電池的使用壽命？
2021-06-18 06:03:40
作為電子產(chǎn)品的重要部件電解電容，在開關(guān)電源中起著不可或缺的作用，它的使用壽命和工作狀況與開關(guān)電源的壽命息息相關(guān)。在大量的生產(chǎn)實(shí)踐與理論探討中，當(dāng)開關(guān)電源中電容發(fā)生損壞，特別是電解電容冒頂，電解液外溢
2021-03-07 08:23:57
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個(gè)核心，但它們在AXI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
超低功耗內(nèi)存專家sureCore正在招聘在內(nèi)存設(shè)計(jì)方面擁有10年或以上經(jīng)驗(yàn)的工程師。其嵌入式 SRAM IP 面向服務(wù)于可穿戴和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用且對功耗、散熱和電池壽命敏感的片上系統(tǒng)
2021-12-14 07:54:06
延長鋰電池使用壽命的方法常常會有人問，“鋰電池為什么比鉛酸電池好？”“延長鋰電池使用壽命的方法”下面莊文展手機(jī)維修培訓(xùn)學(xué)校就針對以下的兩點(diǎn)內(nèi)容，給您進(jìn)行一個(gè)簡單的解答。希望您可以在了解鋰電池的基礎(chǔ)上
2017-09-15 14:42:40
影響CLL電容使用壽命的因素有哪些？
2021-09-23 07:44:52
的使用壽命：1、在安裝過程中造成位移傳感器介質(zhì)發(fā)生的變化。如：安裝傾斜角度問題、在安裝時(shí)鋼絲繩受外力損傷問題，都會影響其使用壽命。2、使用環(huán)境過于惡劣。如灰塵、高溫、潮濕等會直接影響其使用壽命，如環(huán)境不可改變
2018-12-04 11:34:23
的使用壽命：1、在安裝過程中造成位移傳感器介質(zhì)發(fā)生的變化。如：安裝傾斜角度問題、在安裝時(shí)鋼絲繩受外力損傷問題，都會影響其使用壽命。2、使用環(huán)境過于惡劣。如灰塵、高溫、潮濕等會直接影響其使用壽命，如環(huán)境不可改變
2018-12-07 10:18:10
中絕大多數(shù)仍可正常運(yùn)行很多年。如果電表的使用壽命可以延長，直至精度下降之前才及時(shí)更換，該有多好？ 延長電表的使用壽命可帶來驚人的高回報(bào)。假設(shè)有一家電力公司，其花在單只電表及其安裝上的成本為100歐元
2018-07-24 08:15:18
`1、要確定使用環(huán)境的可靠性，如使用環(huán)境非常惡劣，受潮、高溫、信號干擾都會影響其使用壽命。3、鋼絲繩的抗拉強(qiáng)度，鋼絲繩一般采用進(jìn)口涂塑鋼絲，由100多股構(gòu)成，只要不對其施加外力是沒有問題的。5、旋轉(zhuǎn)
2020-07-04 11:30:45
小庫說：電力系統(tǒng)中的問題可不容小覷，日常小問題也不能忽視，今天來說一下 電力電容器的保養(yǎng)及使用壽命吧電力電容器保養(yǎng)得好，對其使用壽命的延長和電器的安全運(yùn)行相當(dāng)重要。如何對電力電容器進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)
2018-03-22 14:44:14
如題，如何去計(jì)算正要研發(fā)的一款產(chǎn)品的使用壽命，是不是應(yīng)該從使用的電子元器件的使用壽命去整體權(quán)衡，有沒有什么手冊可以查詢，或者有沒有什么軟件可以輸入所使用的電子元器件，然后能計(jì)算出理論上這款產(chǎn)品的使用壽命？
2015-06-06 16:26:56
如題，如何去計(jì)算正要研發(fā)的一款產(chǎn)品的使用壽命，是不是應(yīng)該從使用的電子元器件的使用壽命去整體權(quán)衡，有沒有什么手冊可以查詢，或者有沒有什么軟件可以輸入所使用的電子元器件，然后能計(jì)算出理論上這款產(chǎn)品的使用壽命？
2015-06-06 16:28:36
沸騰產(chǎn)生過壓將泄壓部件產(chǎn)生不可逆轉(zhuǎn)泄壓動作造成電解液泄漏，使電解電容器永久性的損壞。因此電解電容器的存儲和使用溫度絕不可超過額定溫度。相反，若降低工作溫度則可以使電解電容器壽命大大增加。在實(shí)際使用中常
2017-04-26 16:04:05
產(chǎn)生過壓將泄壓部件產(chǎn)生不可逆轉(zhuǎn)泄壓動作造成電解液泄漏，使電解電容器永久性的損壞。因此電解電容器的存儲和使用溫度絕不可超過額定溫度。相反，若降低工作溫度則可以使電解電容器壽命大大增加。 在實(shí)際使用中常
2017-03-06 16:10:44
使用壽命危害的要素： ?。?）溫度，溫度過高能夠迅速使其損壞?！ 。?）自然環(huán)境的ph酸堿度，立即浸蝕電阻造成其毀壞?！ 。?）外力作用，超出一定的力的程度，電阻馬上會破裂?！ ∫虼艘闺娮?b class="flag-6" style="color: red">使用壽命
2020-07-03 17:31:07
等離子的使用壽命是多久？ 答： 等離子電視的使用壽命大約為6
2009-05-24 18:00:55
10 SoC (片內(nèi)系統(tǒng)) 開發(fā)板。這些開發(fā)板由 Altera 進(jìn)行了測試和驗(yàn)證，并舉例說明了布局、信號完整性和電源管理方面的最佳設(shè)計(jì)方法。圖 1：Arria 10 GX FPGA 開發(fā)套件板圖 2
2018-10-29 17:01:56
。這款所謂的“液流電池”基于一種中性PH水溶液中的有機(jī)分子發(fā)電，使用壽命預(yù)計(jì)超過10年，較當(dāng)前的電池技術(shù)取得巨大進(jìn)步。雖然并非首款液流電池，但它修復(fù)了此前設(shè)計(jì)的許多問題，例如容量退化過快。其竅門是，通過
2017-02-24 18:25:11
由于Nand Flash 寫之前需要擦除且使用壽命有限，為了提高Nand Flash 的使用壽命，需要對Nand Flash 存儲塊進(jìn)行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS，針對其不足，并根據(jù)ZLG/FFS設(shè)計(jì)了一個(gè)新的FF
2009-08-11 08:10:24
17 采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:0326 延長Flash存儲囂使用壽命的研究
引 言 隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動電話、MP3音樂播放器等移動設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用，F(xiàn)lash存儲器
2009-12-15 17:13:071153 
NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲設(shè)備相關(guān)的Linux MTD 子系統(tǒng)NAND 驅(qū)動并就與NAND 閃存相關(guān)的文件系統(tǒng)內(nèi)核以及NAND 閃存存儲設(shè)計(jì)所關(guān)注的問題如壞塊處理從NAND 啟動當(dāng)前2.4 和2.6 內(nèi)核中NA
2011-09-27 10:11:1076 雖然符合新的通用閃存卡（UFS）規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動NAND閃存市場引發(fā)新的技術(shù)競爭，但較舊的嵌入多媒體存儲卡（eMMC）標(biāo)準(zhǔn)在許多手機(jī)和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位
2012-03-30 08:46:141488 現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時(shí)間比現(xiàn)在更長。延長 NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。
2012-12-03 13:49:50779 2013年12月3號，北京——Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天發(fā)布了Arria 10版Quartus II軟件，這是業(yè)界第一款支持20 nm FPGA和SoC的開發(fā)工具?；赥SMC
2013-12-03 10:48:471607 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750 本文介紹了Arria 10 SoC FPGA主要特性，框圖以及Arria 10 SoC開發(fā)板主要特性，電源分布網(wǎng)絡(luò)圖和電路圖。
2018-06-16 06:31:009767 
DVEVM可以啟動或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 Arria 10混合存儲器立方體控制器演示第二部分
2018-06-22 02:59:003197 
Arria 10混合存儲器立方體控制器演示第一部分
2018-06-22 01:02:003176 
在 Arria 10 中設(shè)計(jì) I2C EEPROM
2018-06-22 01:11:002918 
Arria? 10 用戶控制刷新
2018-06-26 00:14:002496 
Arria 10外部存儲器接口(EMIF)工具包
2018-06-11 17:10:201985 
東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
存儲級內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:18641 近日，HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測，在他看來，存儲級內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?b class="flag-6" style="color: red">10年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365827 2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630 追求存儲密度以降低存儲成本不斷推動著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展。NAND閃存技術(shù)已經(jīng)從最初的SLC時(shí)代，跨越MLC、TLC向QLC時(shí)代快速演進(jìn)，并且從最初的2D平面技術(shù)全面切換到3D堆疊技術(shù)。而3D NAND閃存技術(shù)也從最初的32層堆疊，發(fā)展到了目前最新一代的高達(dá)128層堆疊。
2020-04-14 15:28:031730 
英特爾的SoC開發(fā)套件提供了開發(fā)定制ARM快速和簡單的方法*處理器的SoC設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)生產(chǎn)率是Arria 10 SoC架構(gòu)的驅(qū)動理念之一。Arria 10 SoC提供與上一代SoC的完全軟件兼容性
2020-05-20 14:05:561244 最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363 通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
對于許多小的、便攜式物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用，“圣杯”是無線聯(lián)接使用的紐扣電池使用壽命達(dá)10年。
2020-09-03 10:14:543165 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 據(jù)國外媒體報(bào)道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152133 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:552599 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時(shí)間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 eMMC模塊因?yàn)槭且?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ)而具有預(yù)定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照這些規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)，他們也必須預(yù)見到同一系統(tǒng)隨著時(shí)間的推移必須應(yīng)對不斷增加的工作負(fù)載挑戰(zhàn)。
2021-01-18 16:21:041831 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
??所有東西都是有使用壽命的，只是時(shí)間長短不一樣罷了。工業(yè)平板電腦也是一樣，也有著一定的使用壽命，大概在8-10年，但這是正常老化的使用壽命。因?yàn)橛泻芏嗟囊蛩貢绊懼I(yè)平板電腦的使用壽命，致使工業(yè)平板電腦的使用壽命會很大程度的降低。那要如何保持工業(yè)平板電腦的使用壽命呢?下面就來了解一下吧。
2021-11-04 16:37:13609 專有的Sub-GHz無線電旨在用于更長距離的無線傳輸。憑借153 db（16 dbm Tx功率和-135 Rx靈敏度）的鏈路預(yù)算，AXM0F24窄帶SoC可以傳輸37公里或23英里（915MHz，30db衰減余量）的距離。對于1.1公里的距離，AXM0F243超過了所需的10年實(shí)際電池使用壽命。
2022-05-07 15:58:371437 
開發(fā)具有強(qiáng)大架構(gòu)的產(chǎn)品是確保系統(tǒng)設(shè)計(jì)滿足現(xiàn)在和未來性能要求的關(guān)鍵。借助用于嵌入式系統(tǒng)的 SoC，設(shè)計(jì)立足于堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。用于中型應(yīng)用的 FPGA 可顯著節(jié)省空間并在功耗、成本和性能之間取得良好平衡。Arria 10 SoC就是這樣一個(gè)典型代表。
2022-06-08 09:31:24503 因此，英特爾 Arria 10 SoC 為嵌入式外設(shè)、硬核浮點(diǎn) DSP 模塊、嵌入式高速收發(fā)器、硬核存儲器控制器和協(xié)議 （IP） 控制器提供了具有廣泛功能范圍的處理器。
2022-06-08 09:50:571047 
借助 Arria 10 SoC，您可以通過將 GHz 級處理器、FPGA 邏輯和數(shù)字信號處理 （DSP） 集成到單個(gè)可定制的片上系統(tǒng)中來減小電路板尺寸，同時(shí)提高性能。
2022-06-30 09:50:09914 因此，英特爾 Arria 10 SoC 為嵌入式外設(shè)、硬核浮點(diǎn) DSP 模塊、嵌入式高速收發(fā)器、硬核存儲器控制器和協(xié)議 （IP） 控制器提供了具有廣泛功能范圍的處理器。
2022-08-15 11:31:53368 
存儲背后的大腦：NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的？ ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 ， 當(dāng)人們討論存儲時(shí) ， 只會談?wù)?NAND 閃存 ， 而忽略了控制器這一獨(dú)立
2022-09-05 14:42:551452 蘋果公司將長江存儲（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應(yīng)商多樣化來降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23529 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1515 
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