目前韓國(guó)日本之間的糾紛還沒擺平，但是考慮到韓國(guó)三星、SK海力士?jī)杉夜菊剂巳?0%以上的內(nèi)存、50%以上的閃存生產(chǎn)，日本制裁對(duì)韓國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)影響會(huì)很大，如果雙方不解決供應(yīng)限制的話。威剛方面看好NAND閃存漲價(jià)，預(yù)計(jì)NAND閃存芯片將漲價(jià)10%到15%，而SSD硬盤也會(huì)有差不多的漲幅。
2019-07-09 09:28:02
1465 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
的存儲(chǔ)成本。在認(rèn)識(shí)到不斷縮小的光刻技術(shù)的擴(kuò)展局限性之后，需要一種新的方法來增加每個(gè)設(shè)備的密度，同時(shí)降低每 GB 的相對(duì)成本，此時(shí)便出現(xiàn)了3D NAND FLASH。16nm制程以上的閃存如28nm多屬
2020-11-19 09:09:58
Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)。NAND Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)大多數(shù)的NAND Flash都大同小異,所不同的只是該NAND Flash芯片的容量大小和讀寫速度等基本特性。塊
2020-11-05 09:18:33
NAND flash的壞塊1.為什么會(huì)出現(xiàn)壞塊 由于NAND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array（由NAND cell組成的陣列）在其生命周期中保持性能的可靠（電荷可能由于
2018-07-19 09:52:43
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
Nand Flash 問題，取下Nand flash 重新燒錄也不行.請(qǐng)教：以上情況是否會(huì)發(fā)生？（因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">以上兩點(diǎn)在去工廠的時(shí)候沒有復(fù)制到現(xiàn)象，只有不良品在那里）。另外，燒錄過程中是否有可能造成以上問題，或這靜電，溫濕度的影響是否會(huì)出現(xiàn)以上問題？
2012-09-07 22:40:59
`文章來源：亞泰光電 工業(yè)內(nèi)窺鏡，簡(jiǎn)易工業(yè)內(nèi)窺鏡，千元電子內(nèi)窺鏡 產(chǎn)品編號(hào)：工業(yè)內(nèi)窺鏡，簡(jiǎn)易工業(yè)內(nèi)窺鏡，千元電子內(nèi)窺鏡 YE系列 產(chǎn)品型號(hào)：工業(yè)內(nèi)窺鏡，簡(jiǎn)易工業(yè)內(nèi)窺鏡，千元電子內(nèi)窺鏡 YE系列
2014-03-10 16:40:40
據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，閃存技術(shù)的特性使其相對(duì)于許多計(jì)算機(jī)技術(shù)而言發(fā)展得更迅猛。 Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的不同，可以分為兩種：Nor Flash和Nand Flash。Nor Flash
2023-02-17 14:06:29
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
一般地址線和數(shù)據(jù)線共用，對(duì)讀寫速度有一定影響；而NOR Flash閃存數(shù)據(jù)線和地址線分開，所以相對(duì)而言讀寫速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表現(xiàn)在向芯片中寫數(shù)據(jù)必須先將芯片中對(duì)應(yīng)的內(nèi)容清空
2014-04-23 18:24:52
據(jù)線共用，對(duì)讀寫速度有一定影響；而NOR Flash閃存數(shù)據(jù)線和地址線分開，所以相對(duì)而言讀寫速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表現(xiàn)在向芯片中寫數(shù)據(jù)必須先將芯片中對(duì)應(yīng)的內(nèi)容清空，然后再寫入，也就
2013-04-02 23:02:03
的不可控的幽靈，不知道什么就會(huì)冒出來?！ 【C上所述，雖然SD NAND的名稱和T卡有所關(guān)聯(lián)，但從外觀到內(nèi)在品質(zhì)完全不同?！ 〈蠹抑滥壳爸髁鞯拇鎯?chǔ)芯片大致可以分為NOR Flash和NAND Flash
2019-09-29 16:45:07
一般可通過PAD連接
閃存，比如Cadence公司的Octal-SPI
NAND Flash controller, 支持8-bit的數(shù)據(jù)和地址傳輸，這樣的速度會(huì)比傳統(tǒng)的單比特串行SPI快很多。因?yàn)?/div>
2022-07-01 10:28:37
嗎？ NAND閃存與Xilinx Spartan 6兼容嗎？有人可以幫助我，謝謝。格拉迪斯以上來自于谷歌翻譯以下為原文According to the datasheet, The Spartan 6
2019-05-21 06:43:17
目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
Flash和NOR Flash的比較NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面
2018-08-09 10:37:07
flash邏輯單元的矩陣組織，表明了nand flash的尋址方式。 OK210的nand flash支持軟件模式，1.寫入命令寄存器(NFCMMD)指定NAND閃存命令周期2.寫入地址寄存器
2015-09-14 21:19:54
老師入駐硬聲平臺(tái)，同時(shí)我們也為大家?guī)砹烁＠Y包。①搶！千元禮包即日至2022年2月8日活動(dòng)期間，來硬聲APP搜索關(guān)注“張飛實(shí)戰(zhàn)電子官方”賬號(hào)，每新增100粉絲關(guān)注，即由硬聲官方小助手后臺(tái)抽取1名關(guān)注
2022-01-26 16:27:44
價(jià)值幾千元的電子電器EMC設(shè)計(jì)、測(cè)試及整改技術(shù)培訓(xùn)教程-周旭http://pan.baidu.com/s/1sjn2CyT
2015-06-26 15:36:09
首先芯片是加密型的C6748先不考慮對(duì)程序進(jìn)行KEK加密，只讓它充當(dāng)普通芯片能用就行我利用NANDWriter工程將led.bin的程序?qū)戇M(jìn)NAND FLASH后，讓啟動(dòng)模式設(shè)置成從NAND啟動(dòng)
2020-05-22 13:36:06
，相比之前2DNAND閃存的成本高達(dá)每GB21美分，成本的降低才讓NAND降價(jià)成為可能。 NAND Flash市場(chǎng)在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)調(diào)整，在供過于求的壓力下，2015到2016年市場(chǎng)開始下滑，2017年
2021-07-13 06:38:27
閃存flash，回收平板電腦閃存芯片，回收導(dǎo)航閃存芯片，回收SD卡閃存芯片，回收MP3MP4閃存，回收帶板閃存芯片，回收拆機(jī)閃存芯片，回收一切閃存芯片。本司還回收集成電路IC、鉭電容、連接器、MOS管
2021-10-29 19:13:21
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
開關(guān)電源如何排版，價(jià)值上千元的資料。
2015-04-16 17:02:54
我的板子是EasyEVM，在調(diào)試NAND FLASH時(shí)，按照官方的例程配置eccType為NAND_ECC_ALGO_RS_4BIT，發(fā)現(xiàn)有以下兩個(gè)問題：1.讀取block0，page0時(shí)，讀到一般
2019-10-25 10:38:39
需要外加一個(gè)存儲(chǔ)模塊。存儲(chǔ)：一個(gè)256MB的 nand flash 芯片；但是由于該MCU沒有USB接口，為了縮短數(shù)據(jù)上傳的時(shí)間，計(jì)劃加一個(gè) nand flash 控制器(通?？刂破鞫紟SB接口
2018-06-13 14:14:34
一、Nand Flash 簡(jiǎn)介Flash 中文名字叫閃存，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（斷電數(shù)據(jù)不丟失）的存儲(chǔ)器。可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。功能性分為
2016-07-06 16:58:53
是C8816D最大的賣點(diǎn)，這對(duì)于有電信卡和移動(dòng)卡的機(jī)油來說非常有用，杰里米終于可以使用那每個(gè)月都要浪費(fèi)的幾百兆電信流量了，更不用攜帶兩部手機(jī)。 華為千元機(jī)算是賣的很好的，配件也很齊全。至少不會(huì)像
2014-06-27 17:52:35
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 韓國(guó)三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36389 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用1 NAND FlaSh和NOR Flash
閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、
2009-10-17 10:15:591259 
Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 Flash閃存有哪些類型
Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器，這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說的。即存儲(chǔ)器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被
2010-09-01 10:10:031079 
基于NAND Flash的存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)首先要解決壞塊問題。由于NAND Flash自身存在固有壞塊并在擦除和編程中又隨機(jī)產(chǎn)生壞塊，因此為了提高設(shè)備的可靠性應(yīng)該將這兩種操作分散在閃存不同的塊
2011-04-25 11:10:101330 
介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法
2011-12-15 17:11:3151 據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05670 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計(jì)。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方案
2016-03-14 16:01:232 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451320 引言 NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸?，在?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（ PDA）、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備
2017-10-19 11:32:527 Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出（CAPEX）將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。
2018-07-14 11:24:00488 
本文設(shè)計(jì)了一種針對(duì)NAND型的閃存轉(zhuǎn)譯層，使NFTL完成地址映射和壞塊管理以及連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)的操作。對(duì)NAND Flash的分區(qū)設(shè)計(jì)，使塊管理結(jié)構(gòu)清晰，有利于固件的開發(fā)。本文沒有對(duì)Flash的ECC
2017-12-01 17:35:011944 
過去幾年由于PC從傳統(tǒng)機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為閃存盤，智能手機(jī)等數(shù)碼產(chǎn)品不斷提升閃存容量，導(dǎo)致全球市場(chǎng)對(duì)NAND flash的需求大幅增長(zhǎng)，這推動(dòng)了全球NAND flash的價(jià)格持續(xù)上漲。作為全球最大
2018-05-31 12:10:001088 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進(jìn)了30%，讀取信號(hào)時(shí)間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978 2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后，NAND閃存（flash）市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了，從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063572 
NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后，2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性，在原廠擴(kuò)大64層3D NAND產(chǎn)出下，NAND Flash基本已回到2016年的價(jià)格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:002864 
.DIGITIMES研究觀察，由于干蝕刻使用在64層以上更高堆疊層數(shù)的三維NAND閃存，其蝕刻速度與正確性可望優(yōu)于濕蝕刻，將使三星于64層以上的3D NAND閃存轉(zhuǎn)向干蝕刻發(fā)展的可能性提升。?垂直通道（垂直通道）構(gòu)造
2018-10-08 15:52:39395 SSD的價(jià)格沒有最低，只有更低。據(jù)報(bào)道，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露，NAND Flash閃存的價(jià)格在2019年將繼續(xù)下滑，雖然今年已經(jīng)累計(jì)榨干50%水分。此前的一份報(bào)道稱，2019年，SSD每GB的單價(jià)會(huì)跌至0.08美元（約合0.56元）。
2018-10-29 16:39:552414 據(jù)悉，衡宇科技于2012年2月創(chuàng)立，可為用戶提供應(yīng)用于通訊、消費(fèi)電子及數(shù)據(jù)處理行業(yè)的閃存主控芯片產(chǎn)品，主要業(yè)務(wù)為嵌入式NAND Flash控制芯片等，衡宇科技一開始即切入技術(shù)門坎高的Flash Controller IC（閃存控制芯片）領(lǐng)域。
2019-01-22 15:51:032276 
新年伊始，讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:30:182865 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁(yè)構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁(yè)
2020-07-22 11:56:265264 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 日刊工業(yè)新聞報(bào)道，全球第二大NAND Flash廠鎧俠（Kioxia，原東芝存儲(chǔ)器）近期將重新申請(qǐng)上市，預(yù)計(jì)最早將于今年12月在東京證券交易所掛牌上市。此外，生產(chǎn)主力的日本四日市工廠擴(kuò)建計(jì)劃也將提前
2020-10-13 11:39:411913 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
閃存具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。 ? Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器，這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說的。即存儲(chǔ)器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor
2020-11-06 17:36:107046 
日前，TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)的主要情況。
2020-11-27 09:00:131799 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 NAND Flash是全球最重要的存儲(chǔ)芯片之一，中國(guó)需求量最高。2019年，中國(guó)地區(qū)NAND閃存市場(chǎng)銷售額全球第一，占比37%。但全球NAND閃存市場(chǎng)卻被日美韓企業(yè)壟斷。
2021-01-16 10:27:383981 移動(dòng)電話的功能日益豐富，其對(duì)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的需求正在快速增長(zhǎng)。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特點(diǎn)，在各種數(shù)碼產(chǎn)品中得到了廣泛 應(yīng)用，在各種片上系統(tǒng)芯片中（SOC）集成NAND
2021-03-29 10:07:0819 盡管目前芯片荒嚴(yán)重，NAND flash市場(chǎng)欣欣向榮，但是隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)等中廠增產(chǎn)，全球企業(yè)已經(jīng)開始為芯片“大泛濫”預(yù)做準(zhǔn)備。外界估計(jì)，明年NAND flash價(jià)格可能受壓，市況或轉(zhuǎn)為供給過剩。
2021-05-10 15:22:132913 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229 
1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法，如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
在設(shè)計(jì)使用NAND FLASH的系統(tǒng)時(shí)選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?b class="flag-6" style="color: red">閃存控制器還必須足夠靈活以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保...
2022-01-25 20:00:552 FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線，用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 NAND Flash Memory - FortisFlash?
2022-08-08 14:38:230 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
除PC需求疲弱外，NAND Flash價(jià)跌也是促使SSD價(jià)格續(xù)跌的原因。SSD搭載數(shù)個(gè)NAND Flash、因此價(jià)格易受NAND Flash價(jià)格影響。
2022-12-20 12:05:19402 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低，計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222 
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