nand nor flash區(qū)別

nand nor flash區(qū)別

?? NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR?
flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)
天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND?flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成
本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過(guò)接口
輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清
楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
為大多數(shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼，這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。?
　　NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,?eXecute?In?Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash
閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。
NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除
速度大大影響了它的性能。
　　NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也
很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要
特殊的系統(tǒng)接口。

性能比較
　　flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何
flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元
內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除
操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前
先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。
　　由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s
，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)
行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。
　　執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計(jì)表明，對(duì)于
給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí))，
更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，設(shè)計(jì)師必
須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。
　　●?NOR的讀速度比NAND稍快一些。
　　●?NAND的寫入速度比NOR快很多。
　　●?NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
　　●?大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
　　●?NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。

接口差別
　　NOR?flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每
一個(gè)字節(jié)。
　　NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同
。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。
　　NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，很自然地，基
于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。

容量和成本
　　NAND?flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，NAND結(jié)構(gòu)可
以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就
相應(yīng)地降低了價(jià)格。
　　NOR?flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND?flash只是用在8～128M
B的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存
儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，NAND在CompactFlash、Secure?Digital、PC?Cards和M
MC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額最大。

可靠性和耐用性
　　采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)
，F(xiàn)lash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?/font>
(耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。
　　壽命(耐用性)
　　在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND
存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型
的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一
些。
　　位交換
　　所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn)，NAND發(fā)生的次數(shù)要
比NOR多)，一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)
了。
　　一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上，這個(gè)小小的故障可能
導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題，多讀幾次
就可能解決了。
　　當(dāng)然，如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位
反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建
議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法。
　　這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備
來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí)，
必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃?。
　　壞塊處理
　　NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太
低，代價(jià)太高，根本不劃算。
　　NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制
成的器件中，如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)
處理，將導(dǎo)致高故障率。?

易于使用
　　可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接，并可以在上面直
接運(yùn)行代碼。
　　由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
　　在使用NAND器件時(shí)，必須先寫入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫
入信息需要相當(dāng)?shù)募记?，因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞
塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。

軟件支持
　　當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤仿真和
閃存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。
　　在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常
需要驅(qū)動(dòng)程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD
)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD。
　　使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟
件，這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng)，該驅(qū)
動(dòng)被Wind?River?System、Microsoft、QNX?Software?System、Symbian和Intel等廠商所
采用。
　　驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)、壞塊處理和
損耗平衡。