富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
4212 賽普拉斯非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”狀態(tài)，無(wú)論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2610429 
雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱；它通?？s寫(xiě)為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個(gè) DDR 芯片上畫(huà)
2018-04-02 09:21:218082 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它依靠?jī)蓚€(gè)鐵磁層的（相對(duì)）磁化狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來(lái)，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)器，這使得 MRAM 對(duì)緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計(jì)算越來(lái)越感興趣。
2022-07-26 11:08:341864 
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來(lái)分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)（而不是隨時(shí)間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
說(shuō)起存儲(chǔ)器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)，翻譯過(guò)來(lái)就是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，隨機(jī)存取可以理解為能夠高速讀寫(xiě)。常見(jiàn)的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫(xiě)，訪問(wèn)速度較高。RAM：（Random Access Memory），隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種可讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器，一般用于計(jì)算...
2021-07-26 08:08:39
設(shè)計(jì)（重點(diǎn)）位擴(kuò)展（位并聯(lián)法）字節(jié)擴(kuò)展（地址串聯(lián)法）【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類這里我們揀SRAM和DRAM來(lái)講【3】SRAM基本原理：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過(guò)指令隨機(jī)讀寫(xiě)訪問(wèn)
2022-01-26 06:05:59
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲(chǔ)器有多種類型，按其存取特性可分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲(chǔ)器和片外存儲(chǔ)器以及外部存儲(chǔ)設(shè)備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以單個(gè)字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
MT47H64M16NF-25E:M動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：規(guī)格：存儲(chǔ)器類型易失存儲(chǔ)器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲(chǔ)容量1Gb （64M x 16）存儲(chǔ)器接口并聯(lián)時(shí)鐘頻率400MHz寫(xiě)
2020-06-30 16:26:14
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
sram存儲(chǔ)原理是依靠，概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
Erasable PROM）?！ 。?） 混合型?！ 《?、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 ?。?）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
什么是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
實(shí)驗(yàn)二靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-12-03 08:22:16
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
存儲(chǔ)器名詞解釋 RAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。每一存儲(chǔ)單元都可方便而快速地存取。通常，RAM是指任何快速可寫(xiě)的易失性存儲(chǔ)器。 ROM：只
2009-03-30 13:21:402813 第三十一講 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單元一、
2009-03-30 16:36:571139 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無(wú)需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫(xiě)操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘，無(wú)需外接電池即可保持存儲(chǔ)器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
名稱 RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲(chǔ)器 定義 存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)
2010-06-29 18:16:592215 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)，該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 所謂「隨機(jī)訪問(wèn)」，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無(wú)關(guān)。相對(duì)的，存取順序訪問(wèn)（SequenTIal Access）存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0011795 美國(guó)芯片設(shè)計(jì)商Rambus宣布與中國(guó)存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個(gè)在中國(guó)的合資企業(yè)Reliance Memory，以實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
2018-05-17 17:04:5819725 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）的源代碼程序資料免費(fèi)下載
2018-08-31 15:53:39
21 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143325 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）、可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM）、相變化隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PCRAM）等新型存儲(chǔ)器，開(kāi)始被市場(chǎng)采用，而AI/HPC將加速新型存儲(chǔ)器更快進(jìn)入市場(chǎng)。
2019-07-29 16:38:053109 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)報(bào)告書(shū)免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 我們?cè)S多人都知道，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Random Access Memory，縮寫(xiě)：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。
2020-01-13 11:50:271949 無(wú)限的耐用性和超過(guò)20年的使用壽命。 Everspin 4 Mbit MRAM（磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片由Everspin
2020-05-14 12:01:15722 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡(jiǎn)單異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計(jì)易于實(shí)現(xiàn)，無(wú)需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支持。Everspin MRAM技術(shù)的強(qiáng)大
2020-05-29 14:31:28829 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器，但也是最貴的，也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 工藝，用于取代部分傳統(tǒng)的嵌入式快閃存儲(chǔ)器eFlash技術(shù)，而在嵌入式技術(shù)上，趨勢(shì)已快速成熟中。但用于獨(dú)立型存儲(chǔ)器上，目前還有性能、成本的問(wèn)題待克服。 MRAM為磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，架構(gòu)是在晶體管中的存儲(chǔ)單元就在后端互聯(lián)，甚至不占用硅的面積
2020-06-30 16:21:58910 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771 
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí)，不定要從頭開(kāi)始，隨時(shí)都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:342782 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫(xiě)入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）最早于1980年代開(kāi)發(fā)，并被推廣為通用存儲(chǔ)器。與其他存儲(chǔ)技術(shù)不同，MRAM將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫(xiě)入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與
2020-11-20 15:45:59772 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108 伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等應(yīng)用的興起，存儲(chǔ)器也面臨著革新。傳統(tǒng)的DRAM受限于EUV的發(fā)展，平面NAND也面臨著微縮的限制，而最終采取垂直方向上朝著3D方向發(fā)展。在傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)接受挑戰(zhàn)的過(guò)程中，類似于MRAM等新型存儲(chǔ)技術(shù)也開(kāi)始逐漸在市場(chǎng)上展露頭角。
2021-01-18 11:16:152674 
UG-1755：評(píng)估ADG5401F故障保護(hù)，6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開(kāi)關(guān)
2021-03-23 00:21:254 富士通型號(hào)MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來(lái)形成非易失性存儲(chǔ)單元。能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)，而無(wú)需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:00928 
ADG7421F：低壓故障保護(hù)和檢測(cè)，20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，雙單擲開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 作者：Robert Taylor1? 德州儀器
雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱；它通?？s寫(xiě)為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451981 鐵電存儲(chǔ)器是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同時(shí)也是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)，它屬...
2022-01-26 18:11:561 國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，內(nèi)部組織為32K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個(gè)SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）。它被組織為兩個(gè)256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口?？梢允褂脤Ｓ玫?CSn單獨(dú)選擇每個(gè)塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個(gè)采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨(dú)配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個(gè)16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個(gè)2Mx的獨(dú)立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個(gè)獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù)，該設(shè)備堆疊4個(gè)4-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)512K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個(gè)2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由八個(gè)128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)128K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個(gè)獨(dú)立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個(gè)128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481 一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開(kāi)關(guān)的。
2022-07-22 17:05:141596 W9825G6KH是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達(dá)每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器，具有高讀寫(xiě)速度、高續(xù)航能力、長(zhǎng)存儲(chǔ)時(shí)間和低功耗等特點(diǎn)。
2022-10-18 16:30:23663 在過(guò)去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě)，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15699 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 無(wú)論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒(méi)有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無(wú)法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55317 本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34819 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡(jiǎn)稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382 低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03212 
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39359
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