3月11日消息，中國移動近日正式推出歷時兩年研制成功的全球首臺算力路由器——CATS Router。
2024-03-11 16:08:59
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雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應(yīng)的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
ram在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31568 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
在本指南中，您將了解什么是光電晶體管，如何使用光電晶體管，并通過一個簡單的項目來構(gòu)建自動開/關(guān)開關(guān)。
2024-02-11 11:09:00594 
數(shù)據(jù)和指令，而ROM則用于存儲計算機的基本操作系統(tǒng)和啟動程序。本文將探討RAM和ROM的區(qū)別，以及它們與CPU之間的連接方式。 首先，我們來看看RAM和ROM的定義和特點。 RAM是指隨機存取存儲器。它的特點是可以隨機讀寫數(shù)據(jù)，而且數(shù)據(jù)在斷電之后會被丟失，所以它被稱為“易失性存儲器”。RAM由晶體管和
2024-01-31 14:14:31478 晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51516 
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
當(dāng)電源斷開時，隨機存取存儲器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因為RAM是一種易失性存儲器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時，RAM中的電荷會逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19838 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
隨機存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進行隨機掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔ⅲ皇亲裱瓏?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲的數(shù)據(jù)位之間的訪問時間。
2024-01-06 17:51:33158 
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，力成為合作項目提供必要的2.5D和3D先進封裝服務(wù)，涵蓋Chip on Wafer、凸塊加工以及矽穿孔技術(shù)等多個環(huán)節(jié)，并優(yōu)先推薦華邦電的矽中介層和其他尖端產(chǎn)品，如動態(tài)隨機存取存儲器 （DRAM） 和快閃存儲器 （Flash） 等進行配合
2023-12-21 10:29:45151 從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 但天河星逸的具體性能尚不清楚?！短旌佣枴?013年研制成功，連續(xù)6屆top500世界超級電腦6連冠。這是中國超級計算機系統(tǒng)研制進入世界前列的重要標(biāo)志。
2023-12-07 14:43:30559 其中，電阻式隨機存取存儲器（RRAM）依靠改變電阻水平來存儲數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原領(lǐng)導(dǎo)的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構(gòu)建納米隨機存取存儲器的關(guān)鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56302 有關(guān)光電二極管和光電晶體管的硬核科普，值得收藏！
2023-12-01 16:22:43239 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101470 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
電表作為一個計量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關(guān)，而且與其存儲方式有關(guān)，如果檢測到的電量數(shù)據(jù)不能隨機寫入存儲器或?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">存儲器過程出錯電表的精度就會大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲器結(jié)構(gòu)。IP可用來創(chuàng)建只讀存儲器 (ROM)、單端口隨機存取存儲器 (RAM) 和簡單
2023-11-17 17:00:30687 
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根據(jù)貿(mào)易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲芯片出口同比增長1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領(lǐng)了反彈，增長了12.2%，而利潤豐厚的動態(tài)隨機存取存儲器的銷售額首次收窄至個位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
服務(wù)器行業(yè)的發(fā)展最早可追溯到1946年，第一臺電子計算機ENIAC研制成功；隨后，晶體管技術(shù)的引入為服務(wù)器的發(fā)展提供了技術(shù)保障，1954年，第一臺使用晶體管的計算機TRADIC誕生于美國貝爾實驗室，采用了浮點運算，計算功能遠(yuǎn)超電子管計算機；
2023-10-29 14:55:32678 
本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
、隨機存取存儲器、定時器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲器中的各種保護程序，對由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機存取存儲器中的數(shù)據(jù)進行分析處理，以完成各種繼電器保護的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開關(guān)量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33544 
請教音叉開關(guān)上面的振動壓電晶體在什么地方能買到
2023-09-08 08:49:16
微控制器的處理器類型根據(jù)不同的應(yīng)用而有所不同?？晒┻x擇的范圍從簡單的4位、8位或16位處理器到更復(fù)雜的32位或64位處理器。微控制器還可以使用不同類型的存儲器，包括易失性存儲器，如隨機存取存儲器
2023-09-07 15:54:332169 據(jù)中國移動官方微信公布的信息，國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功，有效提升我國5G網(wǎng)絡(luò)核心設(shè)備的自主可控度。 “破風(fēng)8676”芯片是國內(nèi)首款基于可重構(gòu)架構(gòu)設(shè)計，可廣泛商業(yè)應(yīng)用于5G云基站
2023-09-04 16:06:00505 國產(chǎn)5G射頻收發(fā)芯片研制成功 破風(fēng)8676乘風(fēng)破浪而來 根據(jù)中國移動官方微信公布的信息顯示，國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功。加油！ “破風(fēng)8676”是可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片，作為中國移動
2023-09-02 19:14:54928 我們知道除了只讀存儲器外還有隨機存取存儲器，這一篇將介紹另一種 存儲類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機存取存儲器 （Random Access Memory），是一個易失性存儲器，斷電丟失。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
和“讀寫”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲器中，而“讀寫”段在開始執(zhí)行之前從只讀存儲器復(fù)制到隨機存取存儲器。
2023-08-24 08:23:51
近日，睿創(chuàng)微納全資子公司英飛睿研制成功K波段衛(wèi)通相控陣平板天線子陣試驗樣機，實現(xiàn)了雙波束衛(wèi)星相控陣子陣的工程化突破。 雙波束控制的實現(xiàn)，使得終端設(shè)備可以更好地滿足與星座系統(tǒng)中多顆衛(wèi)星保持鏈接的需求
2023-08-23 09:58:341452 
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術(shù)，因為它使用電容器作為存儲元件來實現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
鐵電存儲器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護儀存儲著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息，可以和最近測量的數(shù)據(jù)進行對照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護儀就會
2023-08-16 10:30:26
動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。
2023-08-03 12:27:03649 
動態(tài)隨機存取存儲器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
晶體管是一種有源元件，遍布電子電路。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器，它們用于高電平和低電平、頻率級、振蕩器、調(diào)制器、檢測器以及任何需要執(zhí)行功能的電路中。在數(shù)字電路中，它們用作開關(guān)。世界上有大量
2023-08-02 12:26:53
熱點新聞 1、龍芯 3A6000?國產(chǎn)桌面處理器研制成功！對標(biāo)英特爾 10?代酷睿，4 核 2.5GHz 龍芯中科今日上午宣布，近日，基于龍架構(gòu)的新一代四核處理器龍芯 3A6000?流片成功，代表
2023-08-01 17:05:011924 ，用于從計算機的RAM（隨機存取存儲器）或其他設(shè)備的內(nèi)存中提取關(guān)鍵信息，以便了解設(shè)備在特定時間點的狀態(tài)和活動。內(nèi)存取證的主要目的？內(nèi)存取證的主要目的是獲取在計算機或設(shè)
2023-08-01 11:21:511056 
一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
自從半導(dǎo)體激光器研制成功以后，波長可調(diào)諧的半導(dǎo)體激光器一直備受行業(yè)關(guān)注。
2023-07-17 17:18:393203 
和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
隨機存取存儲器（RAM）用于實時存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器。
2023-07-06 14:22:271948 8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。
2023-07-05 14:59:33237 
光電晶體管是將光轉(zhuǎn)化為電能的組件。它是一種晶體管，只是它使用光而不是基極電流來打開和關(guān)閉。
2023-06-29 10:40:38431 
，非易失性存儲器在計算機關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
傳感新品 【北京航空航天大學(xué)：研制成功的高靈敏度石墨烯MOEMS諧振壓力傳感器?】 由懸浮石墨烯制成的納米機械諧振器對壓力變化表現(xiàn)出高靈敏度。然而，由于空氣阻尼，這些設(shè)備在非真空環(huán)境中表現(xiàn)出明顯
2023-06-19 10:04:07854 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
代替電子管，所以很輕，且運算速度比較快，達(dá)到每秒幾十萬次 [1] 。晶體管計算機的基本邏輯元器件由電子管改為晶體管( Transistor)，內(nèi)存儲器大量使用磁性材料制成的磁芯，外存儲器采用磁盤。與此同時，計算機軟件技術(shù)也有了較大發(fā)展，提出
2023-05-30 15:25:491410 無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313 為了實時監(jiān)測量子芯片運行的溫度變化，了解制冷機運行狀態(tài)，安徽省量子計算工程研究中心的科研人員成功研制出國產(chǎn)量子計算超低溫溫度傳感器，科研人員形象地稱其為“量子芯片溫度計”。
2023-05-22 11:46:59462 在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲器”，而內(nèi)存是“隨機存取存儲器”，屬于“易失性存儲設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191537 光電晶體管是一種光電轉(zhuǎn)換器件，它是在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上加入光敏材料制成的。光電晶體管可以將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，具有高靈敏度、高速度、低噪聲等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于光電傳感、光電控制、光電通信等領(lǐng)域。
2023-05-17 15:29:281557 光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:29:33386 
在光電晶體管電路中，基本的工作模式包括有源和開關(guān)兩種，其中常用的工作模式是開關(guān)型。它解釋了對光的非線性響應(yīng);一旦沒有光，就沒有電流流入晶體管。
2023-05-16 16:25:08372 光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:20:41529 光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場效應(yīng)型等。
2023-05-16 16:13:16580 
光電功能晶體主要是利用光電轉(zhuǎn)化的功能晶體，種類很多，如光學(xué)晶體、激光晶體、非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、閃爍晶體和磁光晶體等。它的作用是接受光信號，并轉(zhuǎn)換為電信號。
2023-05-16 16:07:26389 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會向基極發(fā)送電流，而是激活晶體管。這是因為光電晶體管由雙極半導(dǎo)體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
光電晶體管是一種電子開關(guān)和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理：當(dāng)光落在結(jié)上時，反向電流流動，其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測光脈沖并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號。這些是通過光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:12655 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術(shù)進行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
高速激光器單色性差是光通信速率提升的瓶頸。羅毅院士透露，目前圍繞瓶頸突破，已研制成功單色性優(yōu)異的、國際上首個增益反饋激光器。我國首次研制成功的40Gb/s集成光源模塊
2023-04-26 11:01:131279 RAM ：隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462540 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
，用于存儲 CPU 使用的數(shù)據(jù)。系統(tǒng)的只讀存儲器 （ROM） 永久存儲操作系統(tǒng)的數(shù)據(jù) 隨機存取存儲器 （RAM） 存儲輸入和輸出設(shè)備的狀態(tài)信息，以及定時器、計數(shù)器和內(nèi)部設(shè)備的值。PLC 需要一個編程
2023-04-06 15:13:40
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054
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