富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
4212 賽普拉斯非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風險”狀態(tài)，無論是在正常運行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2610429 
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:218082 在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
EPROM，它們的寫都要有特殊的條件，一般我們用一種稱之為“編程器”的設(shè)備來做這項工作，一旦把它裝到它的工作位置，就不能隨便改寫了。
半導(dǎo)體存儲器的分類
按功能能分為只讀和隨機存取存儲器兩大類。所謂只讀
2010-11-04 18:15:42
EPROM，它們的寫都要有特殊的條件，一般我們用一種稱之為“編程器”的設(shè)備來做這項工作，一旦把它裝到它的工作位置，就不能隨便改寫了。
半導(dǎo)體存儲器的分類
按功能能分為只讀和隨機存取存儲器兩大類。所謂只讀
2010-11-01 13:14:23
說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機存取存儲器，隨機存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進行隨機讀寫，訪問速度較高。RAM：（Random Access Memory），隨機存取存儲器，是一種可讀/寫存儲器，一般用于計算...
2021-07-26 08:08:39
設(shè)計（重點）位擴展（位并聯(lián)法）字節(jié)擴展（地址串聯(lián)法）【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類這里我們揀SRAM和DRAM來講【3】SRAM基本原理：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器有多種類型，按其存取特性可分為隨機存取存儲器和只讀存儲器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲器和片外存儲器以及外部存儲設(shè)備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以單個字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態(tài)隨機
2022-03-02 07:20:19
它們寫入靜態(tài)隨機存取存儲器一個長期的存儲設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。對靜電敏感。正如
2021-12-03 15:47:25
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2022-11-23 07:15:34
RAM——隨機存取存儲器“隨機”表示存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需的時間與數(shù)據(jù)所在的位置無關(guān)RAM掉電數(shù)據(jù)丟失，分為SRAM（靜態(tài)隨機存儲存取器）和DRAM（動態(tài)隨機存儲存取器）。SRAM存儲數(shù)據(jù)的時間相對較長
2021-12-10 06:39:26
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
sram存儲原理是依靠，概念靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
TAS-MRAM概念從磁性隨機存取存儲器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
Erasable PROM）?！ 。?） 混合型?！ 《雽?dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當關(guān)機或斷電
2020-12-25 14:50:34
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
什么是靜態(tài)隨機存取存儲器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
方式隨機存取存儲器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動態(tài) RAM（DRAM）動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
實驗二靜態(tài)隨機存取存貯器實驗
2021-12-03 08:22:16
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動態(tài)隨機存取存儲器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
存儲器名詞解釋 RAM：隨機存取存儲器。每一存儲單元都可方便而快速地存取。通常，RAM是指任何快速可寫的易失性存儲器。 ROM：只
2009-03-30 13:21:402813 第三十一講 隨機存取存儲器
9.3 隨機存取存儲器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571139 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
名稱 RAM（隨機存取存儲器） RAM -random access memory 隨機存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592215 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機存儲設(shè)備鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 所謂「隨機訪問」，指的是當存儲器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0011795 耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計算機隨機存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001567 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點。這兩個接口都支持異步存儲器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機存取存儲器（SBSRAM）和同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:06
3 美國芯片設(shè)計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566 隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5819725 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是STM32同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費下載
2018-08-31 15:53:3921 隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1143325 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當關(guān)機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915156 靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653 式隨機存取存儲器（MRAM）、可變電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）、相變化隨機存取存儲器（PCRAM）等新型存儲器，開始被市場采用，而AI/HPC將加速新型存儲器更快進入市場。
2019-07-29 16:38:053109 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是使用DSP進行靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費下載。
2019-08-02 17:39:284 我們許多人都知道，隨機存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。
2020-01-13 11:50:271949 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體存儲器的學(xué)習(xí)課件資料說明包括了：存儲器基本概念，隨機存取存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），存儲器連接與擴充應(yīng)用，微機系統(tǒng)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)
2020-05-08 08:00:002 或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進制代碼.由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器,就用來存放程序和數(shù)據(jù)了. 按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱ram)和只讀存儲器(只讀ROM) RAM包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取
2020-05-10 10:10:547053 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運而生，也就是靜態(tài)隨機存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機存取儲存器是計算機系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 存儲器的主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器（ROM）和隨機存取存儲器
2020-07-15 11:45:1021113 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771 
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機存取存儲器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166108 UG-1755：評估ADG5401F故障保護，6Ω隨機存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254 富士通型號MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機存取存儲器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。能夠保持數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:00928 
ADG7421F：低壓故障保護和檢測，20?隨機存取存儲器，雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 作者：Robert Taylor1? 德州儀器
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通?？s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451981 。因此，ROM常用來存儲系統(tǒng)程序，具有開機自檢、鍵盤輸入處理、用戶程序翻譯、信息傳輸、工作模式選擇等功能。 ?2.隨機存取存儲器。 隨機存取存儲器也稱為讀寫存儲器。當信息被讀出時，內(nèi)存中的內(nèi)容保持不變；寫入時，新寫入的信息會覆蓋原始內(nèi)容。
2021-12-24 13:50:3513864 鐵電存儲器是一種隨機存取存儲器，同時也是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問，它屬...
2022-01-26 18:11:561 一般計算機系統(tǒng)所使用的隨機存取內(nèi)存主要包括動態(tài)與靜態(tài)隨機存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進的CMOS技術(shù)設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨立塊數(shù)據(jù)接口?？梢允褂脤Ｓ玫?CSn單獨選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR16M16XS54XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術(shù)制造，可堆疊四個4-Mbit SRAM組采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為四個256K x的獨立塊16位寬數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 14:17:250 VDSR8M16XS54XX2V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術(shù)制造，可堆疊四個4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256K×的獨立區(qū)塊16位寬數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 11:53:180 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個獨立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù)，該設(shè)備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481 基于原子級銳利界面的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)超快浮柵存儲器具有和動態(tài)隨機存取存儲器（10 ns）相當?shù)木幊趟俣?，同時具備非易失、大容量的存儲特性。
2022-06-10 16:15:101522 
W9825G6KH是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個人計算機行業(yè)標準，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 
磁性隧道結(jié)（MTJ）通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽（MgO 或Al2O3）層組成的，它可以實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magneto - Resistance, TMR)，此特性可用于存儲邏輯數(shù)據(jù)“1”或“0”。
2023-02-01 17:11:42852 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317 ，非易失性存儲器在計算機關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28878 本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34819 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382 低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39359
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