如何區(qū)分Info與CoWoS封裝？

Info封裝與CoWoS封裝是目前2.5D封裝的典型代表，同屬于TSMC開發(fā)的2.5D封裝，那么如何區(qū)分 Info封裝與CoWoS封裝呢？主要從以下方面進(jìn)行闡述。

1、定義

Info全稱為Integrated Fan-Out，意為集成式扇出型封裝，定義中的重點(diǎn)一為集成，另一方面，此封裝必須為扇出型封裝。提到Info封裝，首先要先說一下FOWLP（Fan-Out Wafer Level package）封裝。傳統(tǒng)的WLP在切割前進(jìn)行封裝，雖然減小了封裝尺寸，但是使I/O數(shù)量受到了限制，為了滿足I/O數(shù)量增多的需求，F(xiàn)OWLP應(yīng)運(yùn)而生。FOWLP使用扇出型技術(shù)，通過RDL層，將Die表面的觸點(diǎn)擴(kuò)展到Die的投影面積之外，增加了凸點(diǎn)布置的靈活性以及增多了引腳數(shù)量。通常情況下的FOWLP封裝的特點(diǎn)為尺寸較小，無基板，塑封封裝。如下圖所示，Info封裝在某些方面與FOWLP具有相同的特點(diǎn)，而同時(shí)又在其上進(jìn)行了發(fā)展。

圖片來源：TSMC Info 封裝

? ? ? ?CoWoS全稱為Chip on Wafer on Substrte，也就是說，此種封裝類型中必須包括Wafer（或與Wafer有相同功能的結(jié)構(gòu)）以及Substrate。

2、Interposer種類

Interposer在2.5D封裝中起著至關(guān)重要的作用，不同的Die通過Interposer實(shí)現(xiàn)電氣互聯(lián)，具有更快的傳輸速度。剛剛接觸2.5D封裝的同學(xué)很容易被CoWoS中的“W”誤導(dǎo)，產(chǎn)生先入為主的印象，即Interpose=硅中介層。實(shí)際上，Interposer主要包含三種類型：整塊的硅板、硅橋以及高密度I/O的RDL層。

3、Info封裝的種類

一般而言，Info封裝包含三種類型：Info_oS、Info_PoP以及Info_LSI。

3.1?Info_oS

Info_oS全稱Integrated Fan-out on substrate。此種封裝將多個(gè)高級(jí)邏輯芯片一起封裝，并通過RDL層進(jìn)行互聯(lián)，由于封裝尺寸較大，僅僅使用RDL層無法滿足封裝的強(qiáng)度要求，因此增加了substrate。

圖片來源：?? TSMC?Info 封裝? ? ? ?

3.2 Info_PoP

Info_PoP封裝全稱為Integrated Fan-out Package on Package，是FOWLP與PoP封裝的結(jié)合體。此種封裝將不同類型的芯片在垂直方向上堆疊在一起，下層為FOWLP封裝的芯片，上層為DRAM等被動(dòng)芯片，封裝之間通過TIV（Through Info Via）進(jìn)行電氣互聯(lián)。

圖片來源：Chip Industry Maps Heterogeneous Integration - EE Times

3.3 Info_LSI

Info_LSI封裝全稱Integrated Fan-out_Local Silicon Interconnect，此種封裝使用硅橋以及RDL層代替整塊硅，達(dá)到了性能與成本的平衡。

圖片來源于網(wǎng)絡(luò)

4、CoWoS封裝的種類

4.1?CoWoS-S

實(shí)際上CoWoS封裝也分為三種類型，我們通常所說的CoWoS，一般意義上指的是CoWoS-S，這里的S為Silicon，即Interposer為整個(gè)硅片，這種CoWoS類型是成本最高的，但在性能上也是最好的。

圖片來源：一文讀懂CoWoS技術(shù)

4.2?CoWoS-R

CoWoS-R，這里的R指的是RDL，即封裝使用高密度I/O的RDL層作為interposer，CoWoS-R和Info-oS具有相似的結(jié)構(gòu)，從外觀上很難進(jìn)行區(qū)分。

圖片來源于網(wǎng)絡(luò)

4.3?CoWoS-L

CoWoS-L，這里的L指的是Local的意思，即使用局部的硅橋進(jìn)行芯片之間的電氣互聯(lián)，硅橋以外的位置使用RDL層或substrate進(jìn)行代替，?CoWoS-L與Info_LSI 具有相似的外觀結(jié)構(gòu)。

圖片來源于網(wǎng)絡(luò)

審核編輯：湯梓紅