圖表明,電路的主極點(diǎn)是在輸出點(diǎn),負(fù)載電容大,輸出電阻非常高,極點(diǎn)的位置在p1=1/(2πRoutCload)。主運(yùn)放的第二個極點(diǎn)在點(diǎn)①處,電容是①點(diǎn)的寄生電容,Boot-ser的輸入電容,M1管的Miller電容CGD,和M2管子的源極輸入電容。位置為p2=gM2/(2πC1)。在頻率響應(yīng)中,一階主極點(diǎn)引起的響應(yīng)是指數(shù)逼近的響應(yīng),而其余的極點(diǎn)和零點(diǎn)則會引入非指數(shù)的響應(yīng),為了不過多地引入超調(diào)響應(yīng),或者是減慢響應(yīng)速度,要求Booster除了要提高電壓增益外,還不能影響運(yùn)放的頻率響應(yīng)。
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