模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十四節(jié):放大電路的頻率響應(yīng)
在實(shí)際應(yīng)用中,電子電路所處理的信號(hào),如語(yǔ)音信號(hào)、電視信號(hào)等都不是簡(jiǎn)單的單一頻率信號(hào),即是具有一定的頻譜的復(fù)雜信號(hào)。這些復(fù)雜信號(hào)是由一些幅度及相位都有固定比例關(guān)系的多頻率分量組合而成的。
由于放大電路中存在電抗元件(如管子的極間電容,電路的負(fù)載電容、分布電容、耦合電容、射極旁路電容等),當(dāng)信號(hào)頻率較高或較低時(shí),不但放大倍數(shù)會(huì)變小,而且會(huì)產(chǎn)生超前或滯后的相移,使得放大電路對(duì)不同頻率信號(hào)分量的放大倍數(shù)和相移都不同。
如果放大電路對(duì)不同頻率信號(hào)的幅值放大不同,就會(huì)引起幅度失真;如果放大電路對(duì)不同頻率信號(hào)產(chǎn)生的相移不同就會(huì)引起相位失真;幅度失真和相位失真總稱為頻率失真或線性失真。
2、RC耦合放大器的幅頻特性
RC耦合放大器的幅頻特性曲線如圖所示。我們將全頻域分為三個(gè)頻區(qū):中頻區(qū)、高頻區(qū)、低頻區(qū)。
中頻區(qū):在一個(gè)較寬的頻率范圍內(nèi),曲線是平坦的。即放大倍數(shù)不隨信號(hào)頻率而變。(在此頻率范圍內(nèi),耦合電容、射極旁路電容視為短路,極間電容視為開路)。中頻區(qū)放大倍數(shù)用AVM表示。
高頻區(qū)(f 高于fH的頻率范圍):當(dāng)信號(hào)頻率升高時(shí),放大倍數(shù)隨頻率的升高而減小。(在此頻率范圍,幅頻特性主要受BJT的極間電容的影響)。
低頻區(qū)(f 低于fL的頻率范圍):當(dāng)頻率降低時(shí),放大倍數(shù)隨頻率的降低而減小。(在此頻率范圍,幅頻特性主要受耦合電容和旁路電容的影響)。?
上限截止頻率(fH):當(dāng)AV下降為0.707AVM時(shí)所對(duì)應(yīng)的高端信號(hào)頻率;
下限截止頻率(fL):當(dāng)AV下降為0.707AVM時(shí)所對(duì)應(yīng)的低端信號(hào)頻率。
通頻帶(BW):fH和fL之間的頻率范圍稱為放大電路的通頻帶或帶寬。
???????????????????? BW=fH-fL
3、波特圖
在研究放大電路的頻率響應(yīng)時(shí),由于信號(hào)的頻率范圍很寬(從幾赫到幾百兆赫以上),放大電路的放大倍數(shù)也很大(可達(dá)百萬(wàn)倍),為壓縮坐標(biāo),擴(kuò)大視野,在畫頻率特性曲線時(shí),頻率坐標(biāo)采用對(duì)數(shù)刻度,而幅值(以dB為單位)或相角采用線性刻度。在這種半對(duì)數(shù)坐標(biāo)中畫出的幅頻特性和相頻曲線稱為對(duì)數(shù)頻率特性或波特圖。如低通電路的波特圖如圖所示。
3.7.1 單時(shí)間常數(shù)RC電路的頻率響應(yīng)
一、RC低通電路的頻率響應(yīng)
由于放大電路高頻區(qū)的頻率響應(yīng)可用圖1所示的RC低通電路來(lái)模擬。下面我們分析RC低通電路的頻率響應(yīng)。
圖1
1、頻率響應(yīng)??
???? (1)
令
得???? ?????? (3)
其中幅頻響應(yīng)為?????????? (4)?
相頻響應(yīng)為??????????????? (5)
2、幅頻響應(yīng)波特圖
圖4
根據(jù)式(4)幅頻響應(yīng)可在波特圖中用兩條直線來(lái)近似描述:
(1)當(dāng) 時(shí)
用分貝表示為:
(2)當(dāng) 時(shí)
用分貝表示為??
此直線的斜率為-20dB/十倍頻程,它與零分貝線在 處相交。近似的幅頻響應(yīng)如圖2(a)所示。
3、相頻響應(yīng)
根據(jù)式(5)作出相頻響應(yīng),它可用三條直線來(lái)近似描述:
(1)當(dāng) 時(shí), ,得一條 的直線。
(2)當(dāng) 時(shí) , ,得一條 的直線。
(3)當(dāng) 時(shí), 。
由于當(dāng) 或 時(shí),相應(yīng)可近似得 和 ,故在 和 之間,可用一條斜率為 /十倍頻程的直線來(lái)表示,于是可畫得相頻響應(yīng)如圖2(b)所示。
二、RC高通電路的頻率響應(yīng)
放大電路的低頻響應(yīng),可用如圖1所示的RC高通電路來(lái)模擬。下面我們分析RC高通電路的頻率響應(yīng)
圖1
1、頻率響應(yīng)表達(dá)式
????? (1)
?令?? ??????? (2)
?? (3)
?圖2
由式(3)可得
幅頻響應(yīng)為 (4)
相頻響應(yīng)為 ?(5)?
2、波特圖
采用與低通電路同樣的折線似方法,可畫出高通電路的幅頻和相頻響應(yīng)波特圖如圖2所示
3.7.2 單級(jí)放大電路的高頻響應(yīng)
一、BJT高頻小信號(hào)模型建模
1、BJT高頻小信號(hào)模型的引出
根據(jù)BJT的特性方程,推導(dǎo)出的H參數(shù)低頻小信號(hào)模型在高頻運(yùn)用的情況下,其物理過(guò)程有些差異,主要表現(xiàn)在BJT的極間電容不可忽略。為此,我們從BJT的物理機(jī)質(zhì)出發(fā)加以分析,再用電阻、電容、電感等電路元件來(lái)模擬其物理過(guò)程,從而得出BJT的高頻小信號(hào)模型,如圖1所示?,F(xiàn)就此模型中的各個(gè)元件參數(shù)作一簡(jiǎn)要的說(shuō)明。
2、BJT的高頻小信號(hào)模型:
在圖示的BJT的高頻小信號(hào)模型中
圖1 BJT的高頻小信號(hào)模型
?????????? ????????
式中
? |
|
????????????????????????????????????????????????????????????
要分析電路的低頻響應(yīng),首先畫出它的低頻小信號(hào)等效電路,如圖1所示。
為便于分析對(duì)電路作以下作一些合理的近似,使其簡(jiǎn)化。
1、設(shè) 遠(yuǎn)大于放大電路本身的輸入阻抗,以致Rb的影響可以忽略;
2、Ce的值足夠大????????
于是可除去Re、Rb得簡(jiǎn)化電路如圖2所示。
3、把Ce折算到基極電路,折算后的容抗為
即折算后的電容為
基極回路中的總電容C1
且一般 ,Ce的作用可忽略。這樣可最后的簡(jiǎn)化電路圖3。
二、射極偏置電路下限頻率
射極偏置電路簡(jiǎn)化后的低頻等效電路如圖所示,
由圖可得
設(shè)中頻區(qū)電壓增益為
?????????????????????????????????????
因此
????????????????????????
式中
????????????????????????????????????
??????????????????????????????????
? 如果fL1和fL二者之間的比值在四倍以上,則可取較大的值作為放大電路的下限頻率。
3.7.4 共基放大電路的高頻響應(yīng)
根據(jù)如圖(a)所示的共基電路交流通路,可畫出其高頻小信號(hào)等效電路如圖(b)所示。首先,我們來(lái)考察BJT電容Cb¢e和Cb¢c以及負(fù)載電容CL對(duì)高頻響應(yīng)的影響。
(a) 交流通路 |
(b) 高頻小信號(hào)等效電路 |
一、Cb¢e的影響
由共基電路高頻小信號(hào)等效電路可見,如果忽略rbb¢的影響,則Cb¢e直接接于輸入端,輸入電容Ci=Cb¢e,不存在密勒倍增效應(yīng),且與Cb¢c無(wú)關(guān)。所以,共基電路的輸入電容比共射電路的小得多,fH1很高。理論分析的結(jié)果 。
二、Cb¢c以及負(fù)載電容CL的影響
如果忽略rbb¢的影響,則Cb¢c直接接到輸出端,也不存在密勒倍增效應(yīng)。輸出端總電容Cb¢c+ CL,輸出回路時(shí)常數(shù)為 ,該輸出回路決定的fH2為
如果
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