約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點(diǎn)評(píng):今年一月,國內(nèi)爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn),而僅僅幾個(gè)月后,國產(chǎn)碳化硅襯底就再傳來了好消息。碳化硅器件的成本中,襯底占比超過40%,所以碳化硅襯底尺寸提高,單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:003759 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)新能源汽車市場規(guī)模急劇上漲,對(duì)于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言,上游產(chǎn)能擴(kuò)充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向??梢钥吹竭^去一年里,海內(nèi)外都持續(xù)投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076 摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637 嚴(yán)重供不應(yīng)求。增加產(chǎn)能的有效方法就是提高襯底尺寸,目前碳化硅襯底尺寸正在從6英寸往8英寸發(fā)展。 ? 全球最大的碳化硅襯底供應(yīng)商Wolfspeed,今年4月剛剛開始在全球首個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠試產(chǎn),預(yù)計(jì)今年年底可以向客戶供貨。8英寸
2022-09-07 07:56:002422 空間大 ? 國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來越大。這使得國內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無論是從市場需求,還是
2023-12-12 01:35:001178 氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者,其禁帶寬度達(dá)到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小,可靠性好?! ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性,反向恢復(fù)電流小,開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)?! ?8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?! ?、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET,它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大,開關(guān)損耗很大,額定工作結(jié)溫低,但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
,同比增長15.77%。2020年H1,中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元,同比增長16.1%。碳化硅(SiC)的應(yīng)用碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,也是目前制造水平最成熟,應(yīng)用最廣
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無線雷達(dá)偵測
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
商用?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用,至今已有20年商用積累,并在部分高中端電源市場批量應(yīng)用,逐步向通用市場滲透,具備廣闊的市場前景?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
的小電流,因此碳化硅肖特基二極管的開關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗,能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換,提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音,同時(shí)易于改善EMI?! ∫韵聹y試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
Wolfspeed通過領(lǐng)導(dǎo)基于碳化硅和氮化鎵的下一代系統(tǒng)的創(chuàng)新和商業(yè)化,將電力和無線系統(tǒng)從硅的局限中解放出來。Wolfspeed用于電力和射頻(RF)應(yīng)用的寬頻帶半導(dǎo)體產(chǎn)品通過提高效率、提高開關(guān)
2019-03-13 09:19:18
最大的努力,做的更好?。?!價(jià)格做得最低!??!品質(zhì)做的最好?。?!速度做得最快?。?!從9月20號(hào)起公司大幅度降價(jià)[/td][/td][/td]我公司小批量{雙雙面板}價(jià)格為480-650平米,2個(gè)平米以下
2011-05-09 10:47:15
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
能在不影響產(chǎn)量的情況下,制造出10寸的晶片。大尺寸的塊狀基板(如下圖所示)。森教授認(rèn)為,與目前的碳化硅基板相比,其成本相當(dāng),而且能達(dá)到更大的尺寸。日本大坂大學(xué)、豐田公司等公司,都參與了日本環(huán)保部的“在
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?! ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場效應(yīng)管器件在推出之后,可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求,碳化硅場效應(yīng)管(SiC MOSFET)由于能夠實(shí)現(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成員?! ∠噍^于前兩代二極管,基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。 基本半?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性,需要通過封裝與電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率和信號(hào)的高效、高可靠連接,才能得到完美展現(xiàn),而現(xiàn)有的傳統(tǒng)封裝技術(shù)應(yīng)用于碳化硅器件時(shí)面臨著一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
范圍-5V~-15V,客戶根據(jù)需求選擇合適值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓,保證開通穩(wěn)定。 2)碳化硅MOSFET:不同廠家碳化硅MOSFET對(duì)開關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利,只有科銳一家使用,成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低,但目前技術(shù)還不完善?! 腖ED成本上來看,用
2012-03-15 10:20:43
,同時(shí)在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本人維修線路板,有懂貼片元件怎樣識(shí)別和小批量購買?請大師幫忙
2020-03-11 03:23:08
中芯國際力爭在2010年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)
2010年,中芯國際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺(tái)和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭實(shí)現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)
2010-03-08 09:33:16471 半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日,記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“世紀(jì)金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
2019-11-09 11:32:515219 據(jù)中央紀(jì)委國家監(jiān)委網(wǎng)報(bào)道,目前,中國電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn),6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開始工程化驗(yàn)證,預(yù)計(jì)年底達(dá)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用與國際水平相當(dāng)。 此外
2020-06-09 18:58:422344 碳化硅襯底生產(chǎn)的國外核心企業(yè),主要是美國CREE,美國 II-VI,和日本昭和電工,三者合計(jì)占據(jù)75%以上的市場。技術(shù)上,正在從 4 英寸襯底向 6 英寸過渡,8 英寸硅基襯底在研。
2020-10-19 14:59:079808 國投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示,第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司(簡稱“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目快速擴(kuò)產(chǎn)和現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153054 隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求,國內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 高端數(shù)字化智能工廠。 該基地將于2022年3月進(jìn)行小批量試生產(chǎn),年中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付,2022年產(chǎn)能為25萬只模塊,2025年之前將提升至150萬只。 ? 本文圖源?基本半導(dǎo)體 這是基本半導(dǎo)體針對(duì)即將迎來爆發(fā)期的新能源汽車碳化硅市場,提前布局、搶
2021-12-31 10:55:432797 國產(chǎn)替代給力 大族激光光刻機(jī)已小批量銷售 臺(tái)積電2nm的工藝都要在2025年投產(chǎn);不知道2nm的工藝需要什么樣的高端光刻機(jī)才做得出來。我們看到國產(chǎn)化好消息是,大族激光的光刻機(jī)已實(shí)現(xiàn)小批量銷售
2022-04-19 17:32:217948 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:48616 前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷,根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開始
2023-02-21 09:26:452 晶錠進(jìn)過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284 按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483430 從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場上主流還是6英寸碳化硅襯底?
2023-06-20 15:01:24765 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:56733 碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場的推動(dòng),碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線,。國內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競爭。
2023-07-14 16:22:58690 從產(chǎn)能來看,湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)批量出貨,且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。
2023-09-14 11:14:541009 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 2023年9月,科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅(SiC)中試線在2023年4月正式貫通后,同步推進(jìn)晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè),加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展,實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn),部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
2023-10-25 14:55:04411 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931 環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:43394 碳化硅襯底,新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403 單晶生長,以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環(huán)節(jié),碳化硅晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導(dǎo)體襯底材料;
2023-12-05 15:26:53561 晶盛機(jī)電公司決定從2017年開始,
碳化硅生長設(shè)備及技術(shù)研發(fā)(r&d)開始,通過研究開發(fā)組的技術(shù)攻堅(jiān),2018年,公司成功開發(fā)了6
英寸生長
碳化硅決定,2020年長征及加工研發(fā)試驗(yàn)生產(chǎn)線建立?!?/div>
2023-12-06 14:08:17379 線路板生產(chǎn)該選大批量還是小批量?
2023-12-13 17:22:10335 自2019年4月在江蘇南京建立以來,超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國際視野,為1至6英寸碳化硅襯底的研究和商業(yè)化注入獨(dú)特見解。
2023-12-14 10:05:56389 碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ),外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 當(dāng)前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 國內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:03864 在這次考察中,考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣,其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業(yè)預(yù)期估算,該項(xiàng)目完成后每年潛在銷售額將達(dá)到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787 平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢。
2024-02-21 09:32:31337 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝,量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:2974 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近期國內(nèi)碳化硅襯底供應(yīng)商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單,4月底,天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)中披露去年公司與博世集團(tuán)簽署了長期協(xié)議,公司將為博世供應(yīng)碳化硅襯底產(chǎn)品
2023-05-06 01:20:002328 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可,簽下
2024-01-08 08:25:342171
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