中芯國際力爭在2010年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

中芯國際力爭在2010年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

2010年，中芯國際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā)；同時力爭實(shí)現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。

　　2010年半導(dǎo)體業(yè)將持續(xù)復(fù)蘇的勢頭，在通信和消費(fèi)類電子市場的帶動下，相應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品市場出現(xiàn)了回升；低碳經(jīng)濟(jì)、綠色能源這些新興市場的興起，也將給相應(yīng)的半導(dǎo)體市場帶來發(fā)展契機(jī)。盡管受到了的國際金融危機(jī)的沖擊，但是中芯國際一直沒有減緩技術(shù)研發(fā)的進(jìn)度，相反在國際金融危機(jī)期間，公司的資源更多地分配給了研發(fā)部門。

　　在第四屆(2009年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選中，中芯國際有兩項(xiàng)技術(shù)獲獎，其一是“65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。

　　目前，中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認(rèn)證，并于2009年第三季度開始在北京廠小批量試產(chǎn)。中芯國際65納米技術(shù)前段采用的是應(yīng)力工程和鎳硅合金工藝，后段采用的是低介電常數(shù)銅互連工藝。中芯國際還將繼續(xù)在65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上拓展更多的技術(shù)種類。

　　在65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上，CMOS器件的電學(xué)參數(shù)更難以控制，為此，中芯國際引入了DFM(可制造性設(shè)計(jì))，這樣不但提高了設(shè)計(jì)服務(wù)的能力，而且拓寬了IP庫。中芯國際和國內(nèi)的設(shè)計(jì)公司協(xié)作，不僅研發(fā)出了通用的IP，而且為中國市場開發(fā)出定制的IP。

　　0.11微米圖像傳感器技術(shù)是中芯國際和相關(guān)設(shè)計(jì)公司合作開發(fā)的、具有國際先進(jìn)水平的集成電路制造技術(shù)。該技術(shù)結(jié)合并優(yōu)化了動態(tài)存儲器及邏輯工藝，優(yōu)化了像素設(shè)計(jì)，形成了一個通用的工藝平臺，可以服務(wù)于從30萬到300萬像素的產(chǎn)品。中芯國際的0.11微米CMOS圖像傳感器技術(shù)不僅提供更高像素的圖像，而且其數(shù)字信號處理的能力更強(qiáng)，該技術(shù)可以滿足手機(jī)和圖像傳感器應(yīng)用的所有需要。中芯國際的此項(xiàng)工藝完全自主研發(fā)，所用的工藝步驟優(yōu)于國外同行，有著明顯的成本優(yōu)勢，其結(jié)構(gòu)、技術(shù)水平和光學(xué)性能都達(dá)到了國際先進(jìn)水平。

　　2010年對于中芯國際來講是非常重要的一年，因?yàn)槲覀円瓿梢幌盗械睦锍瘫降娜蝿?wù)：45/40納米的邏輯工藝平臺要為試生產(chǎn)做好準(zhǔn)備，要增強(qiáng)65和40納米節(jié)點(diǎn)上的IP等等。所有這些技術(shù)創(chuàng)新都會增強(qiáng)中芯國際的芯片制造能力、IP能力、設(shè)計(jì)服務(wù)能力，最終一定會增強(qiáng)公司的贏利能力。