在計(jì)算機(jī)中，CPU需要定期地從 RAM 存儲器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的需要。
2024-03-04 17:30:07
513 
我們在PSoC? Creator 中有一個 PSoC6 項(xiàng)目，并希望將 QSPI F-RAM?存儲器添加到TDA5235_868_5_BOARD中。我很難找到如何在F-RAM? PSoC
2024-03-01 12:14:13
在世界移動通信大會（MWC 2024）上，廣和通公司推出了基于MediaTek T300平臺的RedCap模組FM330系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品旨在加速5G-A（5G-Advanced，即5G高級版）技術(shù)
2024-02-29 10:10:23146 ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31568 
RAM（Random Access Memory）是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)部存儲器，而ROM（Read-Only Memory）則是一種只讀存儲器。兩者在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色，起到不同的作用。本文
2024-02-04 17:05:16835 RAM（Random Access Memory）和ROM（Read-Only Memory）是計(jì)算機(jī)中兩種主要的存儲器件，它們在結(jié)構(gòu)、功能以及與CPU之間的連接上有不同之處。RAM主要用于臨時存儲
2024-01-31 14:14:31478 1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
我想使用 DAP 協(xié)議對 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進(jìn)行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細(xì)信息的相關(guān)文檔？ 如何通過 DAP 協(xié)議訪問內(nèi)部存儲器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
當(dāng)電源斷開時，隨機(jī)存取存儲器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM是一種易失性存儲器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時，RAM中的電荷會逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19838 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長，存儲器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪問存儲器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15512 mW。取消選擇該器件時，CMOS待機(jī)電流小于200 A。 型號AT28C256-25FM/883功能描述電可擦除可編程只讀存儲器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
今天要講的是通過IIC總線來讀寫AT24C512存儲。我們在開發(fā)一些項(xiàng)目的時候，如果要求對有些參數(shù)進(jìn)行存儲，且掉電不丟失的話，我們就需要一些外部存儲器件，比如說今天要講的AT24C512存儲器。下面就來看一下今天的例程吧！
2023-11-09 10:00:41660 
單片機(jī)的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
本應(yīng)用筆記詳細(xì)描述了如何利用AT32系列MCU存儲器中的零等待區(qū)（ZW），實(shí)現(xiàn)在擦除或者編程過程中保證CPU重要內(nèi)容正常運(yùn)行，免受MCU失速影響。
2023-10-24 08:17:28
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器。主存儲器簡稱內(nèi)存，內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用，一般采用半導(dǎo)體存儲單元。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM是內(nèi)存其中最重要的存儲器，所以通常我們直接稱之為內(nèi)存。
2023-10-07 14:27:51470 怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PIC24FJ256GA705系列單片機(jī)數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 09:25:49
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PIC24FJ256GA705系列閃存編程規(guī)范.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:51:030 如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
RAM中的一部分通常被用作緩存，用于存儲CPU經(jīng)常訪問的數(shù)據(jù)和指令，以提高計(jì)算機(jī)的性能。緩存能夠以較高的速度提供對這些數(shù)據(jù)的訪問，減少了對較慢的主存儲器（如硬盤）的訪問次數(shù)，從而加快了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的響應(yīng)速度。
2023-09-21 15:35:032395 存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
1. 描述 引腳排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引腳排列
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:20:24
高達(dá)48 MHz的ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核、高速嵌入式存儲器(高達(dá)64K字節(jié)的閃存和高達(dá)8K字節(jié)的SRAM)，以及各種增強(qiáng)型外設(shè)和I/O。
所有器件均提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(三個UART、一個SPI
2023-09-14 08:54:22
檢查。系統(tǒng)檢測到奇偶校驗(yàn)失敗后，會產(chǎn)生對應(yīng)的中斷標(biāo)志。關(guān)于 SRAM 的詳細(xì)介紹，請參見 6 RAM 存儲器章
2023-09-14 07:25:37
CW32W031內(nèi)核是32位ARM?Cortex?-M0+微處理器，最大尋址空間為4 GB。
芯片的內(nèi)置程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器、外設(shè)和端口寄存器在相同的4 GB線性地址空間中統(tǒng)一尋址。
內(nèi)存中的字節(jié)
2023-09-14 06:16:15
。CW32W031 集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 64K 字節(jié) FLASH和多至 8K 字節(jié) SRAM）以及一系列全面的增強(qiáng)型外設(shè)和 I/O 口
2023-09-14 06:12:10
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
在刪除和重新加載塊后，可能會在用戶存儲器(裝入和工作存儲器)中產(chǎn)生間隔，從而減少可使用的存儲器區(qū)域。使用壓縮功能，可將現(xiàn)有塊在用戶存儲器中無間隔地重新排列，并創(chuàng)建連續(xù)的空閑存儲 空間。
2023-09-11 17:35:43592 
存儲器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機(jī)存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272101 本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對保護(hù)內(nèi)部存儲器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
本參考手冊面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購信息、機(jī)械
2023-09-08 06:59:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
我們知道除了只讀存儲器外還有隨機(jī)存取存儲器，這一篇將介紹另一種 存儲類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲器 （Random Access Memory），是一個易失性存儲器，斷電丟失。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
FM33LC0xx系列MCU是基于ARM Cortex-MO內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片，最高主頻64MHz,最大可支持256KB FLASH !程序存儲器和24KB RAM,集成LCD驅(qū)動
2023-08-25 16:06:593 庫的慢-慢工藝點(diǎn)對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40397 
一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器的分類 * RAM
2023-07-12 17:01:131098 
可編程控制器的存儲器由只讀存儲器ROM、隨機(jī)存儲器RAM和可電擦寫的存儲器EEPROM三大部分構(gòu)成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719 隨機(jī)存取存儲器（RAM）用于實(shí)時存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器。
2023-07-06 14:22:271948 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28873 存儲器是用來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪問存儲器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
8 存儲器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當(dāng)斷電時，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:442014 隨機(jī)存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 
************************************************* *************************************
* 詳細(xì)說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織方式為256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
Marki Microwave 的 RAM24F24 是一款串聯(lián)射頻適配器，頻率為 DC 至 40 GHz，插入損耗為 0.3
2023-05-26 17:13:09
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
PY32F002B 系列單片機(jī)采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的 MCU。嵌入了24Kbytes Flash 和 3Kbytes SRAM 存儲器，最高
2023-05-18 16:25:23
描述? BL24C256A提供262144位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為32768字，每個8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
描述? BL24C02F提供了2048位的串行電可擦除和可編程的只讀存儲器（EEPROM），組織為256個字，每位8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少的。特點(diǎn)
2023-05-16 17:50:19
描述BL24C256A提供262144位串行電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM），組織形式為32768每個字8位。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化，可用于多種用途工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低功率和低電壓操作本質(zhì)
2023-05-16 15:12:07
SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56477 單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機(jī)中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26377 
2023年4月27日——上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合
2023-05-04 13:56:111160 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
RAM ：隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”。
2023-04-25 15:58:205062 
CH32V208開發(fā)板提供了對兩類外部存儲器件的支持，即AT24CXX系列和W25QXX系列。
由于在開發(fā)板上并沒有提供這兩類器件，因此在測試時是以外掛模塊的形式來進(jìn)行。
1）AT24C02測試
2023-04-21 18:13:47
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462540 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
大家好最近做了個充電板缺前級電源，搬了塊24v100w的電源板，手上的萬用表量不出來上面的貼片電容，大神幫忙看下都應(yīng)該是多少的。還有兩個電感對不對？電路有什么問題沒。謝謝了！ （不是太懂就是愛動手搗鼓!）
2023-04-16 13:04:20
KB SRAM存儲器子系統(tǒng)：? 具有 SECDED ECC 的高達(dá) 2MB 的片上 RAM(OCSRAM)：– 可以按 256KB 的增量分成更小的存儲器組，多達(dá) 8 個獨(dú)立的存儲器組– 每個存儲器組可分
2023-04-14 15:42:08
內(nèi)部的存儲塊為SRAM。設(shè)計(jì)要求設(shè)計(jì)一個深度為256，寬度為8的RAM。不需要初始化內(nèi)容。設(shè)計(jì)原理RAM，此種存儲器支持寫操作，支持讀操作。在存儲器建造時，可以進(jìn)行初始化數(shù)據(jù)，也可以不進(jìn)行初始化數(shù)據(jù)
2023-04-10 16:43:04
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
ROM和RAM的區(qū)別是什么？ROM和RAM都是一種存儲技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲，掉電不會保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器
2023-03-30 14:53:271938 存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
FM24C256E-SO-T-G
2023-03-29 22:40:49
FM24C256A-SO-T-G
2023-03-29 22:39:29
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
EEPROM存儲器 256K I2C串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:28
數(shù)據(jù)存儲器（RAM）：單片機(jī)中的RAM用于存儲程序的變量和中間結(jié)果，它是易失性存儲器，需要外部電源供電。
2023-03-28 18:21:489294 256 Kbit （32K × 8） 串行 （I2C） F-RAM
2023-03-27 13:45:21
FRAM（鐵電體 RAM） 存儲器 IC 256Kb（32K x 8） 并聯(lián) 140 ns 28-SOIC
2023-03-27 13:45:10
FRAM（鐵電體 RAM） 存儲器 IC 1Mb I2C 3.4 MHz 130 ns 8-SOIC
2023-03-27 13:44:55
256 K位 （32 K × 8） 串行 （I2C） F-RAM
2023-03-27 12:55:59
2-Mbit（256 K × 8） 串行 （SPI） F-RAM
2023-03-27 11:55:14
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