鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢,能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長,芯片的擦寫次數(shù)為100萬次,比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動數(shù)據(jù)存儲器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
電能記憶原理:電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器,電表的精度不但與檢測芯片的精度有關(guān),而且與其存儲方式有關(guān),如果檢測到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫入存儲器或?qū)懭氪鎯ζ鬟^程出錯(cuò),電表的精度就會大大降低。
基于FRAM PB85RS2MC存儲器的特點(diǎn),本文將對傳統(tǒng)電表的電量存儲方案設(shè)計(jì)進(jìn)行改革,由于PB85RS2MC的讀寫次數(shù)為100萬次,微處理器(MCU)檢測到一個(gè)脈沖就可以寫入FRAM內(nèi),由于電量數(shù)據(jù)是實(shí)時(shí)寫入FRAM,所以,掉電后數(shù)據(jù)也不會丟失。由于FRAM不會像普通存儲器那樣有10ms的寫周期,不用擔(dān)心電容的容量變小后會對FRAM存儲數(shù)據(jù)有影響,因?yàn)殍F電存儲器內(nèi)沒有緩沖區(qū),數(shù)據(jù)是直接寫入FRAM對應(yīng)的地址中,所以寫入的數(shù)據(jù)也不會出錯(cuò)。
國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC應(yīng)用特點(diǎn):
1、PB85RS2MC通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2、PB85RS2MC容量2M bit,提供SPI接口,工作頻率25兆赫茲,并支持40MHz高速讀命令。
3、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃,封裝為8引腳SOP封裝,符合RoHS;性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯)。
4、PB85RS2MC最低功耗9微安(待機(jī)),工作電壓2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。
綜上,通過采用PB85RS2MC存儲器的電能數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng),可以使電能計(jì)量系統(tǒng)十分準(zhǔn)確,降低了功耗,而且具有結(jié)構(gòu)緊湊,接口線少,控制方式簡單,抗干擾能力強(qiáng),通信速率較高,擴(kuò)展靈活等許多優(yōu)點(diǎn)。隨著FRAM技術(shù)的不斷發(fā)展,其應(yīng)用范圍會更加廣泛,并且國芯思辰可提供專業(yè)的技術(shù)指導(dǎo) 。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用,兼容MB85RS2MT
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