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RA6快速設(shè)計(jì)指南 [9] 存儲(chǔ)器 (1)

瑞薩MCU小百科 ? 來(lái)源:未知 ? 2023-06-21 12:15 ? 次閱讀
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存儲(chǔ)器

RA6 MCU支持4GB的線性地址空間,范圍為0000 0000hFFFF FFFFh,其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個(gè)SDRAM控制器,可利用該控制器訪問(wèn)連接到外部存儲(chǔ)器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間;使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)這兩個(gè)存儲(chǔ)器,從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。

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圖16. RA6M3存儲(chǔ)器映射

8.1 SRAM

RA6 MCU提供帶奇偶校驗(yàn)位或ECC(糾錯(cuò)碼)的片上高速SRAM模塊。SRAM0的前32KB區(qū)域受ECC控制。奇偶校驗(yàn)在其他區(qū)域執(zhí)行。下表列出了SRAM規(guī)范。SRAM模塊的數(shù)量和容量因器件而異。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》

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圖17. RA6M3 SRAM規(guī)范示例

8.2 待機(jī)SRAM

RA6 MCU提供了一個(gè)片上SRAM,支持在深度軟件待機(jī)模式下保留數(shù)據(jù)。下表列出了備用SRAM規(guī)范。

在深度軟件待機(jī)模式下,待機(jī)SRAM的電源由DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位使能。如果DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位設(shè)置為00b,則將在深度軟件待機(jī)模式下保留待機(jī)SRAM中的數(shù)據(jù)。有關(guān)DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位的詳細(xì)信息,請(qǐng)參見后文第11節(jié)“低功耗模式”

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圖18. RA6M3待機(jī)SRAM規(guī)范示例

Renesas FSP中的LPM(低功耗模式)驅(qū)動(dòng)程序提供了一個(gè)用于切斷或保持待機(jī)SRAM電源的選項(xiàng),如下圖所示。仍然需要調(diào)用LPM驅(qū)動(dòng)程序的API才能將所選設(shè)置寫入MCU寄存器。

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圖19. 使用Renesas FSP配置器使能/禁用待機(jī)SRAM的電源

8.3 外設(shè)I/O寄存器

外設(shè)I/O寄存器塊出現(xiàn)在存儲(chǔ)器映射中的不同位置,具體取決于器件和當(dāng)前的工作模式。大多數(shù)外設(shè)I/O寄存器占用的地址范圍為4000 0000h400F FFFFh。但是,位置和大小可能會(huì)因器件而異。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》。有關(guān)詳細(xì)信息,可參見“I/O寄存器”附錄,也可參見每個(gè)外設(shè)功能的寄存器說(shuō)明。該區(qū)域包含在所有工作模式下始終可用的寄存器。用于控制訪問(wèn)閃存的閃存I/O寄存器占據(jù)兩個(gè)區(qū)域,即407E 0000h407E FFFFh407F C000h407F FFFFh

Renesas FSP包含采用CMSIS數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的C語(yǔ)言頭文件,這些文件將特定器件的所有外設(shè)I/O寄存器映射到易于訪問(wèn)的I/O數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。

未完待續(xù)


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原文標(biāo)題:RA6快速設(shè)計(jì)指南 [9] 存儲(chǔ)器 (1)

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