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國產(chǎn)手機(jī)又要漲價(jià),原來是它漲了

崔灝然? 2017年10月12日 12:59 ? 次閱讀

? ? ? ?聽說國產(chǎn)手機(jī)又要漲價(jià),幅度在100-500元不等,消費(fèi)者們又要嗚呼哀哉了。據(jù)了解,才知道不是手機(jī)漲了,而是手機(jī)內(nèi)存條價(jià)格一直在狂飆。

  僅半年時(shí)間,內(nèi)存條價(jià)格幾乎翻了一倍。這段時(shí)間,記者在線上及線下商城發(fā)現(xiàn),內(nèi)存條價(jià)格普遍“水漲船高”。業(yè)內(nèi)人士分析,這股漲價(jià)潮可能要持續(xù)到明年年中,或?qū)?duì)國產(chǎn)手機(jī)價(jià)格產(chǎn)生影響。所以,現(xiàn)在想擴(kuò)充數(shù)碼產(chǎn)品內(nèi)存的朋友們,可能得等一等了,甚至有網(wǎng)友戲謔——“早知道年初就要囤內(nèi)存條發(fā)家致富!”

  年底前還將漲40%

  IC Insights報(bào)告顯示,過去的12個(gè)月,DRAM已經(jīng)從2.45美元漲到5.16美元,漲幅達(dá)到驚人的111%,而且,在年底之前,DRAM預(yù)期還會(huì)出現(xiàn)高達(dá)40%的增長。

  DRAM為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的產(chǎn)品類型之一,常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條,主要應(yīng)用市場(chǎng)包括PC、智能手機(jī)、企業(yè)服務(wù)器等。當(dāng)前,放眼整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng),各大品牌內(nèi)存價(jià)格無一不在瘋漲。

  在京東商城,影馳GAMER DDR4-2400 8G內(nèi)存條從今年4月份的389元上漲到如今的629元,漲幅超六成;GAMERⅢ極光RGB內(nèi)存在5天時(shí)間內(nèi)漲了100元;金士頓DDR424008G臺(tái)式機(jī)內(nèi)存在半年內(nèi)價(jià)格從400元左右漲至800元左右。

  產(chǎn)線迭代,產(chǎn)能不足

  目前,DRAM內(nèi)存市場(chǎng)呈現(xiàn)以三星電子、美光科技、SK海力士三大巨頭競(jìng)爭(zhēng)的寡頭壟斷形態(tài),數(shù)據(jù)顯示,當(dāng)下三大廠DRAM市場(chǎng)份額總和約占全球市場(chǎng)94%。

  當(dāng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)技術(shù)迭代升級(jí),即2DNANDFlash(二維閃存)轉(zhuǎn)移至3DNANDFlash(三維閃存),三大廠紛紛進(jìn)入閃存迭代升級(jí)的產(chǎn)線建設(shè),而對(duì)于DRAM的開發(fā)和資本投入方面相對(duì)保守。

  業(yè)內(nèi)人士指出,由于供給廠商太少,三大廠商有極強(qiáng)的議價(jià)權(quán)。當(dāng)前,除了PC,智能手機(jī)、企業(yè)服務(wù)器的迅猛發(fā)展對(duì)內(nèi)存的需求愈來愈大,DRAM產(chǎn)能跟不上,預(yù)計(jì)到2018年,隨著3DNANDFlash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn),存儲(chǔ)器供應(yīng)緊張局面才有望緩解。

  國產(chǎn)手機(jī)或普遍漲價(jià)

  金立集團(tuán)董事長劉立榮在9月底公開對(duì)外表示,國產(chǎn)手機(jī)下半年仍會(huì)漲價(jià),部分原因是內(nèi)存成本上升。

  內(nèi)存作為智能手機(jī)核心硬件之一,一直以來依賴進(jìn)口。有證券分析師表示,這一輪內(nèi)存漲價(jià)大幅增加了國產(chǎn)智能手機(jī)的成本,特別是存儲(chǔ)器成本占比相對(duì)較高的中低端智能手機(jī),侵蝕了競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)。

  據(jù)悉,隨著當(dāng)下內(nèi)存產(chǎn)能已經(jīng)跟不上需求,從手機(jī)市場(chǎng)行情來看,漲價(jià)趨勢(shì)明顯。目前智能手機(jī)內(nèi)存容量為2G-8G,同一個(gè)廠家推出的同一款智能手機(jī)僅僅因?yàn)榇鎯?chǔ)器容量的不同,價(jià)格可能相差數(shù)百元到一兩千元。當(dāng)下,目前部分智能手機(jī)已經(jīng)漲價(jià),幅度在100-500元不等。

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三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價(jià)格上漲

三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三....
發(fā)表于 2023-09-15 17:42? 855次閱讀
三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價(jià)格上漲

存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以....
發(fā)表于 2023-09-15 15:59? 341次閱讀
存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

服務(wù)器CPU狂飆,內(nèi)存接口芯片的分類有哪些

DRAM 由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,設(shè)計(jì)體積小,在服務(wù)器的內(nèi)存中占主導(dǎo)地位,并得到了長足的發(fā)展,從 DRAM ....
發(fā)表于 2023-09-15 10:13? 117次閱讀
服務(wù)器CPU狂飆,內(nèi)存接口芯片的分類有哪些

存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來拐點(diǎn) DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格...

隨著下半年國內(nèi)手機(jī)品牌陸續(xù)推出新產(chǎn)品和iPhone15系列的發(fā)布,上游出貨壓力將逐步減輕,存儲(chǔ)芯片調(diào)....
發(fā)表于 2023-09-14 16:58? 1118次閱讀
存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來拐點(diǎn) DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格...

淺析內(nèi)存基礎(chǔ)知識(shí):易失性、非易失性和持久性

計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)....
發(fā)表于 2023-09-14 16:06? 460次閱讀
淺析內(nèi)存基礎(chǔ)知識(shí):易失性、非易失性和持久性

三星內(nèi)存芯片最高漲20%

9月12日,據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),三星電子近期與客戶(谷歌等手機(jī)制造商)簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,D....
發(fā)表于 2023-09-14 10:56? 136次閱讀
三星內(nèi)存芯片最高漲20%

三星計(jì)劃提高DRAM和NAND芯片價(jià)格

日前有消息稱,存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇,特別是移動(dòng)DRAM芯片銷售行業(yè)。
發(fā)表于 2023-09-14 10:42? 891次閱讀
三星計(jì)劃提高DRAM和NAND芯片價(jià)格

市場(chǎng)開始復(fù)蘇,三星傳調(diào)漲內(nèi)存芯片高達(dá)20%

隨著行動(dòng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)跡象顯示出復(fù)蘇跡象,并且最早在第四季度供不應(yīng)求,三星電子已宣布將提高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取....
發(fā)表于 2023-09-13 14:22? 356次閱讀
市場(chǎng)開始復(fù)蘇,三星傳調(diào)漲內(nèi)存芯片高達(dá)20%

DRAM的變數(shù)

2022年第四季度DRAM行業(yè)營收環(huán)比下降超過三成,跌幅超過2022年第三季度。2022年第四季度D....
發(fā)表于 2023-09-12 17:52? 553次閱讀
DRAM的變數(shù)

升級(jí)版PCIe 5.0 SSD深度評(píng)測(cè)解析

為了提升SSD的性能,HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨(dú)立緩存設(shè)計(jì)。本....
發(fā)表于 2023-09-12 11:01? 172次閱讀
升級(jí)版PCIe 5.0 SSD深度評(píng)測(cè)解析

集微咨詢:汽車芯片增速正被高估,庫存問題恐導(dǎo)致供...

觀察存貨周轉(zhuǎn)天數(shù),芯片原廠比分銷商承受了更大的庫存波動(dòng)。從2022年下半年開始,15大芯片原廠的存貨....
發(fā)表于 2023-09-11 16:10? 796次閱讀
集微咨詢:汽車芯片增速正被高估,庫存問題恐導(dǎo)致供...

力積電黃崇仁:面對(duì)大陸廠商價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將主動(dòng)降低DD...

在黃崇仁參加國際半導(dǎo)體展的“控制汽車用半導(dǎo)體的新未來論壇”期間提到的力量——ai部署,明年高上市帶寬....
發(fā)表于 2023-09-11 11:39? 316次閱讀
力積電黃崇仁:面對(duì)大陸廠商價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將主動(dòng)降低DD...

NAND價(jià)格反彈?群聯(lián):有客戶接受30%至35%...

郭明錤補(bǔ)充預(yù)計(jì),dram領(lǐng)域,美光最快2023年q4 2024年- q1開始得益于三種英特爾的新平臺(tái)....
發(fā)表于 2023-09-08 11:01? 133次閱讀
NAND價(jià)格反彈?群聯(lián):有客戶接受30%至35%...

堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)分析

在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸....
發(fā)表于 2023-09-08 10:02? 142次閱讀
堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)分析

三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,...

有傳聞稱,三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內(nèi)存垂直....
發(fā)表于 2023-09-08 09:41? 252次閱讀
三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,...

將xspi圖像升級(jí)到NOR Flash時(shí)的疑問求解

我在將 xspi 圖像升級(jí)到 NOR Flash 時(shí)遇到了一個(gè)問題 (我知道,我應(yīng)該先從 sdcard 開始) 我遵循了說明但是由于一...
發(fā)表于 2023-05-16 07:43? 134次閱讀
將xspi圖像升級(jí)到NOR Flash時(shí)的疑問求解

使用調(diào)試器將程序加載到DRAM中,為什么配置工具會(huì)出現(xiàn)此錯(cuò)誤?

我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開發(fā)應(yīng)用程序。 應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)在 DRAM 中。我使用secure provi...
發(fā)表于 2023-04-28 07:02? 218次閱讀
使用調(diào)試器將程序加載到DRAM中,為什么配置工具會(huì)出現(xiàn)此錯(cuò)誤?

TZASC能否保護(hù)任何內(nèi)存映射外設(shè)?

我試圖了解 TZASC 如何在 i.MX6UL 上工作。 TZASC 能否保護(hù)任何內(nèi)存映射外設(shè)?只有他們中的一些?還是...
發(fā)表于 2023-04-19 08:22? 111次閱讀
TZASC能否保護(hù)任何內(nèi)存映射外設(shè)?

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的...
發(fā)表于 2023-04-07 16:41? 1128次閱讀
MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

如何使用codewarrior生成的ddr代碼?

我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存,一個(gè) ddr 控制器連接 8GB。三個(gè)問題: 1)在codewarrior ddr config上...
發(fā)表于 2023-04-03 07:24? 92次閱讀
如何使用codewarrior生成的ddr代碼?

能否分享一下IMXRT1064 hyper_ram的版本?

我只想在使用 IMXRT1064 的卡上實(shí)現(xiàn) Hyper Ram 使用。我的卡也有DRAM (Cypress - S27KL0642/S27KS0...
發(fā)表于 2023-04-03 06:38? 131次閱讀
能否分享一下IMXRT1064 hyper_ram的版本?

LGE-CTO使用OPTE的4G DRAM啟動(dòng)失敗的原因?

客戶是LGE-CTO 項(xiàng)目是IFE(機(jī)上娛樂) 硅:i.MX8MQ BSP:L5.4.70。 問題:客戶在“正在...
發(fā)表于 2023-03-29 07:51? 121次閱讀
LGE-CTO使用OPTE的4G DRAM啟動(dòng)失敗的原因?

LS1046A u-boot不穩(wěn)定是怎么回事?

嗨,我正在啟動(dòng)我們自己的董事會(huì)。 U-boot 不穩(wěn)定,每次都卡在不同的地方。 這是3個(gè)卡住的日志 1.卡在DRAM I...
發(fā)表于 2023-03-23 08:10? 68次閱讀
LS1046A u-boot不穩(wěn)定是怎么回事?

如何將新的LPDDR3 Micron RAM連接到我們的定制i.MX7ULP板?

我們開發(fā)了基于 i.MX7ULP EVK 板的定制板,并希望將我們的新 LPDDR3 RAM 添加到板上,我們看到在 DR...
發(fā)表于 2023-03-21 06:49? 72次閱讀
如何將新的LPDDR3 Micron RAM連接到我們的定制i.MX7ULP板?

LS1046 CW TAP:DDR驗(yàn)證錯(cuò)誤的原因?

LS1046 內(nèi)存條 8G 。1800噸 我用 ddrTfa_1.c 修改了項(xiàng)目 ATF 中的代碼 DDR 驗(yàn)證: ...
發(fā)表于 2023-03-21 06:33? 73次閱讀
LS1046 CW TAP:DDR驗(yàn)證錯(cuò)誤的原因?