SOI

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SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的硅，該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上的意思，原理就是在Silicon（硅）晶體管之間，加入絕緣體物質(zhì)，可使兩者之間的寄生電容比原來(lái)的少上一倍。

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soi技術(shù)

SOI先進(jìn)工藝發(fā)展如此迅速的原因在哪？

中國(guó)至少已浮出三家晶圓廠將采用SOI工藝先進(jìn)制程。根據(jù)MarketsandMarkets 最新預(yù)估，SOI市場(chǎng)在2022年市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)18.6億美元，2...

2018-07-11 標(biāo)簽：晶圓 soi 7664 0

如何借助高均勻性的 SOI 優(yōu)化襯底在 MEMS 中實(shí)現(xiàn)多種設(shè)計(jì)創(chuàng)新？

微機(jī)電系統(tǒng) (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潛力的 CMOS 傳感器與驅(qū)動(dòng)器電子器件集成解決...

2022-04-21 標(biāo)簽：MEMS傳感器微機(jī)電系統(tǒng)SOI 5674 0

什么是SOI襯底？SOI襯底的優(yōu)勢(shì)是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標(biāo)簽：集成電路寄生電容 SOI 4358 0

材料認(rèn)識(shí)：SOI硅片

前言我們常說(shuō)到的硅片，根據(jù)尺寸來(lái)分類，主要有2"（50mm）、3"（75mm）、4"（100mm）、6"（150...

2024-05-22 標(biāo)簽：材料硅片 SOI 3834 0

SOI工藝的廣泛應(yīng)用

絕緣體上硅（SOI）硅片由頂層硅膜、埋氧層和硅襯底三部分組成。

2022-09-13 標(biāo)簽：集成電路晶體管 SOI 3130 0

手機(jī)SOI開(kāi)關(guān)不可忽視的射頻開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)

目前手機(jī)中應(yīng)用最廣泛的是半導(dǎo)體器件開(kāi)關(guān)，如RF-SOI開(kāi)關(guān)，pHEMT開(kāi)關(guān)等。這些半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的功能與普通的電氣開(kāi)關(guān)相同，符號(hào)表示也一致。

2023-04-20 標(biāo)簽：射頻射頻信號(hào)SOI 2534 0

FinFET工藝之self-heating概念介紹

當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞，在平面工藝時(shí)都沒(méi)有接觸SHE（self-heating effect）這個(gè)概念。為什么到FinFET下開(kāi)始需要...

2023-12-07 標(biāo)簽：MOS SOI FinFET 2378 0

空腔-SOI襯底制造MEMS諧振器的工藝流程

常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過(guò)注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen,...

2022-10-12 標(biāo)簽：mems 諧振器硅片 2193 0

材料認(rèn)識(shí)-硅拋光片和外延片

前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片，本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋...

2024-06-12 標(biāo)簽：材料硅片 SOI 2127 0

微流控芯片熒光成像系統(tǒng)提高其信噪比

使用傳統(tǒng)的硅-玻璃體系能夠以各種方式制備微流控芯片，易于硅加工和表面修飾，并且有利于后續(xù)應(yīng)用，例如細(xì)胞接種及相關(guān)研究。

2022-11-14 標(biāo)簽：PMT 微流控芯片 SOI 1727 0

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硅-直接鍵合技術(shù)的應(yīng)用

標(biāo)簽：mems SOI 3051 0

基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用？

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急求一種GF的45nm SOI RF庫(kù)

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在實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？

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QPB9329雙通道開(kāi)關(guān)低噪聲放大器模塊的詳細(xì)資料和數(shù)據(jù)免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-01 標(biāo)簽：LNA TDD SOI 1033 0

Qorvo高性能SOI產(chǎn)品系列詳細(xì)資料數(shù)據(jù)免費(fèi)下載立即下載

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基于SOI高壓集成技術(shù)的電平位移電路及器件的設(shè)計(jì)立即下載

類別：控制電路 2017-11-06 標(biāo)簽：soi 774 0

移動(dòng)市場(chǎng)為何對(duì)RF-SOI情有獨(dú)鐘？立即下載

類別：通信網(wǎng)絡(luò) 2017-12-07 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)soc RF 771 0

SOI LIGBT的研究現(xiàn)狀與趨勢(shì)簡(jiǎn)述立即下載

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SOI材料的發(fā)展歷史、應(yīng)用現(xiàn)狀與發(fā)展新趨勢(shì)立即下載

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一種應(yīng)用于負(fù)電源的電平位移電路立即下載

類別：電子資料 2023-11-13 標(biāo)簽：電平 LDMOS 負(fù)電源 170 0

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SOI可調(diào)諧濾波器IC在相控陣的射頻鏈上的能力和影響

討論了新的絕緣體上硅（SOI）可調(diào)諧濾波器IC在相控陣的射頻鏈上的能力和影響。這些新器件在可調(diào)諧性、小尺寸和高線性度方面取得了進(jìn)步，有效應(yīng)對(duì)了干擾和更寬...

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絕緣襯底上的硅技術(shù) SOI發(fā)展與應(yīng)用分析

1947 年 AT&T 貝爾實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家 John Bardeen、Walter Brattain 以及 William Shockley 發(fā)明世界上...

2019-07-01 標(biāo)簽：集成電路絕緣 SOI 1.6萬(wàn) 0

SOI晶圓目前的發(fā)展現(xiàn)況與未來(lái)規(guī)劃

由現(xiàn)行SOI（Silicon on Insulator）晶圓與代工制造情形，可大致了解SOI變化趨勢(shì)及重點(diǎn)地區(qū)，并借此探討目前的發(fā)展現(xiàn)況與未來(lái)規(guī)劃。

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王曦帶團(tuán)隊(duì)制出國(guó)際一流的SOI晶圓片并榮獲上海市科技功臣獎(jiǎng)

在許多人眼中，中科院院士、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長(zhǎng)王曦既是一位具有全球視野的戰(zhàn)略科學(xué)家，也是一位開(kāi)拓創(chuàng)新而又務(wù)實(shí)的企業(yè)家。

2018-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SOI 晶圓片 7648 0

上海新昇科技300mm硅片月產(chǎn)能突破25萬(wàn) 12吋SOI襯底實(shí)現(xiàn)自研

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/章鷹）2021年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)景氣，中國(guó)集成電路迎來(lái)了良好的增長(zhǎng)。根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)顯示，1月到6月中國(guó)集成電路累計(jì)產(chǎn)量是1...

2021-10-09 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SOI 7629 0

主流半橋驅(qū)動(dòng)芯片如何發(fā)展：先增效再降本

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在直流電機(jī)中，單片機(jī)提供的電壓電流一般不足以驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)，只能作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)。所以要在它們之間加一個(gè)Motor Driver...

2021-10-30 標(biāo)簽：單片機(jī)MOSFET 晶體管 6998 0

全方面淺析晶體管以及回顧發(fā)展歷程！

FinFET和SOI結(jié)構(gòu)均具有更好的柵極控制和較低的閾值電壓，且泄漏較少。但是，當(dāng)我們移到較低的技術(shù)節(jié)點(diǎn)（例如10nm節(jié)點(diǎn)以下）時(shí)，泄漏問(wèn)題再次開(kāi)始。這

2021-04-05 標(biāo)簽：多晶硅晶體管 MOS 5963 0

4種高縱橫比MEMS制造技術(shù)詳解

深度反應(yīng)離子刻蝕或DRIE是一種相對(duì)較新的制造技術(shù)，已被MEMS社區(qū)廣泛采用。

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DB HiTek憑借RF SOI/HRS工藝拓展射頻前端業(yè)務(wù)

DB HiTek已宣布通過(guò)基于130/110納米技術(shù)的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來(lái)拓展射頻前端業(yè)務(wù)。射頻前端...

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ADI推出采用先進(jìn)絕緣硅片技術(shù)的44GHz單刀雙擲開(kāi)關(guān)產(chǎn)品

ADI 推出采用先進(jìn)絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)的 44 GHz 單刀雙擲 (SPDT) 開(kāi)關(guān)產(chǎn)品 ADRF5024 和 ADRF5025。

2018-06-13 標(biāo)簽：ADI SOI 4105 0

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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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