SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的硅，該技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結構在絕緣體之上的意思，原理就是在Silicon（硅）晶體管之間，加入絕緣體物質，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。