應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm?Bulk CMOS工藝
2022-04-21 17:37:24
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在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223744 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，F(xiàn)D-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 解決方案不斷發(fā)展的驅(qū)動力。解決方案今天，手機的功率放大器主要使用砷化鎵（GaAs）技術(shù)。幾年前，OEM將射頻開關(guān)等制造工藝從GaAs和藍寶石（SoS）遷移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的變體
2017-07-13 08:50:15
20-35%；2) 具有更低的功耗。由于減少了寄生電容，降低了漏電，SOI 器件功耗可減小35-70%；3) 消除了閂鎖效應(yīng)；4) 抑制了襯底的脈沖電流干擾，減少了軟錯誤的發(fā)生；5) 與現(xiàn)有硅工藝兼容，可減少
2011-07-06 14:09:25
隨著SMT新技術(shù)、新工藝、新材料、新器件的發(fā)展，針對這種應(yīng)用趨勢國外先進研究機構(gòu)在開展細致分析、檢測方面做了許多工作，特別是投入巨額資金，組建了相應(yīng)的分析實驗室，促進了新技術(shù)在SMT領(lǐng)域中發(fā)展
2018-08-23 06:45:03
摘 要：先進封裝技術(shù)不斷發(fā)展變化以適應(yīng)各種半導(dǎo)體新工藝和材料的要求和挑戰(zhàn)。在半導(dǎo)體封裝外部形式變遷的基礎(chǔ)上，著重闡述了半導(dǎo)體后端工序的關(guān)鍵一封裝內(nèi)部連接方式的發(fā)展趨勢。分析了半導(dǎo)體前端制造工藝的發(fā)展
2018-11-23 17:03:35
因需要差分輸出和較高的放大倍數(shù)，采用AD8421和ADA4898進行兩級放大，并采用AD8421手冊推薦方法，使用AD4898-1將AD8421單端輸出轉(zhuǎn)為差分輸出，但實驗發(fā)現(xiàn)，輸出的負端信號質(zhì)量較好，而正端信號噪聲較大，不知原因在哪
2023-11-24 06:31:57
AD9833模塊電路，均存在相同問題，不知道這個原因在哪里？謝謝！是軟件還是硬件原因？軟件設(shè)置的話，應(yīng)該在哪里更改呢？
2023-12-08 07:40:25
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，F(xiàn)D-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
用于MXHV9910B離線，高亮度LED驅(qū)動器的PWM調(diào)光應(yīng)用電路的典型降壓驅(qū)動器。 MXHV9910是一款低成本，高亮度（HB）LED驅(qū)動器，采用IC Division的SOI工藝高壓BCDMOS
2019-10-15 08:37:25
解決方案不斷發(fā)展的驅(qū)動力。解決方案今天，手機的功率放大器主要使用砷化鎵（GaAs）技術(shù)。幾年前，OEM將射頻開關(guān)等制造工藝從GaAs和藍寶石（SoS）遷移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的變體
2017-07-13 09:14:06
SMT貼片工藝(雙面) 第一章緒 論1.1簡介隨著我國電子工藝水平的不斷提高，我國已成為世界電子產(chǎn)業(yè)的加工廠。表面貼裝技術(shù)(SMT)是電子先進制造技術(shù)的重要組成部分。SMT的迅速發(fā)展和普及，對于推動
2012-08-11 09:53:05
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學機械拋光工藝開發(fā)編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
串聯(lián)諧振(別稱串聯(lián)諧振耐壓裝置)主要應(yīng)用于各個電力，冶金，石油等高能高壓的一些工業(yè)公司。它的技術(shù)含量要求很高，一般沒有接觸過這些方面的人根本就不懂什么是串聯(lián)諧振，但這并沒有阻礙串聯(lián)諧振在發(fā)展的過程中
2019-07-06 10:00:20
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
基本問題1. 什么是 ROSROS 是一個操作系統(tǒng)ROS 是一種跨平臺模塊化軟件通訊機制ROS 是一系列開源工具ROS 是一系列最先進的算法2. ROS 產(chǎn)生、發(fā)展和壯大的原因和意義最初人們是想設(shè)計制造一個復(fù)雜的機器人，這個機器人能夠類似于人一樣能夠感知，自我導(dǎo)航，能夠自我控制去做一些復(fù)雜的工作
2021-12-17 06:08:09
，已成為包括臺積電在內(nèi)的代工廠攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)，在這期間，與FinFET技術(shù)齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
的信息互動，簡單方便、安全高效，能讓人們更好的安排時間，方便人們生活。 智能家居“智”在哪里？ 智能家居擁有智慧，能夠讀懂人心，主動服務(wù)于人，主要得益于網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展，能夠?qū)崿F(xiàn)遠程控制，無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)更是
2017-12-02 09:54:19
、重粒子、中子等對SOI器件產(chǎn)生的單粒子效應(yīng)及加固技術(shù)方面。近年來，國際上在不同類型、不同工藝的SOI器件，特別是大規(guī)模、超大規(guī)模CMOS/SOI集成電路的抗輻射加固技術(shù)的研究取得了大量實用化的成果，抗
2011-07-06 14:11:29
，工作正常，然后我用可調(diào)電源慢慢調(diào)高電壓，大概是到14，5V的時候鉭電容就爆了。不敢再試了。想知道爆炸的原因。另外建議大家，感覺鉭電容貼在pcb上就是顆定時***，慎用鉭電容。
2019-09-25 02:25:54
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體
工藝決定的，當然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點會改進
工藝的各個方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是尺寸最小的最新
工藝。現(xiàn)在，情況已不再
如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SOI
2012-01-12 10:47:00
`?隨著摩爾定律，半導(dǎo)體工藝從1微米(um)、0.5微米(um)、0.13微米(um)不斷微縮到奈米(nm)等級，如此先進工藝的電路修補，考驗FIB實驗室的技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用能力。特別當工藝來到16奈米
2020-05-14 16:26:18
廣播的生存環(huán)境正在發(fā)生巨大變化，主要原因在于：信息、數(shù)字、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展及不斷融合，對人們的生活、工作及信息的獲取產(chǎn)生了深刻的影響，進而影響到廣播業(yè)的人文走向。 數(shù)字廣播簡稱（DAB），是用數(shù)碼方式傳送音頻信號和...
2021-04-20 06:49:16
價格上都是一個全新的挑戰(zhàn)?！ ‰姳黼娙葜苑Q之為電表電容的主要原因是其針對載波能量傳輸?shù)染唧w作用，不僅在技術(shù)上有了特殊的支持，同時也在生產(chǎn)工藝上與普通電容有所區(qū)別，這也正是為什么電表電容的價格都比普通
2014-01-11 16:40:38
半導(dǎo)體工藝和RF封裝技術(shù)的不斷創(chuàng)新完全改變了工程師設(shè)計RF、微波和毫米波應(yīng)用的方式。RF設(shè)計人員需要比以往任何時候都更具體、更先進的技術(shù)和設(shè)計支持。設(shè)計技術(shù)持續(xù)發(fā)展，RF和微波器件的性質(zhì)在不久的未來
2019-07-31 06:34:51
】：隨著半導(dǎo)體工藝向深亞微米、超深亞微米方向迅速發(fā)展,集成電路的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)變得更加嚴重。靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)是空間應(yīng)用中廣泛采用的存儲器件。SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)是主要的空間輻射效應(yīng)之一[1-2
2010-04-22 11:50:00
特斯拉電機做的小的原因主要是【1】電機轉(zhuǎn)速高并配合單級減速箱大家知道電機 功率= 轉(zhuǎn)速*轉(zhuǎn)矩。電機的體積和功率沒有太直接的關(guān)系，而電機的扭矩和電機體積是密切相關(guān)的。這樣矛盾就變成【功率不變的情況下
2019-10-17 08:00:00
了SOI CMOS加固工藝和128kb SRAM電路設(shè)計等關(guān)鍵技術(shù),研制成功國產(chǎn)128kb SOI SRAM芯片。對電路樣品的抗單粒子摸底實驗表明,其抗單粒子翻轉(zhuǎn)線性傳輸能量閾值大于61.8MeV/(mg
2010-04-22 11:45:13
大家好，有沒有人看到過，半導(dǎo)體器件按照工藝進行分類的資料，比如像CMOS/SOI CMOS/SOS 體硅CMOS NMOS TTL等這樣的分類。先謝謝了
2012-07-02 10:09:49
九陽電磁爐故障現(xiàn)象：保險管和IGBT損壞并更換功率管8550和8050管。上電鍵盤正常但不加熱也沒有故障代碼且不敲鍋，大約一分鐘停機。問：原因在哪里，電路板型號YJCP-21SD14-A
2019-10-17 10:42:39
SOI 材料是 SOI 技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，SOI 技術(shù)的 發(fā)展有賴于 SOI 材料的不斷進步。缺乏低成本、 高質(zhì)量的 SOI 材料一直是制約 SOI 技術(shù)進入大規(guī) 模工業(yè)生產(chǎn)的首要因素。
2020-03-19 09:01:27
美等發(fā)達國家的先進技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-11 10:39:17
美等發(fā)達國家的先進技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-12 10:23:26
美等發(fā)達國家的先進技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-13 10:20:08
，雖說是仿真機，但如果不是因為蘋果手機如此的受歡迎相信各位也不會去買的，當大家都還沉迷在蘋果4S的渴望下時，預(yù)期與現(xiàn)實往往就是這么的讓人興奮，今年8月份隆重推出的蘋果5再一次讓大家的心跳加速，再一次引領(lǐng)
2013-01-16 10:18:09
最近在用盜版JLINKV8，固件總是損壞，解決方法網(wǎng)上一大堆，但是問題的原因在哪，求各位幫忙分析下，不勝感激
2018-09-13 09:28:21
TCP建立階段的三次握手,在最后一步失敗了成功的應(yīng)該是這樣的網(wǎng)上查了下,說是EMAC使能就好了,可是我找不到在哪里啊.......哪位大神指導(dǎo)下,不勝感激
2019-11-07 20:34:49
請問技術(shù)創(chuàng)新是如何推動設(shè)計工藝發(fā)展的？
2021-04-21 06:46:39
本帖最后由 我要像夢一樣自由 于 2017-3-4 11:42 編輯
問題出在哪里了？
2017-03-04 11:37:54
力泰科技資訊：我國現(xiàn)已成為世界汽車最大消費市場和生產(chǎn)國，隨著汽車工業(yè)的快速發(fā)展，需要提高產(chǎn)能與質(zhì)量，需要先進、高效、柔性的自動化生產(chǎn)裝備。隨著科技的飛速發(fā)展，產(chǎn)品的多方位發(fā)展越發(fā)迅速，生存周期也
2021-09-18 11:31:24
SOI Circui
2009-07-21 11:08:47
30 SOI電路的設(shè)計理念
2009-07-21 11:09:595 國際SOI 市場95%的應(yīng)用集中在8 英寸和12 英寸大尺寸薄膜SOI，其中絕大多數(shù)用戶為尖端微電子技術(shù)的引導(dǎo)者，如IBM、AMD 等。目前供應(yīng)商為法國Soitec、日本信越（SEH）、日本SUMCO，其
2009-12-14 10:29:2434 論文綜述了自 1990 年以來迅速發(fā)展的先進封裝技術(shù),包括球柵陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、圓片級封裝(WLP)、三維封裝(3D)和系統(tǒng)封裝（SiP）等項新技術(shù)；同時,敘述了我國封
2009-12-14 11:14:4928 SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補問題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:1610 SOI LIGBT的研究現(xiàn)狀與趨勢簡述
從IGBT市場需求和產(chǎn)業(yè)需求出發(fā)，在對SOI LIGBT研究發(fā)展歷程比較深入廣泛的調(diào)查研究基礎(chǔ)上，簡述了在SOI LIGBT方面的國內(nèi)外研究現(xiàn)
2010-02-22 14:30:4157 DRT MC SOI LIGBT器件新結(jié)構(gòu)的可實現(xiàn)性初探
本文在介紹了減薄漂移區(qū)多溝道SOI LIGBT結(jié)構(gòu)雛形之后，首先初步探討了這種器件的先進VLSI工藝可實現(xiàn)性；然后比較深入
2010-02-22 15:15:3919 PCB激光打標機不宜在哪些場合使用及其操作注意事項隨著激光科技的快速發(fā)展激光打標機也獲得了快速的發(fā)展。激光設(shè)備標刻技術(shù)在各行各業(yè)深受追捧,隨著市場需求的不斷擴大,市場競爭也增強,各行業(yè)
2023-08-18 10:00:39
隨著芯片微縮，開發(fā)先進工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進工藝技術(shù)節(jié)點的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 2017年4月18日，中國上海 – 楷登電子（美國Cadence公司，NASDAQ： CDNS）今日正式發(fā)布針對7nm工藝的全新Virtuoso? 先進工藝節(jié)點平臺。通過與采用7nm FinFET
2017-04-18 11:09:491165 VR從開始進入人們視線中到現(xiàn)在已經(jīng)有數(shù)年的時間了，然而直至今日，VR的發(fā)展仍然非常緩慢，甚至說依然滯留在非常初級的狀態(tài)。在我們印象中，尤其是現(xiàn)在這個科技產(chǎn)品爆發(fā)式發(fā)展的年代，沒有什么產(chǎn)品的發(fā)展速度如此的慢。那么是什么原因造成了VR發(fā)展如此之慢？
2017-05-08 18:17:361976 高通驍龍835可謂是一款今年大火的處理器搭載的小米6、三星s8等手機基本都著實火了一把，還有一款一加5可謂是真的從國外一直火到了國內(nèi)！原因在于一加5手機上的小細節(jié)的處理。
2017-07-20 11:39:302464 在工藝節(jié)點進展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，F(xiàn)D-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 RF器件制造商及其代工合作伙伴繼續(xù)推出基于RF SOI工藝技術(shù)的傳統(tǒng)RF開關(guān)芯片和調(diào)諧器，用于當今的4G無線網(wǎng)絡(luò)。最近，GlobalFoundries為未來的5G網(wǎng)絡(luò)推出了45nm RF SOI工藝。RF SOI是RF版本的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)，利用內(nèi)置隔離的高電阻率襯底。
2018-07-03 18:07:001191 許多代工廠都在擴大其200mm RF SOI晶圓廠產(chǎn)能，以滿足急劇增長的需求。GlobalFoundries，TowerJazz，臺積電和聯(lián)電正在擴大300mm RF SOI晶圓產(chǎn)能，以迎接5G，爭搶第一波RF業(yè)務(wù)。
2018-05-29 06:08:006721 
FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603 在本屆RF-SOI論壇上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟評選出“SOI產(chǎn)業(yè)推廣杰出貢獻獎”，Qorvo技術(shù)發(fā)展總監(jiān)Julio Costa博士榮獲本年度的獎項。該獎項迄今共頒發(fā)了三次，只給對SOI 技術(shù)和產(chǎn)品有特殊
2018-09-27 11:42:124046 關(guān)鍵詞：SOI , 8SW , FEM , 格芯 基于成熟制造工藝的RF SOI技術(shù)達到新的里程碑，芯片出貨量超過400億 格芯今日在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上宣布，針對移動應(yīng)用優(yōu)化的8SW
2018-10-04 00:12:01260 信用卡不能夠正常使用無法進行支付。這種情況是如何導(dǎo)致的呢?今天微辰金服就為大家介紹一下信用卡被限制使用的原因在哪。 1、信用卡交易額超過設(shè)定限額：現(xiàn)在大部分銀行信用卡都可以設(shè)定交易額度限制
2019-03-11 15:12:51171 3月12日，硅基半導(dǎo)體材料企業(yè)新傲科技舉辦“SOI 30K生產(chǎn)線項目首臺工藝設(shè)備搬入儀式”，標志著其SOI 30K建設(shè)進入沖刺階段。
2019-03-14 16:00:573746 由現(xiàn)行SOI（Silicon on Insulator）晶圓與代工制造情形，可大致了解SOI變化趨勢及重點地區(qū)，并借此探討目前的發(fā)展現(xiàn)況與未來規(guī)劃。
2019-06-19 16:35:279307 針對射頻應(yīng)用，華虹宏力可提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括 RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等技術(shù)。多家芯片廠商已在華虹宏力的RF SOI平臺量產(chǎn)。其中，0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計套件（PDK）專為無線射頻前端優(yōu)化，頗受市場好評。
2019-10-18 08:45:364937 通過研發(fā)團隊的不斷努力，同時與客戶保持緊密溝通從而清晰地理解設(shè)計需求，我們將工藝技術(shù)持續(xù)優(yōu)化提升。華虹宏力第三代射頻SOI工藝平臺預(yù)計將在今年第四季度推出。隨著模型的不斷成熟，隨著PDK后端抽取的更精準優(yōu)化，華虹宏力將為客戶提供更加完善的射頻解決方案，幫助客戶搶占市場先機，讓我們拭目以待。
2019-10-18 16:36:462890 華虹半導(dǎo)體的新方案是基于Cadence IC5141 EDA軟件的工藝設(shè)計工具包(PDK)，包括PSP SOI和BSIM SOI的射頻模型仿真平臺。此0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計工具(PDK)可以
2019-10-21 11:19:022688 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 據(jù)外媒報道，加州大學圣地亞哥分校（UCSD）領(lǐng)導(dǎo)的研究小組發(fā)現(xiàn)，鋰金屬電池失效的根本原因在于：在電池放電過程中，少量的金屬鋰沉積物在從負極表面脫落并被困住，變成無法再使用的“死”或非活性鋰。
2019-09-10 17:37:343653 作為中國大陸技術(shù)最先進、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè)，中芯國際的制程工藝發(fā)展一直備受關(guān)注。歷經(jīng)20年，其制程工藝從0.18微米技術(shù)節(jié)點發(fā)展至如今的N+1工藝。
2020-10-20 16:50:105947 因為摩爾定律的聲名在外，加上過去這些年包括三星、臺積電、Intel和英偉達等公司的推動，科技界甚至終端消費者都對28nm、10nm、7nm和5nm等先進工藝制程有了或多或少的了解。因為這些工藝推動的產(chǎn)品是科技設(shè)備“大腦”的重要構(gòu)成，這些先進工藝受到行業(yè)的一致關(guān)注是無可厚非。
2020-11-12 15:54:347375 和電路板技術(shù)，即集成芯片；半導(dǎo)體主要芯片已不再掌握在少數(shù)廠商；以及中芯國際先進工藝和先進封裝都會發(fā)展、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需建立完整的生態(tài)環(huán)境才能在全球市場競爭中取勝等。 蔣尚義指出，先進工藝研發(fā)是基石，因應(yīng)摩爾定律
2021-01-19 10:25:022859 激光打標機標刻深淺不一的原因是什么你了解嗎？激光打標機標刻深淺不一的原因在哪里呢？ 1、鏡頭有污漬或者有劃痕損壞 解決方法：如果是有污漬的話可以使用棉簽和酒精對鏡頭、擴束鏡、聚焦鏡進行擦洗，擦干
2021-03-10 15:08:115147 絕緣體上硅（SOI）硅片由頂層硅膜、埋氧層和硅襯底三部分組成。
2022-09-13 11:12:552315 射頻 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工藝技術(shù)制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結(jié)構(gòu)。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術(shù)節(jié)點的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優(yōu)點。
2022-09-27 09:09:083349 伴隨著市場對高精度微端子產(chǎn)品需求的不斷增長，沖孔工藝日益受到連接器廠家的關(guān)注。其主要原因在于沖壓工藝特征與連接器的生產(chǎn)特征十分吻合。其主要原因在于沖壓工藝特征與連接器的生產(chǎn)特征十分吻合。(7)沖壓件具有良好的互換性。
2021-11-10 11:43:22788 
來源：ACT半導(dǎo)體芯科技 2023年8月31日 “先進封裝技術(shù)之設(shè)計·材料·工藝新發(fā)展” 在線主題會議已圓滿結(jié)束！ 會議當天，演講嘉賓們的精彩分享 引得在線聽眾踴躍提問 由于時間原因 很多問題都嘉賓
2023-09-08 15:40:38210 
pcb釘頭產(chǎn)生的原因，原來如此
2023-10-08 09:51:37663 隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，先進封裝技術(shù)正在迅速發(fā)展，封裝設(shè)備市場也將迎來新的發(fā)展機遇。作為先進封裝設(shè)備中的關(guān)鍵設(shè)備之一，劃片機的發(fā)展也備受關(guān)注。劃片機是用于切割晶圓或芯片的設(shè)備，其精度和穩(wěn)定性
2023-10-18 17:03:28496 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，F(xiàn)D-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
，在AI時代下邊緣端設(shè)備會出現(xiàn)高速發(fā)展，而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發(fā)表對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的預(yù)測和看法
2023-11-21 17:39:11805 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據(jù)悉，F(xiàn)D-SOI 是一種先進的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）在半導(dǎo)體行業(yè)，制程工藝封裝工藝對芯片性能的影響是不言而喻的。SOI，Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅，即硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上
2023-10-29 06:28:002221 
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