2022 年 4 月 21日，中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)新的合作協(xié)議，四家公司計(jì)劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:48
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意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241298 
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體宣布，意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲全球兩大知名電子技術(shù)專業(yè)媒體電子工程專輯（EEtimes）和電子技術(shù)設(shè)計(jì)（EDN）的2013年度電子成就獎（ACE）能源技術(shù)獎。
2013-05-08 11:34:45848 意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。FinFET會是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)最佳選項(xiàng)？
2014-04-01 09:07:473015 
格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求?！?2FDX?”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:181462 格羅方德半導(dǎo)體自完成對IBM微電子業(yè)務(wù)的收購，是其獲得了一系列差異化技術(shù)，可用于增強(qiáng)其公司在軍用、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、大數(shù)據(jù)和高性能計(jì)算等主要增長型市場中的產(chǎn)品組合。
2015-07-16 09:46:291007 近日Global Foundries(以下簡稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破，成功量產(chǎn)，這似乎為半導(dǎo)體代工廠GF近數(shù)年的頹勢帶來一股希望，不過在筆者看來，GF未必能就此扭轉(zhuǎn)命運(yùn)，不過是GF與那些半導(dǎo)體廠商豪門恩怨的延續(xù)。
2015-07-25 22:16:206622 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033179 
三星半導(dǎo)體（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高層透露了該公司晶圓代工廠技術(shù)藍(lán)圖細(xì)節(jié)，包括將擴(kuò)展其FD-SOI產(chǎn)能，以及提供現(xiàn)有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 芯片制造的重點(diǎn)永遠(yuǎn)是成本。從28nm HKMG工藝轉(zhuǎn)換到14nm FinFET工藝，將會增加50%的成本，這個代價值得嗎？雖然FinFET能實(shí)現(xiàn)令人印象深刻的性能數(shù)據(jù)。
2016-05-11 09:33:191337 
Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險。
2016-09-14 11:39:021835 
鰭式晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:22845 FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 
5G時代將對半導(dǎo)體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 萊迪思半導(dǎo)體位居全球FPGA廠商第三，雖然與前兩大公司賽靈思和英特爾（收購Altera）的營收有所差距，但作為以低功耗、小型化著稱的FPGA廠商在消費(fèi)類電子、工業(yè)等領(lǐng)域取得了成功。近年，其策略發(fā)生了重要的變化，推出了轉(zhuǎn)型之作。
2019-12-16 11:24:331893 1. 推進(jìn)10 納米FD-SOI 先進(jìn)制程研發(fā)， CEA-Leti 工藝引導(dǎo)線將于9 月開工 ? 據(jù)外媒報道，歐洲三大微電子研究機(jī)構(gòu)之一的法國CEA-Leti正計(jì)劃新建一條工藝引導(dǎo)線，基于全耗盡
2023-07-20 10:54:19428 ，隨著RF開關(guān)變得越來越復(fù)雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應(yīng)用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠?qū)崿F(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 08:50:15
成本。與FinFET技術(shù)相比，FD-SOI的優(yōu)勢更為明顯。FD-SOI向后兼容傳統(tǒng)的成熟的基板CMOS工藝。因此，工程師開發(fā)下一代產(chǎn)品時可沿用現(xiàn)存開發(fā)工具和設(shè)計(jì)方法，而且將現(xiàn)有300mm晶片制造廠改造成FD-SOI晶片生產(chǎn)線十分容易，因?yàn)榇蠖鄶?shù)設(shè)備可以重新再用。
2016-04-15 19:59:26
不同廠商有不同的應(yīng)用場景，而適合構(gòu)架和解決方案也各不相同，如云側(cè)和端側(cè)處理構(gòu)架的設(shè)計(jì)導(dǎo)向差別較大。對于半導(dǎo)體領(lǐng)域，只要市場規(guī)模足夠大，有足夠多的客戶買單，那么就有足夠的動力去做相應(yīng)的硬件定制。下面對以Nvidia和Intel為代表的半導(dǎo)體廠商方案進(jìn)行論述。
2019-08-09 07:40:59
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場和功能的擴(kuò)展，消費(fèi)者對家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競技者
2019-06-21 07:45:46
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì)，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
，隨著RF開關(guān)變得越來越復(fù)雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應(yīng)用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠?qū)崿F(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 09:14:06
一個比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
MOSFET演變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">FD-SOI、Bulk FinFET和SOI FinFET。1.1 鋁柵MOS管MOS誕生之初，柵極材料采用金屬導(dǎo)體材料鋁，因?yàn)殇X具有非常低的電阻，它不會與氧化物發(fā)生反應(yīng)，并且它的穩(wěn)定性非常好
2018-09-06 20:50:07
和模型 產(chǎn)品應(yīng)用 先進(jìn)半導(dǎo)體工藝開發(fā) PDK/SPICE模型庫開發(fā) SPICE模型驗(yàn)證和定制 技術(shù)指標(biāo) 支持器件類型：MOSFET， SOI， FinFET， BJT/HBT， TFT
2020-07-01 09:36:55
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年，三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
如何開始著手學(xué)習(xí)或者說有哪些相關(guān)的書籍
2017-08-01 16:30:30
變化。SiGeBiCMOS工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新技術(shù)兼容，包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。不過硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41
問個菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
體硅MOSFET、FinFET、FD-SOI、LDMOS、BJT、各種電阻（阻值范圍在10到10M歐姆之間的電阻和壓控電阻）、二極管（如光電、激光和齊納二極管）、傳感器以及封裝集成電路等?！ ‘a(chǎn)品
2020-07-01 10:08:25
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
著名半導(dǎo)體廠商
2018-03-13 11:14:20
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793 意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎（ACE）能源技術(shù)獎。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備可更快散熱，并實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913 28納米以后邏輯工藝開始分岔：立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺積電的主推成為主流，14/16納米都已量產(chǎn)，10納米工藝也有可能在2017年量產(chǎn)；體硅工藝停止在28納米，想增加集成度而又對FinFET開發(fā)成本望而卻步的半導(dǎo)體公司另辟蹊徑。
2016-11-04 19:12:11846 
據(jù)報道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00705 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012841 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425128 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來的先進(jìn)工藝之爭，專注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝，雖然他們還提到了未來某天有可能殺回來，但是這對市場已經(jīng)沒什么影響了。
2018-09-04 11:08:362165 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 值得注意的是，去年6月，格芯開始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項(xiàng)目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:213700 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
但是隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智能駕駛這樣的新應(yīng)用對半導(dǎo)體提出了全新的挑戰(zhàn)，而FinFET工藝也遇到了瓶頸，尤其是FinFET的制造、研發(fā)成本越來越高，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是一般玩家能夠承受的起的了。
2019-09-05 10:40:383612 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺灣《電子時報》（DigiTimes）1 月 13 日報道稱，中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺積電，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38739 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 ，長期的產(chǎn)能緊缺讓半導(dǎo)體廠商更加積極擴(kuò)產(chǎn)，但新增的有效產(chǎn)能卻并不多，而芯片需求卻在短時間暴增。業(yè)內(nèi)人士指出，目前，包括硅、砷化鎵、碳化硅在內(nèi)的所有工藝基本都處于吃緊的狀態(tài)。 相對于玩家眾多的硅和碳化硅領(lǐng)域，雖然砷化鎵代工
2021-01-26 15:12:042379 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 :? 片上高頻電磁仿真與PDK建模 IRIS——Virtuoso無縫銜接的電磁仿真工具：該工具在三星多項(xiàng)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上獲得認(rèn)證，包括三星8nm/14nm LPP FinFET 工藝及28FDS FD-SOI
2021-11-17 18:00:165893 FD-SOI技術(shù)論壇”和“2023 國際RF-SOI技術(shù)論壇”，兩天的活動分別吸引了五百位左右的國外專家和國內(nèi)的領(lǐng)先半導(dǎo)體廠商專家領(lǐng)袖，聚集在上海黃埔江邊香格里拉酒店，共商針對物聯(lián)網(wǎng)、5G射頻、汽車等領(lǐng)域的半導(dǎo)體先進(jìn)工藝技術(shù)的發(fā)展，活
2023-10-30 15:45:151452 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
，在AI時代下邊緣端設(shè)備會出現(xiàn)高速發(fā)展，而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發(fā)表對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的預(yù)測和看法
2023-11-21 17:39:11805 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369
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