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高級工藝未來分化,FD-SOI受益

YCqV_FPGA_EETre ? 來源:YXQ ? 2019-08-06 16:25 ? 次閱讀
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長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones這次再度發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。

從成本看,22nm FD-SOI的成本將和28nm HKMG成本相近,而工藝如果繼續(xù)演進(jìn),例如到12nm節(jié)點,F(xiàn)D-SOI的成本將顯著低于FinFET,12nm FD-SOI的成本比16nm FinFET低22.4%,比10nm FinFET低23.4%,比7nm FinFET低27%!這是因為12nm FD-SOI的掩膜數(shù)量要少一些,抵消了其襯底成本高過FinFET的部分。

不過他認(rèn)為FD-SOI工藝只會發(fā)展到12nm,最大可能是到10nm節(jié)點,“因為再往下發(fā)展沒有必要,而且會遇到很大挑戰(zhàn)?!痹谒宜较陆涣鲿r他這樣解釋,“但這不會影響FD-SOI的信心,因為FD-SOI客戶看中的是集成度,低功耗和低成本,對于12nm以下高級工藝,有FinFET?!庇纱丝?,未來工藝技術(shù)發(fā)展會出現(xiàn)重大的分化,F(xiàn)inFET引領(lǐng)更高級工藝發(fā)展,而FD-SOI則發(fā)揮在低功耗、射頻集成的優(yōu)勢。這與GF的判讀一致,GF也認(rèn)為12nm以上工藝市場今年依然有560億美元空間,到2020年還會增長到650億美元!

Jones預(yù)估隨著視頻圖像走熱,圖像傳感器市場會有很大發(fā)展,而ISP將是拉動FD-SOI增長的關(guān)鍵點,這里的ISP是靠近圖像傳感器需要進(jìn)行各種模數(shù)處理,圖像處理的器件,因為FD-SOI比16nmFinFET和28nm體硅工藝擁有更好的ADC模擬特性、更低噪聲、更低功耗以及低成本,預(yù)計2027年,ISP出貨量將達(dá)196億顆。

不過對于這個觀點也有業(yè)者表示,只要FD-SOI把目前28nm體硅工藝的單搶來就是非常大的增長了,也許這樣會更容易些?因為Jones預(yù)估體硅工藝只會走到22nm節(jié)點,28nm體硅工藝今年有望獲得329億美元收入,如果FD-SOI能順利從這個節(jié)點搶單,則會坐收幾百億美元收入,個人覺得很靠譜,所以建議GF和三星就去搶28nm體硅單就好!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:Xilinx CEO 將出席深圳全球 CEO 峰會

文章出處:【微信號:FPGA-EETrend,微信公眾號:FPGA開發(fā)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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