上硅)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體器件和 FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有戰(zhàn)略價(jià)值。FD-SOI 能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員和客戶系統(tǒng)帶來巨大的好處,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如,通信連接和安全保護(hù)。對于汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)應(yīng)用而言,這些優(yōu)勢是FD-SOI技術(shù)的一個(gè)重要特質(zhì)。 ? CEA主席
2022-04-21 17:18:483472 意法半導(dǎo)體宣布,其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz,在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241298 意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲器,有望突破更高性能,以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223744 近日Global Foundries(以下簡稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破,成功量產(chǎn),這似乎為半導(dǎo)體代工廠GF近數(shù)年的頹勢帶來一股希望,不過在筆者看來,GF未必能就此扭轉(zhuǎn)命運(yùn),不過是GF與那些半導(dǎo)體廠商豪門恩怨的延續(xù)。
2015-07-25 22:16:206622 耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說,業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng),象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033179 Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時(shí)表示,該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展,首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾(Intel)、三星、臺積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn),FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%,此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右,并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:021835 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用將帶動(dòng)全耗盡型(Fully Detleted)制程技術(shù)加速成長。為滿足低功耗、低成本、高效能之設(shè)計(jì)需求,格羅方德(GlobalFoundries)除持續(xù)發(fā)展14納米及7納米
2016-11-17 14:23:22845 5G時(shí)代將對半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時(shí),FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯,人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗盡平面晶體管)工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)開發(fā)10納米低功耗工藝技術(shù)模塊,該技術(shù)未來將進(jìn)一步向7納米拓展,這也是浸沒式DUV光刻技術(shù)的極限。該機(jī)構(gòu)透露,FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設(shè)計(jì)兼容,并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項(xiàng)目由法國政府獨(dú)立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19428 獨(dú)有的超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程,下設(shè)三個(gè)產(chǎn)品線均基于意法半導(dǎo)體的超低功耗技術(shù)平臺,共計(jì)26款產(chǎn)品,涵蓋多種高性能和多功能應(yīng)用。圖1,STM8L152結(jié)構(gòu)框圖
2019-07-24 08:03:04
個(gè)掩模,而某些基板CMOS則需要多達(dá)50個(gè)掩模。FD-SOI縮減制造工序15%,縮短交貨期10%,這兩大優(yōu)點(diǎn)可大幅降低成本。此外,采用FD-SOI工藝制造的芯片在功耗上可以大幅降低,還可以縮小面積節(jié)約
2016-04-15 19:59:26
的消費(fèi)電子和工業(yè)IoT應(yīng)用,如移動(dòng)設(shè)備、智能家居、智慧城市、智能工廠和智能汽車產(chǎn)品 ;2. 經(jīng)過優(yōu)化具有ASIC超低功耗(小于1mW-1W)、尺寸小、批量價(jià)格低(約1-10美元)的優(yōu)勢,兼?zhèn)銯PGA
2018-05-23 15:31:04
的IoT應(yīng)用
超低功耗MCU也可以應(yīng)用于面向農(nóng)業(yè)的IoT應(yīng)用中,例如用于測量土地濕度、土壤營養(yǎng)及作物生長情況的設(shè)備。超低功耗MCU技術(shù)可以為這些設(shè)備提高可靠性和穩(wěn)定性,保證設(shè)備長期高頻反饋且不
2023-06-13 18:18:17
運(yùn)轉(zhuǎn)功耗現(xiàn)代 [超低功耗MCU](https://www.runjetic.com/) 已整合相當(dāng)多的的模仿外圍,不能單純考慮數(shù)字電路的動(dòng)態(tài)功耗。MCU芯片 運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的總功耗由模仿外圍功耗和數(shù)字外圍
2023-02-17 18:04:39
循序漸進(jìn)式的功耗優(yōu)化已經(jīng)不再是超低功耗mcu的游戲規(guī)則,而是“突飛猛進(jìn)”模式,與功耗相關(guān)的很多指標(biāo)都不斷刷新記錄。我們在選擇合適的超低功耗mcu時(shí)要掌握必要的技巧,在應(yīng)用時(shí)還需要一些設(shè)計(jì)方向與思路才能夠更好的應(yīng)用。
2019-07-29 07:27:12
行業(yè)、媒體行業(yè)等領(lǐng)域。超低功耗Wi-Fi芯片的特點(diǎn)和背后的黑科技DA16200 SoC是專為電池供電的IoT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的超低功耗Wi-Fi芯片,在很多應(yīng)用中,即使是始終保持聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備也能實(shí)現(xiàn)長達(dá)5年
2020-05-24 07:37:24
目前,工程師的任務(wù)之一是開發(fā)基于低成本微控制器 (MCU) 的超低功耗嵌入式應(yīng)用,此類應(yīng)用通常要求用一顆電池維持?jǐn)?shù)年的工作。在從家用自動(dòng)調(diào)溫器到個(gè)人醫(yī)療設(shè)備等此類超低功耗應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員必須仔細(xì)考慮
2020-03-09 08:32:38
超低功耗微控制器單元(MCU)采用了哪些關(guān)鍵技術(shù)?超低功耗微控制器單元(MCU)具備哪些功能?超低功耗微控制器單元(MCU)主要有哪些應(yīng)用?
2021-06-17 10:11:18
本文設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)能夠通過溫度傳感器測量和顯示被測量點(diǎn)的溫度,并可進(jìn)行擴(kuò)展控制。該溫度計(jì)帶電子時(shí)鐘,其檢測范圍為l0℃~30℃,檢測分辨率為1℃,采用LCD液晶顯示,整機(jī)靜態(tài)功耗為0.5μA。其系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想對其它類型的超低功耗微型便攜式智能化檢測儀表的研究和開發(fā),也具有一定的參考價(jià)值。
2019-08-13 07:50:30
在物聯(lián)網(wǎng)的推動(dòng)下,業(yè)界對各種電池供電設(shè)備產(chǎn)生了巨大需求。這反過來又使業(yè)界對微控制器和其他系統(tǒng)級器件的能源效率要求不斷提高。因此,超低功耗(ULP)已成為一個(gè)過度使用的營銷術(shù)語,特別是用于描述微控制器
2019-07-18 07:42:18
的功耗,超低功耗負(fù)載開關(guān)可運(yùn)用在通信模塊中,切斷PA等功率模塊的功耗,自身僅消耗nA級的漏電流。歡迎大家就電路設(shè)計(jì)一起討論交流
2022-09-27 07:14:06
在本文中,我們將考察超低功耗隔離領(lǐng)域的最新發(fā)展,其與現(xiàn)有技術(shù)的關(guān)系,以及其實(shí)現(xiàn)方式。同時(shí),我們還將探討可以從這類新器件受益的多種應(yīng)用。
2021-04-06 07:21:41
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì),但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率,同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比,28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗,以
2023-02-07 14:11:25
ARM日前推出可驅(qū)動(dòng)新一代節(jié)能型微控制器(MCU)發(fā)展的超低功耗實(shí)體IP數(shù)據(jù)庫。ARM 0.18um超低功耗數(shù)據(jù)庫(uLL)具備ARM Cortex處理器系列的內(nèi)建電源管理優(yōu)勢,結(jié)合臺積電
2019-07-22 07:00:02
MS1791是單模超低功耗藍(lán)牙芯片
2021-01-29 07:11:30
NB-IoT的低功耗是怎么實(shí)現(xiàn)的
2023-10-07 07:05:52
,nRF52832 WL-CSP器件具有超緊湊3.0 X 3.2mm占位面積,并提供相同的全功能單芯片特性集和同級最佳超低功耗應(yīng)用運(yùn)作; 其功能強(qiáng)大的板載64MHz ARM? Cortex?-M4F
2016-07-24 09:37:57
早有計(jì)劃。 2017年,三星與NXP達(dá)成代工合同,從這一年起,NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn),并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用?
2021-06-26 07:14:03
如何去設(shè)計(jì)MP3播放器視頻的輸出部分?如何去解決超低功耗緩沖器應(yīng)用的問題?
2021-04-20 06:02:33
如何編寫STM8L超低功耗程序?
2022-02-21 07:11:45
在物聯(lián)網(wǎng)的推動(dòng)下,業(yè)界對各種電池供電設(shè)備產(chǎn)生了巨大需求。這反過來又使業(yè)界對微控制器和其他系統(tǒng)級器件的能源效率要求不斷提高。因此超低功耗MCU與功耗相關(guān)的很多指標(biāo)都不斷得刷新記錄。在選擇合適的超低功耗
2020-12-28 07:12:40
在物聯(lián)網(wǎng)的推動(dòng)下,業(yè)界對各種電池供電設(shè)備產(chǎn)生了巨大需求。這反過來又使業(yè)界對微控制器和其他系統(tǒng)級器件的能源效率要求不斷提高。因此超低功耗MCU與功耗相關(guān)的很多指標(biāo)都不斷得刷新記錄。在選擇合適的超低功耗
2021-11-04 07:07:56
如何選擇合適的超低功耗MCU?有什么技巧?如何降低MCU的功耗?
2021-04-19 09:21:00
實(shí)現(xiàn)超低功耗藍(lán)牙設(shè)計(jì)面臨的主要挑戰(zhàn)是什么?
2021-05-19 06:39:34
一,電源管理庫函數(shù)前面的入門文章對 STM32 的超低功耗的做了使用介紹,當(dāng)然在使用超低功耗的時(shí)候還會(huì)考慮 RAM 的數(shù)據(jù)會(huì)不會(huì)丟失,什么時(shí)候重寫 備份寄存器,進(jìn)入低功耗模式的時(shí)候要怎么保持 IO
2021-12-31 06:36:58
急求,有沒有大佬可以分享一下GF的45nm SOI RF庫?
2021-06-22 06:49:40
從制造過程開始,一直到所有的應(yīng)用領(lǐng)域,極低功耗技術(shù)逐漸成為所有設(shè)計(jì)中必不可少的需求。對能源敏感的應(yīng)用,特別是必須以單顆電池提供連續(xù)數(shù)小時(shí)運(yùn)作時(shí)間的產(chǎn)品,更需要加入超低功耗設(shè)計(jì)概念。要滿足這些要求
2019-05-15 10:57:02
近日,羅姆憑借超低功耗降壓型電源IC“BD70522GUL”榮獲中國IoT杰出技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)!新產(chǎn)品“BD70522GUL”是以IoT市場的關(guān)鍵詞“紐扣電池10年驅(qū)動(dòng)”為目標(biāo)開發(fā)而成的超低功耗降壓型電源
2019-07-11 04:20:24
尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
在物聯(lián)網(wǎng)的推動(dòng)下,業(yè)界對各種電池供電設(shè)備產(chǎn)生了巨大需求。這反過來又使業(yè)界對微控制器和其他系統(tǒng)級器件的能源效率要求不斷提高。因此超低功耗MCU與功耗相關(guān)的很多指標(biāo)都不斷得刷新記錄。在選擇合適的超低功耗
2021-11-11 07:28:22
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 超低功耗設(shè)計(jì)技巧與實(shí)現(xiàn)
2012-01-18 14:59:05105 意法半導(dǎo)體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201 美高森美公司針對注重功耗的短距無線應(yīng)用推出新型超低功耗(ULP)射頻(RF)收發(fā)器產(chǎn)品 ZL70250 ,該元件為低功耗定立全新的基準(zhǔn),傳送和接收資料所需僅2mA電流。
2012-11-22 10:29:41945 日前,意法半導(dǎo)體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793 你熟悉的基本方法的低功耗設(shè)計(jì)。現(xiàn)在,你怎么把它帶到一個(gè)新水平?極端的低功耗嵌入式設(shè)計(jì)需要仔細(xì)選取工具緩存,電路設(shè)計(jì)和智能利用單片機(jī)超低功耗的特點(diǎn)。
2017-08-04 14:09:0713 基于超低功耗設(shè)計(jì)技巧與實(shí)現(xiàn)
2017-10-15 10:44:5012 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網(wǎng)消息,格羅方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(ST)選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI(22FDX)制程技術(shù)平臺,以支持用于工業(yè)及消費(fèi)
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導(dǎo)體(ST)的大單進(jìn)補(bǔ),在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示,三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向,FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 ST表示,與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較,FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性,而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容;此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00705 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工業(yè)者著眼于應(yīng)用廣泛、無所不包的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場對低功耗、低成本組件需求而推出的各種中低階制程技術(shù)選項(xiàng),也是產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注焦點(diǎn)。
2018-03-01 14:05:013813 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單,其中有超過十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上,專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394 加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)),三星代工廠(28納米工藝投產(chǎn)中,18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)),以及格芯代工廠(22納米工藝投產(chǎn)中,12納米計(jì)劃投產(chǎn))。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603 晶圓代工大廠格芯在28日宣布,無限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 今天,Globalfoundries(簡稱GF)宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012841 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)(connectivity IP),在GF的22nm FD-SOI(22FDX?)工藝平臺上,為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:504395 先進(jìn)制程的研發(fā)令人有些惋惜,不過格芯倒是顯得穩(wěn)重、平和。日前舉行的GTC大會(huì),格芯還是強(qiáng)調(diào)先進(jìn)制程不是市場唯一方向,當(dāng)前旗下22納米FD-SOI制程,以及14/12納米FinFET制程依然大有市場。
2018-09-27 16:14:004321 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí),提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 cypress公司的PSoC? 6 MCU系列產(chǎn)品是用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的高性能超低功耗和安全MCU平臺,組合了雙核微控制器和低功耗閃存技術(shù),數(shù)字可編邏輯,高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換,標(biāo)準(zhǔn)通信和定時(shí)外設(shè),并提供BLE 5.0兼容的無線連接.
2019-05-11 10:01:003956 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 事實(shí)勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842 近日低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產(chǎn)品相比最大的特點(diǎn)是其擁有領(lǐng)先的I/O密度,據(jù)了解
2020-07-03 08:57:36770 萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開始著手FPGA開發(fā)工藝的創(chuàng)新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業(yè)界首個(gè)支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應(yīng)商
2020-07-03 14:05:432395 “FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335 縮放技術(shù)和StarRC簽核參數(shù)提取功能,可為用于FD-SOI平臺的自適應(yīng)襯底偏置 (ABB) 提供優(yōu)化解決方案 新思科技(Synopsys)近日宣布與GLOBALFOUNDRIES(GF )展開最新合作,為采用Synop
2020-10-23 16:17:092050 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 IOT低功耗設(shè)備設(shè)計(jì)大致為3個(gè)方面的設(shè)計(jì):器件選型、電路設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)、續(xù)航壽命估算——器件選型典型的器件包括:單片機(jī)MCU、電源芯片、通訊模組等。單片機(jī)——1.選擇具備多種低功耗工作模式...
2021-12-07 16:21:088 工業(yè)用電總量一直占據(jù)我國用電的大部分,所以就有工控主板定制廠家推出了超低功耗工控主板,超低功耗工控主板的推出將能大大減少工業(yè)用電,為我國節(jié)省工業(yè)用電量。那么超低功耗工控主板究竟是怎樣降低功耗
2022-05-23 15:24:511668 智能家庭與超低功耗
2022-11-02 08:16:041 介紹Cortex-M0、Cortex-M0+超低功耗
2023-06-02 09:36:01409340 (電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069 谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369
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