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瞄準(zhǔn)超低功耗IoT GF擁抱FD-SOI制程

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上硅)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體器件和 FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有戰(zhàn)略價(jià)值。FD-SOI 能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員和客戶系統(tǒng)帶來巨大的好處,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如,通信連接和安全保護(hù)。對于汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)應(yīng)用而言,這些優(yōu)勢是FD-SOI技術(shù)的一個(gè)重要特質(zhì)。 ? CEA主席
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半導(dǎo)體廠商的豪門恩怨:GF與AMD為何分手?

近日Global Foundries(以下簡稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破,成功量產(chǎn),這似乎為半導(dǎo)體代工廠GF近數(shù)年的頹勢帶來一股希望,不過在筆者看來,GF未必能就此扭轉(zhuǎn)命運(yùn),不過是GF與那些半導(dǎo)體廠商豪門恩怨的延續(xù)。
2015-07-25 22:16:206622

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耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說,業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng),象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033179

Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研發(fā)

Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI制程技術(shù)可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132

28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時(shí)表示,該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展,首先是
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格芯CEO:FD-SOI是中國需要的技術(shù)

5G時(shí)代將對半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時(shí),FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯,人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372

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今日看點(diǎn)丨英飛凌CEO呼吁不應(yīng)過多限制對華半導(dǎo)體出口;百度集團(tuán)副總裁吳甜:文心大模型 3.5 能力已經(jīng)超出

絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)開發(fā)10納米低功耗工藝技術(shù)模塊,該技術(shù)未來將進(jìn)一步向7納米拓展,這也是浸沒式DUV光刻技術(shù)的極限。該機(jī)構(gòu)透露,FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設(shè)計(jì)兼容,并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項(xiàng)目由法國政府獨(dú)立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19428

8位微控制器的多種低功耗模式

獨(dú)有的超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程,下設(shè)三個(gè)產(chǎn)品線均基于意法半導(dǎo)體的超低功耗技術(shù)平臺,共計(jì)26款產(chǎn)品,涵蓋多種高性能和多功能應(yīng)用。圖1,STM8L152結(jié)構(gòu)框圖
2019-07-24 08:03:04

FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)

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的消費(fèi)電子和工業(yè)IoT應(yīng)用,如移動(dòng)設(shè)備、智能家居、智慧城市、智能工廠和智能汽車產(chǎn)品 ;2. 經(jīng)過優(yōu)化具有ASIC超低功耗(小于1mW-1W)、尺寸小、批量價(jià)格低(約1-10美元)的優(yōu)勢,兼?zhèn)銯PGA
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超低功耗MCU在物聯(lián)網(wǎng)方案中的應(yīng)用

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超低功耗MCU的設(shè)計(jì)思路

運(yùn)轉(zhuǎn)功耗現(xiàn)代 [超低功耗MCU](https://www.runjetic.com/) 已整合相當(dāng)多的的模仿外圍,不能單純考慮數(shù)字電路的動(dòng)態(tài)功耗。MCU芯片 運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的總功耗由模仿外圍功耗和數(shù)字外圍
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超低功耗MCU選型與設(shè)計(jì)

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超低功耗Wi-Fi技術(shù)

行業(yè)、媒體行業(yè)等領(lǐng)域。超低功耗Wi-Fi芯片的特點(diǎn)和背后的黑科技DA16200 SoC是專為電池供電的IoT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的超低功耗Wi-Fi芯片,在很多應(yīng)用中,即使是始終保持聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備也能實(shí)現(xiàn)長達(dá)5年
2020-05-24 07:37:24

超低功耗嵌入式的隱患怎么消除?

目前,工程師的任務(wù)之一是開發(fā)基于低成本微控制器 (MCU) 的超低功耗嵌入式應(yīng)用,此類應(yīng)用通常要求用一顆電池維持?jǐn)?shù)年的工作。在從家用自動(dòng)調(diào)溫器到個(gè)人醫(yī)療設(shè)備等此類超低功耗應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員必須仔細(xì)考慮
2020-03-09 08:32:38

超低功耗微控制器單元(MCU)主要有哪些應(yīng)用?

超低功耗微控制器單元(MCU)采用了哪些關(guān)鍵技術(shù)?超低功耗微控制器單元(MCU)具備哪些功能?超低功耗微控制器單元(MCU)主要有哪些應(yīng)用?
2021-06-17 10:11:18

超低功耗電子溫度計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是什么?

本文設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)能夠通過溫度傳感器測量和顯示被測量點(diǎn)的溫度,并可進(jìn)行擴(kuò)展控制。該溫度計(jì)帶電子時(shí)鐘,其檢測范圍為l0℃~30℃,檢測分辨率為1℃,采用LCD液晶顯示,整機(jī)靜態(tài)功耗為0.5μA。其系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想對其它類型的超低功耗微型便攜式智能化檢測儀表的研究和開發(fā),也具有一定的參考價(jià)值。
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超低功耗負(fù)載開關(guān)在通信模塊的應(yīng)用

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2017-10-15 10:44:5012

意法半導(dǎo)體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975

格羅方德宣布新一代處理器解決方案

集微網(wǎng)消息,格羅方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(ST)選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI(22FDX)制程技術(shù)平臺,以支持用于工業(yè)及消費(fèi)
2018-01-10 20:44:02707

GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達(dá)成合作

GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導(dǎo)體(ST)的大單進(jìn)補(bǔ),在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411

FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完善 與FinFET勢均力敵

在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示,三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向,FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703

SOIIOT有何優(yōu)勢_能否大賺IoT商機(jī)

ST表示,與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較,FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性,而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容;此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00705

FD-SOI技術(shù)有何優(yōu)勢?還是物聯(lián)網(wǎng)的理想解決方案?

物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368

西方冷、東方熱,FD-SOI準(zhǔn)備大賺IoT商機(jī)

若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工業(yè)者著眼于應(yīng)用廣泛、無所不包的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場對低功耗、低成本組件需求而推出的各種中低階制程技術(shù)選項(xiàng),也是產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注焦點(diǎn)。
2018-03-01 14:05:013813

三星預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片

晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單,其中有超過十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上,專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394

格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)

加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424

三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段

生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)),三星代工廠(28納米工藝投產(chǎn)中,18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)),以及格芯代工廠(22納米工藝投產(chǎn)中,12納米計(jì)劃投產(chǎn))。
2018-08-02 11:35:244402

盤點(diǎn)FD-SOI工藝現(xiàn)狀和路線圖

FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603

格芯退出7納米制程或?qū)е翴BM訂單轉(zhuǎn)交臺積電

晶圓代工大廠格芯在28日宣布,無限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110

GF退出7nm代工,誰受影響最大?

今天,Globalfoundries(簡稱GF)宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012841

Imagination與GLOBALFOUNDRIES攜手為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供超低功耗連接解決方案

雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)(connectivity IP),在GF的22nm FD-SOI(22FDX?)工藝平臺上,為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:504395

格芯表示退出7納米制程不一定是壞事 12納米以下制程規(guī)模依然穩(wěn)固

先進(jìn)制程的研發(fā)令人有些惋惜,不過格芯倒是顯得穩(wěn)重、平和。日前舉行的GTC大會(huì),格芯還是強(qiáng)調(diào)先進(jìn)制程不是市場唯一方向,當(dāng)前旗下22納米FD-SOI制程,以及14/12納米FinFET制程依然大有市場。
2018-09-27 16:14:004321

Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)

Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495

Soitec 2019上半年財(cái)報(bào)強(qiáng)勁增長 FD-SOI技術(shù)迎來發(fā)展的春天

隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777

FD-SOI與深度耗盡溝道DDC MOS器件的詳細(xì)資料介紹

當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí),提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012

PSoC 6高性能超低功耗IoT應(yīng)用方案

cypress公司的PSoC? 6 MCU系列產(chǎn)品是用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的高性能超低功耗和安全MCU平臺,組合了雙核微控制器和低功耗閃存技術(shù),數(shù)字可編邏輯,高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換,標(biāo)準(zhǔn)通信和定時(shí)外設(shè),并提供BLE 5.0兼容的無線連接.
2019-05-11 10:01:003956

各企業(yè)積極投入FD-SOI元件開發(fā) 看好后續(xù)市場發(fā)展

為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

云天勵(lì)飛、Blink現(xiàn)身說法談FD-SOI優(yōu)勢

事實(shí)勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340

高級工藝未來分化,FD-SOI受益

長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平臺的嵌入式磁性隨機(jī)存儲器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658

萊迪思即將發(fā)布首款SOI的FPGA產(chǎn)品

AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842

新一代Certus-NX 低功耗FPGA 萊迪思強(qiáng)勢出擊

近日低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產(chǎn)品相比最大的特點(diǎn)是其擁有領(lǐng)先的I/O密度,據(jù)了解
2020-07-03 08:57:36770

重定義FPGA 超低功耗 超小尺寸

萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開始著手FPGA開發(fā)工藝的創(chuàng)新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業(yè)界首個(gè)支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應(yīng)商
2020-07-03 14:05:432395

FD-SOI應(yīng)用 從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

新思科技攜手GF,以Fusion Compiler釋放GF平臺最佳PPA潛能

縮放技術(shù)和StarRC簽核參數(shù)提取功能,可為用于FD-SOI平臺的自適應(yīng)襯底偏置 (ABB) 提供優(yōu)化解決方案 新思科技(Synopsys)近日宣布與GLOBALFOUNDRIES(GF )展開最新合作,為采用Synop
2020-10-23 16:17:092050

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產(chǎn)品加強(qiáng)邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719

IOT超低功耗設(shè)計(jì)應(yīng)用筆記

IOT低功耗設(shè)備設(shè)計(jì)大致為3個(gè)方面的設(shè)計(jì):器件選型、電路設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)、續(xù)航壽命估算——器件選型典型的器件包括:單片機(jī)MCU、電源芯片、通訊模組等。單片機(jī)——1.選擇具備多種低功耗工作模式...
2021-12-07 16:21:088

超低功耗工控主板是如何降低功耗

工業(yè)用電總量一直占據(jù)我國用電的大部分,所以就有工控主板定制廠家推出了超低功耗工控主板,超低功耗工控主板的推出將能大大減少工業(yè)用電,為我國節(jié)省工業(yè)用電量。那么超低功耗工控主板究竟是怎樣降低功耗
2022-05-23 15:24:511668

智能家庭與超低功耗

智能家庭與超低功耗
2022-11-02 08:16:041

超低功耗設(shè)計(jì)概述

介紹Cortex-M0、Cortex-M0+超低功耗
2023-06-02 09:36:01409340

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產(chǎn)業(yè)

(電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI
2024-03-17 10:10:36193

意法半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369

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