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      標(biāo)簽　>　dram

      dram

      dram

      +關(guān)注40人關(guān)注

      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      文章：2241個 瀏覽：183488次 帖子：82個

      dram技術(shù)

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      2023-05-26 標(biāo)簽：處理器DRAM內(nèi)存 778 0

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      現(xiàn)有的計算機體系架構(gòu)中通常采用層級緩存來彌補外存和內(nèi)存之間的性能差距。但是，層緩存都有極限帶寬和有限的命中率，在層級緩存下數(shù)據(jù)需要頻繁的在各個層級緩存之...

      2023-05-23 標(biāo)簽：DRAMSSDCAS 726 0

      超高速存儲器測試的KGD解決方案

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      　與隨著DRAM和高帶寬存儲器（HBM）本機速度能力的提高，最新的內(nèi)存正在超過2 GHz（4 Gbps），這就對現(xiàn)有的ATE測試器提出了更高的限制。

      2023-05-19 標(biāo)簽：DRAM存儲器測試器 1622 0

      存儲器接口，數(shù)據(jù)安全的關(guān)口

      隨著數(shù)智時代的到來，智能設(shè)備的普及度越來越高，用戶受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風(fēng)險和頻率也在不斷增加。然而，漏洞不只是存在于軟件中，硬件中也一樣存在。

      2023-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM存儲器 528 0

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      服務(wù)器 RAM，或者更準(zhǔn)確地說，服務(wù)器 RAM 模塊，是由許多組件組成的產(chǎn)品。與任何DRAM模塊一樣，其基本組件是PCB在生產(chǎn)過程中焊接集成電路和無源元...

      2023-05-04 標(biāo)簽：DRAMRAM服務(wù)器 1810 0

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      經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

      2023-04-28 標(biāo)簽：DRAM晶圓晶體管 938 0

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      IBM 和三星開發(fā)了一種釕和氣隙集成方案，解決了一個迫在眉睫的高互連線間距問題。

      2023-04-25 標(biāo)簽：芯片DRAMIBM 1918 0

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      本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會...

      2023-04-25 標(biāo)簽：DRAMcpu晶體管 1828 0

      什么是DRAM？DRAM存儲單元電路讀寫原理

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      2023-04-25 標(biāo)簽：DRAM存儲器云計算 1.3萬 0

      一文了解新型存儲器MRAM

      MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRA...

      2023-04-19 標(biāo)簽：DRAM存儲器RAM 3595 0

      FPGA循環(huán)并行化應(yīng)用于先前任務(wù)并行化的推理內(nèi)核

      此外，當(dāng)前內(nèi)核的外部內(nèi)存訪問效率低下，因此內(nèi)存訪問也是瓶頸。在這種狀態(tài)下，即使進行循環(huán)并行化，內(nèi)存訪問最終也會成為瓶頸。

      2023-04-17 標(biāo)簽：fpgaDRAM存儲器 1018 0

      淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

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      2023-04-13 標(biāo)簽：DRAMIC制造IMEC 1813 0

      CXL內(nèi)存基于微基準(zhǔn)的特性研究和最佳實踐

      隨著線程數(shù)的增加，在每個方案上運行DLRM推理都是線性的，并且斜率不同。DDR5-R1和CXL存儲器的總體趨勢相似，這與第4.3.2節(jié)中的觀察結(jié)果一致

      2023-04-12 標(biāo)簽：DRAM深度學(xué)習(xí) 455 0

      一文了解新型存儲技術(shù)

      萬物智聯(lián)時代的到來，大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計算 (Edge Computing)等巨量運算架構(gòu)的應(yīng)用需求。但是傳統(tǒng)存儲器均在耗電量、數(shù)據(jù)訪...

      2023-04-12 標(biāo)簽：DRAMNANDFlaSh 1194 0

      漫談交換式電源的原理與設(shè)計

      我們花了十多次的篇幅，說明了常用的交換式電源的原理。從可以升壓的 boost converter 開始，到降壓用的 buck converter，我們用...

      2023-04-04 標(biāo)簽：模擬電路DRAM輸出電壓 1280 0

      我們常用存儲器知道有哪些嘛

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      存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。

      2023-03-30 標(biāo)簽：DRAM存儲器sram 2023 0

      單晶硅刻蝕工藝流程

      FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。

      2023-03-30 標(biāo)簽：CMOSDRAMAFM 4232 0

      SRAM存儲器的工作原理

      SRAM存儲器的工作原理

      SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲，一旦設(shè)備斷開電源，就會失去信息。 這個設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，...

      2023-03-21 標(biāo)簽：DRAM存儲器sram 8199 0

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        半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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        德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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      • 華天科技
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