超高速存儲(chǔ)器測(cè)試的KGD解決方案

　　隨著對(duì)先進(jìn)封裝集成電路S的需求急劇增加，KGD測(cè)試解決方案要求更好的測(cè)試效率，以降低成本和支持更高的體積。

　　與隨著DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）本機(jī)速度能力的提高，最新的內(nèi)存正在超過(guò)2 GHz（4 Gbps），這就對(duì)現(xiàn)有的ATE測(cè)試器提出了更高的限制。

　　FormFactor和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者最近的聯(lián)合努力成功地表明，超過(guò)3 GHz的測(cè)試是可以實(shí)現(xiàn)的。

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　　HFTAP K32探針卡解決方案

　　FormFactor‘S HFTAP K32探針卡結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展功能使DRAM客戶(hù)能夠在晶圓級(jí)速度測(cè)試中達(dá)到3.2GHz/6.4 Gbps，以滿(mǎn)足下一代的良好需求--（KGD）記憶最近全行業(yè)采用了由2.5D和3D先進(jìn)包裝技術(shù)支持的異構(gòu)集成系統(tǒng)，這推動(dòng)了對(duì)KGD的需求。

　　這個(gè)KGD測(cè)試的好處是確保最終堆疊和組裝的封裝不會(huì)因?yàn)橐粋€(gè)壞芯片而報(bào)廢。

　　這種先進(jìn)的MEMS探針卡結(jié)構(gòu)不僅用于驗(yàn)證單個(gè)芯片的電氣性能和成品率，而且還用于HBM堆棧中的器件，包括音高插孔器，以確保整個(gè)包的性能。Hftp k32探測(cè)卡解決方案使客戶(hù)能夠在任何階段獲得更多情報(bào)。

　　先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成過(guò)程，傳統(tǒng)的在單片硅模上優(yōu)化產(chǎn)量的方法已經(jīng)不足夠了。

　　需要考慮的特點(diǎn)和好處

　　高速知名模具（Kgd）

　　K32（可達(dá)3.2GHz/6.4 Gbps）可在晶圓級(jí)進(jìn)行高速測(cè)試

　　支持高速測(cè)試的高級(jí)包裝要求。

　　允許測(cè)試最新一代內(nèi)存產(chǎn)品，包括LPDDR4X、DDR 5、LPDDR 5、HBM 3、GDDR 5和GDDR 6

　　穩(wěn)定測(cè)試溫度性能

　　在很寬的溫度范圍內(nèi)工作

　　采用經(jīng)生產(chǎn)證明的440 mm/520 mm PCB尺寸SmartMatrix平臺(tái)

　　T11.x彈簧可靠性

　　可伸縮的三維微機(jī)電系統(tǒng)微彈簧技術(shù)使柔性墊布局具有優(yōu)越的接觸性能，并提供長(zhǎng)的探針卡壽命。

　　優(yōu)良的載流能力

　　細(xì)間距能力降至50μm

　　能夠在非常小的墊片上探測(cè)

　　易用性和易用性

　　測(cè)試單元上探針卡的實(shí)時(shí)平差和優(yōu)化能力

　　區(qū)域單彈簧維修和探頭更換能力，減少了服務(wù)事件的時(shí)間損失，提高了設(shè)備效率。

　　若要了解更多有關(guān)高頻點(diǎn)擊K32探針卡解決方案的信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站并下載數(shù)據(jù)表。