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dram

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram技術(shù)

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類(lèi):易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如...

2018-04-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM存儲(chǔ)器 11.2萬(wàn) 0

DRAM、SDRAM及DDR SDRAM之間的概念詳解

DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力,因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能,用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM ...

2018-06-07 標(biāo)簽:DRAMSDRAMDDR SDRAM 9.3萬(wàn) 0

DRAM與NAND的有什么樣的區(qū)別

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DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一,但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件,NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢?DRAM和NAND的工作原理分別...

2020-10-31 標(biāo)簽:DRAMNAND儲(chǔ)存器 5.1萬(wàn) 0

3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過(guò)它

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3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái),最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì),3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者:...

2018-04-19 標(biāo)簽:dramnand3dxpoint 5.1萬(wàn) 0

DRAM存儲(chǔ)器的工作原理詳細(xì)介紹

DRAM存儲(chǔ)器的工作原理詳細(xì)介紹

DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一,大家對(duì)于DRAM也較為熟悉。但是,大家真的了解DRAM嗎?DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢?DRAM的工...

2020-10-31 標(biāo)簽:電容器DRAM存儲(chǔ)器 4.5萬(wàn) 0

PSRAM完全解讀

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PSRAM的時(shí)序比較簡(jiǎn)單,主要根據(jù)各個(gè)時(shí)序圖理解每個(gè)時(shí)序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰(shuí)驅(qū)動(dòng)的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時(shí)間即DQS上升沿延...

2023-06-08 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)單元sram 3.9萬(wàn) 0

內(nèi)存中1X納米、1Y納米、1Z納米是什么意思

大體上1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm,1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。

2020-03-22 標(biāo)簽:DRAM臺(tái)積電美光 2.5萬(wàn) 0

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

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本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較,弄清兩者的區(qū)別

2016-12-27 標(biāo)簽:DRAMNANDRAM 2.2萬(wàn) 0

一文詳解SRAM特點(diǎn)和原理

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SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則...

2018-05-30 標(biāo)簽:DRAMCPUsram 2.2萬(wàn) 0

一文解析鐵電存儲(chǔ)器使用及工作原理

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FRAM存儲(chǔ)器操作經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì),以使在開(kāi)關(guān)電容器中感應(yīng)出的電荷至少是未開(kāi)關(guān)電容器可用電荷的兩倍。

2021-01-21 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器fram 2.0萬(wàn) 0

硬盤(pán)和內(nèi)存到底有什么差別?

硬盤(pán)和內(nèi)存到底有什么差別?

DRAM就是我們一般在用的內(nèi)存,而NAND Flash 閃存,它在做的事情其實(shí)是硬盤(pán)。

2018-07-17 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器nandflash 1.9萬(wàn) 0

什么是 DDR5?SDRAM 技術(shù)發(fā)展歷程

英特爾和 AMD 的核戰(zhàn)爭(zhēng)越演愈烈,現(xiàn)在的臺(tái)式機(jī)開(kāi)始 6 核起跳,可以預(yù)見(jiàn),馬上內(nèi)存的性能又將成為新的瓶頸。

2020-03-08 標(biāo)簽:英特爾DRAMSDRAM 1.6萬(wàn) 0

什么是DRAM_DRAM結(jié)構(gòu)的框架圖

什么是DRAM_DRAM結(jié)構(gòu)的框架圖

最近幾年,電子產(chǎn)品的價(jià)格走勢(shì)不斷降低,大家也覺(jué)得日后的電子產(chǎn)品會(huì)越來(lái)越便宜,但事實(shí)是從去年開(kāi)始,手機(jī)、電腦、家電等產(chǎn)品價(jià)格一直在持續(xù)漲價(jià),而這其中的主要...

2020-08-24 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)單元 1.6萬(wàn) 0

一文解析HBM技術(shù)原理及優(yōu)勢(shì)

HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介...

2023-11-09 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)傳輸HBM 1.5萬(wàn) 0

DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤(pán)的區(qū)別

現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌,很多新生代的用戶(hù)都與手機(jī)的存儲(chǔ)就陷入了茫然。

2016-04-21 標(biāo)簽:DRAMNAND存儲(chǔ)器 1.5萬(wàn) 0

NVDIMM的幾種實(shí)現(xiàn)方式, NVDIMM-P的性能所做的硬件上的優(yōu)化和支持

這是一個(gè)目前還沒(méi)有發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn) (Under Development)。預(yù)計(jì)將與DDR5 標(biāo)準(zhǔn)一同發(fā)布。按照計(jì)劃,DDR5將比DDR4提供雙倍的帶寬,并提...

2019-03-18 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)技術(shù)內(nèi)存 1.5萬(wàn) 0

四種汽車(chē)駕駛系統(tǒng)的四種不同存儲(chǔ)需求

關(guān)于自主駕駛及其存儲(chǔ)需求的討論有很多,但很少有人談及汽車(chē)中其他需要使用存儲(chǔ)的系統(tǒng)。汽車(chē)中有四個(gè)主要系統(tǒng)會(huì)使用存儲(chǔ),且每個(gè)系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求各不相同。

2017-11-01 標(biāo)簽:nor閃存dram汽車(chē)電子 1.4萬(wàn) 0

存儲(chǔ)芯片的原理_分類(lèi)及應(yīng)用

存儲(chǔ)芯片是指集成電路中用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片,它可以存儲(chǔ)數(shù)字信號(hào),包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相...

2023-06-02 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)sram 1.4萬(wàn) 0

什么是DRAM?DRAM存儲(chǔ)單元電路讀寫(xiě)原理

什么是DRAM?DRAM存儲(chǔ)單元電路讀寫(xiě)原理

內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線(xiàn)和比特線(xiàn)組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例,每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。

2023-04-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器云計(jì)算 1.3萬(wàn) 0

一文解析DRAM的制造工藝流程

為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。

2023-01-09 標(biāo)簽:DRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1.3萬(wàn) 0

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    Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持,供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品,涵蓋25個(gè)不同元器件類(lèi)別,并特別專(zhuān)注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷(xiāo)產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開(kāi)關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線(xiàn)束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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    公司在特別依賴(lài)分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出,以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷(xiāo)全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū),深受用戶(hù)喜愛(ài)。
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    北京時(shí)間2015年9月10日,美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s[1] 。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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    華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù),產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車(chē)電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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