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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

xilinx仿真實(shí)驗(yàn)：IP核之RAM的配置

背景 RAM和ROM也是類似的，由于這也是常用的IP核，所有完全有必要在這里記錄一下，以后用到了實(shí)際后，再補(bǔ)充到實(shí)際工程中。隨機(jī)存儲器（RAM），它可以...

2020-11-21 標(biāo)簽：DRAM SRAM RAM 5533 0

DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點(diǎn)/未來展望

這些年來，記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色，點(diǎn)出這些...

2021-01-22 標(biāo)簽：處理器 DRAM 5511 1

全面介紹新型存儲技術(shù)：PCM/MRAM/RRAM/ReRAM

MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 Nand flash 5507 0

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器簡介

內(nèi)存是計算機(jī)運(yùn)行的基礎(chǔ)。當(dāng)與CPU結(jié)合使用時，可以運(yùn)行指令集（程序）和存儲工作數(shù)據(jù)

2020-07-22 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 5505 0

FPGA設(shè)計中BRAM的知識科普

FPGA設(shè)計中，BRAM是一項(xiàng)非常關(guān)鍵的內(nèi)置存儲資源，F(xiàn)PGA開發(fā)需要熟練使用BRAM，今天再復(fù)習(xí)一下BRAM的知識，包括BRAM的定義、組成、應(yīng)用等等。

2023-08-15 標(biāo)簽：fpga DRAM FPGA設(shè)計 5496 0

一文解讀DRAM的9大刻蝕技術(shù)

在將晶圓制成半導(dǎo)體的過程中需要采用數(shù)百項(xiàng)工程。其中，一項(xiàng)最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫精細(xì)電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 刻蝕 5461 0

新一代AI/ML加速器新型內(nèi)存解決方案——HBM2E內(nèi)存接口

近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一...

2020-10-23 標(biāo)簽：DRAM 信號完整性 AI 5432 0

淺析DRAM測試和檢查設(shè)計方案

　DRAM測試發(fā)生在晶圓探針和封裝測試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動了測試流程，包括ATE要求和相關(guān)測試內(nèi)容。

2023-11-22 標(biāo)簽：控制器 DRAM 晶圓 5365 0

如何提高信號完整性，降低噪聲或降低功耗

EDN文章中介紹的一些技術(shù)向您展示了如何提高信號完整性，降低噪聲或降低功耗。我們作為工程師最大限度地提高性能的方法之一就是堅(jiān)持建立設(shè)計規(guī)則。但是，如果遵...

2021-04-21 標(biāo)簽：處理器電容器 DRAM 5309 0

隨著 DRAM 內(nèi)存容量和頻率的持續(xù)增長，現(xiàn)有電腦內(nèi)存的安全性也一直沒有得到提升。近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布的最新第一代協(xié)議是由對DRAM容量和帶...

2021-03-17 標(biāo)簽：DRAM DDR FLASH閃存 5275 0

DRAM的矩陣存儲電路設(shè)計方案

DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，...

2020-12-01 標(biāo)簽：DRAM cpu 存儲單元 5239 0

如何使用Xilinx SDK啟動電路板及利用Zynq DRAM進(jìn)行測試

在本視頻中，我們將學(xué)習(xí)如何使用Xilinx SDK啟動電路板，利用每個驅(qū)動程序提供的應(yīng)用示例并測試各種外設(shè)。我們將詳細(xì)介紹Zynq DRAM測試，并...

2018-11-29 標(biāo)簽：dram 電路板賽靈思 5212 0

R128點(diǎn)燈指南加強(qiáng)篇—LEDC點(diǎn)三色流水燈（WS2812）

R128-DevKit 擁有4顆 WS2812LED，本文將詳細(xì)敘述如何點(diǎn)亮他們。

2023-10-13 標(biāo)簽：led 控制器 DRAM 5191 0

基于DDR4討論DRAM的顆粒容量規(guī)格

地址線最多的是 16Gb 容量的 x4 顆粒，使用 A0-A17 地址線。需要注意的是所有 PHY 都會有 A0-A16 （因?yàn)?RAS\_n 復(fù)用為 ...

2023-03-15 標(biāo)簽：DRAM DDR4 5161 0

動態(tài)存儲器和靜態(tài)存儲器的區(qū)別

SRAM 中的每個存儲單元由多個觸發(fā)器構(gòu)成。每個觸發(fā)器可以存儲一個位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。

2024-02-05 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 sram 5121 0

DRAM實(shí)現(xiàn)市場最大增長，無線連接等技術(shù)大有可為

2018年McClean報告的年中更新中，IC Insights更新了WSTS定義的33個主要IC產(chǎn)品類別中每個類別的銷售增長預(yù)測(圖1)。IC Ins...

2018-09-19 標(biāo)簽：DRAM 無線連接汽車芯片 5108 0

Kevin K. Chang：解決了DRAM問題提出新的架構(gòu)改進(jìn)DRAM延遲問題

在內(nèi)存和存儲代價高昂的時候，數(shù)據(jù)移動被限制在一個寄存器大小的塊中，或者最多是來自磁盤的512字節(jié)塊。但如今，在存儲容量達(dá)千兆字節(jié)的存儲空間和海量內(nèi)存的情...

2018-01-05 標(biāo)簽：dram 延遲 5073 0

從DDR3到LPDDR4(X)，看產(chǎn)品細(xì)分差異優(yōu)化發(fā)展

DDR從誕生開始，就由于其在時鐘上升沿和下降沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，相較之前SDR單邊傳輸，以double date rate的速率優(yōu)勢，極大提高了帶寬，逐...

2023-03-08 標(biāo)簽：DRAM DDR3 時鐘 5029 0

DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization

在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。

2017-03-17 標(biāo)簽：DRAM Memory Cells 4967 0

IP新銳芯耀輝多點(diǎn)破局DDR PHY技術(shù)瓶頸

DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁，它負(fù)責(zé)把內(nèi)存控制器發(fā)過來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號，并發(fā)送到DRAM。

2021-04-20 標(biāo)簽：DRAM DDR PHY 4879 0

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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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長電科技面向全球提供封裝設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會根據(jù)該ID采取一些行動。
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公司在特別依賴分布式高性能計算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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