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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>基于DDR4討論DRAM的顆粒容量規(guī)格

基于DDR4討論DRAM的顆粒容量規(guī)格

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2023-09-19 14:49:441485

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長(zhǎng)鑫官網(wǎng)上架DDR4/LPDDR4X內(nèi)存,首顆國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片即將開賣!

,這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹,目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb(1GB),頻率 2666MHz,工作電壓 1.2V,工作溫度 0℃ 到 95 ℃,采用 78-ball
2020-02-27 09:01:118110

威剛導(dǎo)入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR4顆粒,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開始發(fā)力

今年2月底,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布,符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨,這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn),并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:378324

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在CMD、ADD、CTRL信號(hào)為高電平時(shí)線路中就不會(huì)存在電流,可以降低功耗。DDR3和DDR4端接方式的對(duì)比如圖4所示。圖 4 DDR3和DDR4端接方式對(duì)比3 ACT_n信號(hào)為了避免由于容量增加
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2021-08-12 15:42:06

DDR3和DDR4在PCB布局設(shè)計(jì)上的區(qū)別

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通過 ODT 同時(shí)管理所有內(nèi)存顆粒引腳的信號(hào)終結(jié),并且阻抗值也可以有多種選擇,內(nèi)存控制器可以根據(jù)系統(tǒng)內(nèi)干擾信號(hào)的強(qiáng)度自動(dòng)調(diào)整阻值的大小?!比珙},DDR2和DDR3的ODT功能只存在DQ,DQS和DM中,而這三個(gè)信號(hào)不存在多顆粒共用情況,都是每片DRAM顆粒獨(dú)立工作,怎么能起到抑制反射的作用呢?
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DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢(shì)?

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DSP--如何計(jì)算DDR存儲(chǔ)容量

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MICORN DDR4

MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時(shí)時(shí)發(fā)集團(tuán)亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21

VIVADO 2016.1怎樣才能實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存?

嗨,我正在嘗試在Kintex UltraScale(KCU105)中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存,但是(DDR4 SDRAM(MIG))中的特定部分不可用。部分是:MT401G16HBA-083E:我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。?注意:我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08

iMX8MPlus + DDR4卡在wait_ddrphy_training_complete()怎么解決?

親愛的社區(qū),我們正在使用 DDR4 (Micron MT40A512M16LY) 開發(fā)基于 iMX8MP 的定制板。我們能夠按照MSCALE_DDR_Tool_User_Guide.pdf中描述
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怎樣降低DDR4系統(tǒng)功耗

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2017-11-07 10:48:5152790

ddr4ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

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三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
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DRAM、SDRAM及DDR SDRAM之間的概念詳解

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據(jù)報(bào)道,近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝,采用三星B-die顆粒,開啟XMP功能就可以達(dá)到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:381558

紫光DDR4內(nèi)存掛羊頭賣狗 并沒有使用國(guó)產(chǎn)顆粒還是韓國(guó)的

目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒有使用國(guó)產(chǎn)顆粒,而是SK Hynix顆粒,是韓國(guó)公司的顆粒,也就是說現(xiàn)在的國(guó)內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉,跟市場(chǎng)上其他內(nèi)存條沒有什么區(qū)別,國(guó)產(chǎn)的只是PCB之類的。不過店家也很坦誠(chéng),說紫光顆粒DDR4內(nèi)存下半年問世。
2018-03-05 09:36:013022

DDR4封裝規(guī)格

本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:0056

紫光國(guó)微DDR4內(nèi)存芯片年底就可推向市場(chǎng),未來會(huì)加大投入DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示,目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)。
2018-07-30 15:55:471250

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789

JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布

秀的性能,顯著提高封裝密度和可靠性,同時(shí)有更低的功耗,”Macri說。 DDR4的單個(gè)內(nèi)存顆粒容量2Gb-16Gb,同時(shí)
2018-09-30 00:15:012117

DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)?如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真?

本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341

SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝的DDR4 DRAM芯片

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097

SK海力士發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒 并擁有最多32個(gè)Bank

SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒,且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494361

如何進(jìn)行DDR4的設(shè)計(jì)資料概述及分析仿真案例概述

DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力,因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能,用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念,及介紹了SDRAM、DDR SDRAM
2018-12-19 08:00:0076

國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相,年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場(chǎng)

隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會(huì)迎來一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029

DDR5比較DDR4有什么新特性?

DDR5相比DDR4有什么新特性?
2020-01-10 14:21:0410082

采用長(zhǎng)鑫DRAM,國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條發(fā)售

近日,據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息,國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683

七彩虹發(fā)布 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存,全面升級(jí)三星 B-die 顆粒

今日,七彩虹宣布 iGame 內(nèi)存全面升級(jí),正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設(shè)計(jì)。值得一提的是,經(jīng)過網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:312466

塵埃落定,1月份DDR4內(nèi)存合約價(jià)全面上漲

供應(yīng)鏈的消息,1月份服務(wù)器DRAM價(jià)格止跌上漲,32GB DDR4 RDIMM合約價(jià)月增4.6%達(dá)115美元,64GB DDR4 LRDIMM合約價(jià)月增4.9%達(dá)235美元。 1月份PC標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格
2021-02-03 16:59:201695

ddr3有必要升級(jí)ddr4

DDR4意義就是把入門級(jí)內(nèi)存提升到了4GB,更大的容量...
2021-10-09 15:39:3712884

DDR4原理及硬件設(shè)計(jì)

DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么?DDR4全稱,DDR4-DRAM,與其他DDRDRAM一樣,是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字:存儲(chǔ)器
2021-11-06 13:51:01143

DDR4相比DDR3的變更點(diǎn)

DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3,DDR4存在諸多變更點(diǎn),其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有:? 增加Vpp電源;? VREFDQ刪除;? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028

DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別

DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者:AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154

速率越高的DDR4,等長(zhǎng)控制越嚴(yán)格?

按照上面的操作來做等長(zhǎng)是不是可以更準(zhǔn)一點(diǎn),給DDR4系統(tǒng)留取更多的裕量呢?由于李工的項(xiàng)目最根本原因不是等長(zhǎng),而是由于他使用了多顆粒雙die DDR4表底貼設(shè)計(jì),阻抗和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)優(yōu)化不到位導(dǎo)致(這種設(shè)計(jì)在我司的定位難度級(jí)別最高)
2022-09-13 17:08:56980

專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)的DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板

迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì),阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592

DDR4協(xié)議

本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范,包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1720

淺析存儲(chǔ)顆粒和存儲(chǔ)組件的價(jià)格形成

DRAM會(huì)區(qū)分顆粒的技術(shù)層級(jí):DDR3/DDR4/DDR5; Flash會(huì)區(qū)分顆粒的類別:TLC/MLC/SLC; 也會(huì)區(qū)分顆粒容量 8G/16G/32G/64G; 同時(shí)也區(qū)分GDDR/LPDDR不同應(yīng)用的價(jià)格。
2023-01-05 11:06:08750

淺入淺出DDR容量規(guī)格

對(duì)于DDR的理解,最初簡(jiǎn)單的以為無非一個(gè)大的數(shù)組,我會(huì)接口使用就OK了。不管各種概念天花亂墜,其總歸最終還是要?dú)w還到DDR顆粒芯片上來吧。
2023-02-12 15:06:022447

DDR4DDR5規(guī)格之間的差異

DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441332

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823

ddr4 3200和3600差別大嗎 ddr4 3200和3600可以混用嗎

DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格,它們?cè)谛阅苌蠒?huì)有一定的差別,但差別大小取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0528373

三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價(jià)格上漲

三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫(kù)存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場(chǎng)價(jià)格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:08996

DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905

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