0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

存儲器接口,數(shù)據(jù)安全的關口

新思科技 ? 來源:新思科技 ? 2023-05-09 10:52 ? 次閱讀

隨著數(shù)智時代的到來,智能設備的普及度越來越高,用戶受到網(wǎng)絡攻擊的風險和頻率也在不斷增加。然而,漏洞不只是存在于軟件中,硬件中也一樣存在。

實際上,隨著系統(tǒng)變得越來越復雜,硬件可能會成為不法分子實施攻擊的突破口。多芯片設計越來越受歡迎,攻擊面也在不斷擴大。

安全性現(xiàn)已成為半導體行業(yè)關注的焦點,保護片上系統(tǒng)(SoC)接口及相關數(shù)據(jù)的安全可以防止不法分子訪問、刪除或以其他方式操縱這類數(shù)據(jù)。無論是在高性能計算(HPC)、移動通信、物聯(lián)網(wǎng)領域還是在汽車SoC中,在保護數(shù)據(jù)的同時還需要優(yōu)化安全實現(xiàn),以保持接口的性能,同時減少對延遲和面積的影響。

DDR等高帶寬接口正在迅速增多,接口速度也一代比一代快。要想保護數(shù)據(jù),就需要保護多個重要領域,其中一個關鍵部分是片外動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。

過去十年里,先是學術研究人員提醒可能會出現(xiàn)Rowhammer攻擊,接著谷歌的Project Zero又發(fā)現(xiàn)了另一個名為RAMbleed的漏洞,這兩個漏洞都是DRAM特有的。DRAM漏洞可能會在現(xiàn)實場景中被利用,因此務必要防范Rowhammer、RAMbleed和冷啟動等攻擊,以免不法分子讀取或損壞數(shù)據(jù),或檢索到對安全至關重要的加密密鑰。隨著信息傳播速度越來越快,系統(tǒng)越來越復雜,風險也變得越來越高。因此,數(shù)據(jù)保護應當作為硬件設計的重要一環(huán),宜未雨綢繆,切不可亡羊補牢。

本文將進一步介紹黑客如何通過DRAM設備破壞數(shù)據(jù)和竊取信息,以及在SoC中保護DDR接口安全時可以考慮的一些策略。

存儲器攻擊原理?????

下面列舉一些DRAM特有的安全漏洞:

Rowhammer:采用Rowhammer策略的攻擊者旨在修改或破壞數(shù)據(jù)。Rowhammer攻擊會高速重復讀取存儲器行中的數(shù)據(jù),導致相鄰行內(nèi)頁表條目中的位發(fā)生反轉(從1到0或從0到1)。谷歌Project Zero團隊表示,攻擊者可以通過這種方式,對整個物理存儲器進行讀寫訪問。隨著尺寸不斷縮小,DRAM芯片更易受到這類攻擊,因為晶體管更密集地堆積在一起,導致在這種攻擊過程中發(fā)生溢出的風險變得更高。

RAMBleed:RAMBleed在數(shù)據(jù)跨系統(tǒng)傳輸時竊取數(shù)據(jù)。RAMBleed攻擊與Rowhammer攻擊原理相同,但會讀取信息,而不是修改信息,因此對存儲器中數(shù)據(jù)的機密性造成了威脅。通過RAMBleed攻擊方式,攻擊者可以從DRAM中提取信息。

冷啟動攻擊:在這種情況下,攻擊者可以實際接觸到系統(tǒng)。他們可以借此對特定系統(tǒng)進行硬重置,訪問啟動前的物理存儲器數(shù)據(jù)來檢索加密密鑰,并造成嚴重破壞。

通過設計保護存儲器接口

無論是在本地還是云數(shù)據(jù)中心,存儲資源及存儲其中的數(shù)據(jù)均由存儲器和存儲安全加以保障。隨著市場對更大容量以及更快訪問與處理速度的需求不斷增長,開發(fā)者轉向采用高性能、低延遲的存儲器加密解決方案,以便在采用最新一代DDR、LPDDR、GDDR和HBM存儲器接口時,能夠在保持性能的同時保護數(shù)據(jù)。

糾錯碼(ECC)曾經(jīng)是一種很受歡迎的保護緩解策略,但它只能提供有限的恢復能力。ECC并不能提升安全性,反而還會留下更多未被發(fā)現(xiàn)的漏洞,是一種不成熟的存儲器完整性保護方法。開發(fā)者通常會在找到合適的加密算法之前,使用ECC作為權宜之計。

要保護存儲器接口,最好是利用基于標準的加密技術,通過設計解決數(shù)據(jù)的保密性和完整性問題。例如,通過使用AES-XTS加密來實現(xiàn)數(shù)據(jù)保密性,可以防范Rowhammer攻擊。奇偶校驗/ECC只能發(fā)現(xiàn)1到2個位翻轉問題,而加密可以覆蓋所有位。經(jīng)過加密后,寫入存儲器的數(shù)據(jù)看起來更像是隨機數(shù)據(jù),因此Rowhammer攻擊幾乎毫無用武之地。借助存儲器加密并適當刷新的密鑰,也可以防范RAMBleed和冷啟動攻擊。除了確保數(shù)據(jù)保密性外,開發(fā)者還可以使用哈希加密算法等策略來保證數(shù)據(jù)真實性,確保數(shù)據(jù)沒有被不法分子修改,從而增強安全性。

從一開始就將安全性作為DDR接口設計的一部分同樣存在挑戰(zhàn)。其中一個挑戰(zhàn)是安全性需要做到萬無一失,因為只要有一個薄弱環(huán)節(jié),就可能會危及整個系統(tǒng)及其中的數(shù)據(jù)。例如,務必要在SoC的可信/安全區(qū)域中生成和管理密鑰,并通過專用通道分發(fā)給加密模塊。另外,整體安全架構還需要考慮到密鑰的回讀保護和控制配置。

另一個挑戰(zhàn)是,存儲器加密是有代價的,包括會影響功耗、性能、面積(PPA)和延遲。開發(fā)者需要確保DDR接口設計既安全又符合標準,同時還要高度優(yōu)化。

我們已經(jīng)見證了完整性和數(shù)據(jù)加密(IDE)安全策略在PCI Express(PCIe)和Compute Express Link(CXL)接口中的迅速普及,現(xiàn)在DDR和LPDDR等存儲器接口也將經(jīng)歷類似的發(fā)展軌跡。科技在不斷發(fā)展變化,開發(fā)者設計出更智能的解決方案,罪犯分子也變得越來越狡猾。不管選擇哪種安全策略,都應確保能夠適應不斷演變的威脅環(huán)境。

保障SoC中DDR接口安全的

幾種策略

以下幾種策略可以幫助保護SoC中的DDR接口:

設計安全的基礎架構,包括利用控制面板來實現(xiàn)身份驗證和密鑰管理,以及利用數(shù)據(jù)層來確保數(shù)據(jù)加密的完整性。

遵循相關標準。存儲器利用各種基于標準的加密算法(比如各種密鑰長度的AES-XTS)來確保數(shù)據(jù)保密性,如NIST SP800-38E中所述。

實施高度優(yōu)化的解決方案,確保可以有效地進行擴展,以支持存儲器接口的最新帶寬要求。利用流水線架構,實現(xiàn)高效的調整計算、密鑰刷新和低延遲。考慮采用各種優(yōu)化選項,例如在一個循環(huán)周期運行多個AES輪次,并使用特定的AES S盒實現(xiàn)來盡可能優(yōu)化面積或提高頻率。

支持按區(qū)域加密/解密,為各種用例提供靈活性。

在安全的環(huán)境中生成和管理密鑰。存儲器加密解決方案需要控制面組件來進行身份驗證和管理。通常,這可以通過使用具有信任根源的安全隔離區(qū)來解決。安全隔離區(qū)需要支持通過固件更新進行調整,以幫助確保密鑰管理策略經(jīng)得起未來的考驗,包括算法的潛在變化。

在保護DRAM數(shù)據(jù)方面,一種解決方案是先使用密鑰對數(shù)據(jù)進行加密,然后再發(fā)送到DDR控制器,但這種方法并不理想,因為加密模塊必須管理大量操作,以確保數(shù)據(jù)包大小合適。例如,當應用程序向存儲器中寫入一個字節(jié)的數(shù)據(jù)時,加密模塊需要讀取相應存儲器位置,并入新的字節(jié),最后再寫回存儲器中。加密模塊與存儲器相距越遠,要管理的東西就越多。這不僅影響性能預算(對于提高存儲器帶寬來說代價太高),還必須注意性能下降問題,因為要在SoC上傳輸數(shù)據(jù)。

最佳的解決方案是在DDR或LPDDR控制器內(nèi)緊密耦合加密/解密功能,從而盡可能地提高存儲器效率并降低總體延遲。同時,控制器需要盡可能地靠近存儲器。

完整的新思科技IME安全模塊

保障DDR/LPDDR的數(shù)據(jù)安全???

新思科技適用于DDR/LPDDR的內(nèi)嵌存儲加密(IME)安全模塊

有助于確保數(shù)據(jù)保密性,讓數(shù)據(jù)在通過存儲器接口傳輸或存儲在片外存儲器中時都安全無慮。該解決方案基于AES-XTS算法,符合相關標準和認證要求,而且開箱即用,能夠讓包括新思科技DDR5或LPDDR5控制器在內(nèi)的存儲器控制器實現(xiàn)高效吞吐量。它支持AES-XTS的所有密鑰大小,包括128位、256位密鑰,并支持可擴展的128位、256位和512位數(shù)據(jù)路徑。IME安全模塊通過按地址或邊帶選擇密鑰提供了按區(qū)域保護存儲器的功能,不僅延遲非常低,而且可以針對特定應用進行調整,從而獲得最佳PPA。DDR5和LPDDR5控制器中實現(xiàn)了存儲器加密,不僅能夠幫助開發(fā)者節(jié)省并優(yōu)化性能預算,而且延遲非常低。

隨著我們的世界越來越頻繁地在云端運行,市場對虛擬化的需求一直在不斷增長,存儲器保護中也需要充分考慮到這一情況。新思科技的IME安全模塊能夠管理不同虛擬環(huán)境中不同區(qū)域的數(shù)據(jù)保護,非常適合支持各種云計算虛擬化環(huán)境。

除了DDR/LPDDR安全接口外,新思科技還為各種使用廣泛的協(xié)議提供完整的標準化安全接口解決方案,具體協(xié)議包括PCIe、CXL、HDMI、DisplayPort、USB Type-C以太網(wǎng)。這些解決方案能夠滿足最具挑戰(zhàn)性的要求,讓開發(fā)者能夠在其SoC中快速實現(xiàn)所需的安全性,從而降低安全風險并縮短產(chǎn)品上市時間。

??審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    334

    文章

    27367

    瀏覽量

    218757
  • DRAM
    +關注

    關注

    40

    文章

    2315

    瀏覽量

    183500
  • 存儲器
    +關注

    關注

    38

    文章

    7492

    瀏覽量

    163842
  • 接口
    +關注

    關注

    33

    文章

    8598

    瀏覽量

    151163
  • 數(shù)據(jù)安全

    關注

    2

    文章

    681

    瀏覽量

    29948

原文標題:存儲器接口,數(shù)據(jù)安全的關口

文章出處:【微信號:Synopsys_CN,微信公眾號:新思科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    求助 數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器的區(qū)別

    數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 11-29 09:50

    基于NIOS II的SOPC中存儲器型外設接口的設計

    耦合主端口都可以通過緊耦合接口與緊耦合從端口進行連接,因此,需要雙端口存儲器與緊耦合指令主端口進行連接。由于緊耦合指令主端口只能訪問可執(zhí)行代碼,因此,雙端口存儲器的第二個存儲器端口應當
    發(fā)表于 12-07 10:27

    DDR3存儲器接口控制IP助力數(shù)據(jù)處理應用

    。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點,使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制是非常重要的。視屏處理應用就是一個很好的示例,說明了DDR3
    發(fā)表于 05-24 05:00

    采用DSP實現(xiàn)存儲器接口設計

    TMS320C32的外部存儲器接口的特點  TMS320C32是一個32位微處理,它可以通過24位地址總線、32位數(shù)據(jù)總線和選通信號對外部存儲器
    發(fā)表于 06-12 05:00

    詳解多功能雙接口存儲器方案

    系統(tǒng)典型應用簡介與傳統(tǒng)的雙接口存儲器相比,使用MSP430FRXX 實現(xiàn)的雙端口存儲器不僅可實現(xiàn)非常高的數(shù)據(jù)吞吐率(最高到125Kbyte/s),同時提供
    發(fā)表于 06-12 05:00

    基于DSP的存儲器接口寬度調節(jié)設計

    TMS320C32的外部存儲器接口的特點  TMS320C32是一個32位微處理,它可以通過24位地址總線、32位數(shù)據(jù)總線和選通信號對外部存儲器
    發(fā)表于 06-14 05:00

    汽車系統(tǒng)非易失性存儲器的選擇

    切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準數(shù)據(jù)、安全性能和防護
    發(fā)表于 07-23 06:15

    怎么縮短高端存儲器接口設計?

    如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實現(xiàn)高速接口?怎么縮短高端存儲器接口設計?
    發(fā)表于 04-29 07:00

    如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口?

    如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口?
    發(fā)表于 05-06 07:23

    存儲器接口

    6.1  存儲器概述1、存儲器定義      在微機系統(tǒng)中凡能存儲程序和數(shù)據(jù)的部件統(tǒng)稱為
    發(fā)表于 12-20 02:26 ?50次下載
    <b class='flag-5'>存儲器</b><b class='flag-5'>接口</b>

    便攜存儲器接口

    便攜存儲器接口            接口類型是指該便攜存儲產(chǎn)品所采用的與電腦系統(tǒng)相連接的
    發(fā)表于 01-09 14:51 ?1338次閱讀

    串行外設接口(SPI)擴展大容量數(shù)據(jù)存儲器

    在許多實際應用中經(jīng)常面臨的問題是需要支持大容量的數(shù)據(jù)存儲功能。 但是采用常規(guī)擴展外部 數(shù)據(jù)存儲器 的方法,需要大量的地址總線和數(shù)據(jù)總線引腳,
    發(fā)表于 04-08 09:20 ?5005次閱讀
    串行外設<b class='flag-5'>接口</b>(SPI)擴展大容量<b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b><b class='flag-5'>存儲器</b>

    如何創(chuàng)建UltraScale存儲器接口設計

    了解如何使用Vivado存儲器接口生成器(MIG)創(chuàng)建UltraScale存儲器接口設計。 本視頻將向您展示如何為UltraScale器件配置MIG IP內(nèi)核,包括MIG IP I
    的頭像 發(fā)表于 11-22 07:13 ?2893次閱讀

    AVR單片機與串行存儲器接口

    串行接口存儲器廣泛應用于消費類、汽車、電信、醫(yī)療、工業(yè)和 PC 相關市場。串行存儲器主要用于存儲個人偏好數(shù)據(jù)和配置/設置
    發(fā)表于 03-31 11:14 ?7次下載
    AVR單片機與串行<b class='flag-5'>存儲器</b>的<b class='flag-5'>接口</b>

    存儲器接口產(chǎn)品手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《存儲器接口產(chǎn)品手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-29 09:31 ?2次下載
    <b class='flag-5'>存儲器</b><b class='flag-5'>接口</b>產(chǎn)品手冊