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      標簽　>　DRAM

      DRAM

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      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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      DRAM簡介

      　　DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      　　工作原理

      　　動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。

      　　3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。

      　　寫操作時，寫選擇線為“1”，所以Q1導通，要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極，并通過柵極電容在一定時間內(nèi)保持信息。

      　　讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時，Q3處于可導通的狀態(tài)。若原來存有“1”，則Q2導通，讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電，此時讀得的信息為“0”，正好和原存信息相反；若原存信息為“0”，則Q3盡管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為“1”。可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反，所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。

      DRAM百科

      　　DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      　　工作原理

      　　動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。

      　　3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。

      　　寫操作時，寫選擇線為“1”，所以Q1導通，要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極，并通過柵極電容在一定時間內(nèi)保持信息。

      　　讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時，Q3處于可導通的狀態(tài)。若原來存有“1”，則Q2導通，讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電，此時讀得的信息為“0”，正好和原存信息相反；若原存信息為“0”，則Q3盡管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為“1”?？梢姡瑢@樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反，所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。

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      dram知識

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