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      Kioxia發(fā)布OCTRAM技術(shù)，開啟低功耗DRAM新篇章

      科技綠洲 ? 來源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-12-24 11:16 ? 次閱讀

      近日，在存儲器解決方案領(lǐng)域，Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實力，宣布成功開發(fā)出OCTRAM(氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM)技術(shù)。這一新型4F2 DRAM技術(shù)，結(jié)合了高導(dǎo)通電流與超低關(guān)斷電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管，標(biāo)志著DRAM技術(shù)的一大進(jìn)步。

      2024年12月9日，在加州舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上，Kioxia首次公布了這一技術(shù)突破。據(jù)悉，OCTRAM技術(shù)是Kioxia與Nanya Technology共同研發(fā)的成果。

      OCTRAM技術(shù)的核心在于InGaZnO晶體管的超低泄漏特性，這一特性為實現(xiàn)低功耗DRAM提供了可能。隨著AI、后5G通信系統(tǒng)以及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的快速發(fā)展，對低功耗存儲器的需求日益迫切。OCTRAM技術(shù)的出現(xiàn)，有望為這些應(yīng)用帶來顯著的功耗降低，從而推動相關(guān)領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展。

      作為存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Kioxia此次的技術(shù)創(chuàng)新再次證明了其在DRAM領(lǐng)域的深厚底蘊和持續(xù)創(chuàng)新能力。未來，隨著OCTRAM技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用推廣，我們有理由相信，它將為更多領(lǐng)域帶來革命性的變化，推動整個半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)進(jìn)步。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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