完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > Flash存儲器
FLASH閃存 閃存的英文名稱是“Flash Memory”,一般簡稱為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。
FLASH閃存 閃存的英文名稱是“Flash Memory”,一般簡稱為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。閃存的物理特性與常見的內(nèi)存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性內(nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無法保持,因此每次電腦開機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲特性相當(dāng)于硬盤,這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
FLASH閃存 閃存的英文名稱是“Flash Memory”,一般簡稱為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。閃存的物理特性與常見的內(nèi)存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性內(nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無法保持,因此每次電腦開機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲特性相當(dāng)于硬盤,這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
工作原理
發(fā)現(xiàn)者
1957年,受雇于索尼公司的江崎玲於奈(Leo Esaki,1925~)在改良高頻晶體管2T7的過程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)增加PN結(jié)兩端的電壓時電流反而減少,江崎玲於奈將這種反常的負(fù)電阻現(xiàn)象解釋為隧道效應(yīng)。此后,江崎利用這一效應(yīng)制成了隧道二極管(也稱江崎二極管)。
1960年,美裔挪威籍科學(xué)家加埃沃(Ivan Giaever,1929~)通過實(shí)驗(yàn)證明了在超導(dǎo)體隧道結(jié)中存在單電子隧道效應(yīng)。在此之前的1956年出現(xiàn)的“庫珀對”及BCS理論被公認(rèn)為是對超導(dǎo)現(xiàn)象的完美解釋,單電子隧道效應(yīng)無疑是對超導(dǎo)理論的一個重要補(bǔ)充。
1962年,年僅22歲的英國劍橋大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理學(xué)研究生約瑟夫森(Brian David Josephson,1940~)預(yù)言,當(dāng)兩個超導(dǎo)體之間設(shè)置一個絕緣薄層構(gòu)成SIS(Superconductor-Insulator-Superconductor)時,電子可以穿過絕緣體從一個超導(dǎo)體到達(dá)另一個超導(dǎo)體。約瑟夫森的這一預(yù)言不久就為P.W.安德森和J.M.羅厄耳的實(shí)驗(yàn)觀測所證實(shí)——電子對通過兩塊超導(dǎo)金屬間的薄絕緣層(厚度約為10埃)時發(fā)生了隧道效應(yīng),于是稱之為“約瑟夫森效應(yīng)”。 宏觀量子隧道效應(yīng)確立了微電子器件進(jìn)一步微型化的極限,當(dāng)微電子器件進(jìn)一步微型化時必須要考慮上述的量子效應(yīng)。例如,在制造半導(dǎo)體集成電路時,當(dāng)電路的尺寸接近電子波長時,電子就通過隧道效應(yīng)而穿透絕緣層,使器件無法正常工作。因此,宏觀量子隧道效應(yīng)已成為微電子學(xué)、光電子學(xué)中的重要理論。
應(yīng)用
閃存
閃存的存儲單元為三端器件,與場效應(yīng)管有相同的名稱:源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層,用來保護(hù)浮置柵極中的電荷不會泄漏。采用這種結(jié)構(gòu),使得存儲單元具有了電荷保持能力,就像是裝進(jìn)瓶子里的水,當(dāng)你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以閃存具有記憶能力。
與場效應(yīng)管一樣,閃存也是一種電壓控制型器件。NAND型閃存的擦和寫均是基于隧道效應(yīng),電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層,對浮置柵極進(jìn)行充電(寫數(shù)據(jù))或放電(擦除數(shù)據(jù))。而NOR型閃存擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應(yīng)(電流從浮置柵極到硅基層),但在寫入數(shù)據(jù)時則是采用熱電子注入方式(電流從浮置柵極到源極)。
場效應(yīng)管工作原理場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
在STM32F407單片機(jī)上使用多塊不連續(xù)空間實(shí)現(xiàn)堆的軟件方法介紹
在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中,需要根據(jù)系統(tǒng)的功能需求選擇相應(yīng)的單片機(jī)。筆者參與開發(fā)的一款中央空調(diào)主控制板選用了意法半導(dǎo)體公司的 STM32F407 單片機(jī),這一系...
2024-03-20 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)加速器Flash存儲器 3375 0
淺談flash存儲器的特點(diǎn)和優(yōu)缺點(diǎn)
Flash存儲器的寫操作具有特殊性,它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0,而不能從0寫成1。因此,在對存儲器進(jìn)行寫入操作之前,必須先執(zhí)行擦除操作,將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初...
基于SILICON C8051的JTAG是如何進(jìn)行燒錄的?
FLASH由一系列的頁組成,每頁512字節(jié)。FLASHCON寄存器設(shè)置為0x20,F(xiàn)LASHDAT寄存器設(shè)置為0xA5,F(xiàn)LASHADR寄存器可以設(shè)置為...
MC32F7062A0Y助力Baseus倍思Bowie WM02+真無線耳機(jī)
MC32F7062系列是一款集成8位CPU內(nèi)核,4K×16bit FLASH型程序存儲器,256byte SRAM型通用數(shù)據(jù)存儲器,256byte EE...
超低功耗MCU的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,能夠滿足終端應(yīng)用設(shè)備的持久使用和待機(jī)需求,能夠提升終端應(yīng)用設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性,保證設(shè)備高頻反饋且不受影響。
以太網(wǎng)與CAN總線間協(xié)議如何轉(zhuǎn)換?
隨著Internet的普及,實(shí)現(xiàn)智能家居遠(yuǎn)程控制不再是人們的夢想,所謂遠(yuǎn)程控制,是指管理人員在異地通過計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)異地?fù)芴柣螂p方都接入Internet等手段
在SoC中,存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設(shè)計中,根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲器類型和大小。
2023-09-18 標(biāo)簽:存儲器SoC設(shè)計Flash存儲器 946 0
使用GUI Guider工具開發(fā)嵌入式GUI應(yīng)用(2)
GUI Guider本質(zhì)上是一個方便嵌入式開發(fā)者基于LVGL開發(fā)GUI應(yīng)用的源碼生成器工具,其作用是幫助開發(fā)者生成LVGL的應(yīng)用源碼,GUI Guide...
2023-08-16 標(biāo)簽:微控制器嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器 3522 0
SPI總線的原理與Verilog設(shè)計實(shí)現(xiàn)
SPI(Serial Peripheral Interface,串行外圍設(shè)備接口),是Motorola公司提出的一種同步串行接口技術(shù)
2023-08-14 標(biāo)簽:SPI總線數(shù)模轉(zhuǎn)換器Flash存儲器 1197 0
類別:存儲器技術(shù) 2011-03-31 標(biāo)簽:NANDFlash存儲器
類別:存儲器技術(shù) 2011-03-31 標(biāo)簽:NAND均衡Flash存儲器
中微半導(dǎo)推出AEC-Q100 Grade 0車規(guī)級32位MCU BAT32A337系列
近日,中微半導(dǎo)體(深圳)股份有限公司(以下簡稱:中微半導(dǎo)股票代碼:688380)宣布推出通過AEC-Q100 Grade 0的32位車規(guī)MCU BAT3...
2024-03-27 標(biāo)簽:傳感器mcu中微半導(dǎo)體 1554 0
力生美亮相上海AWE,用“芯”助力智慧家電產(chǎn)業(yè)
3.14-17日,中國家電及消費(fèi)電子博覽會(AWE),在上海新國際博覽中心順利舉辦。
NAND Flash的寫入速度和擦除速度會受到多種因素的影響,包括Flash芯片的具體型號、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此,無法給出確切的數(shù)值。
2024-02-19 標(biāo)簽:NANDFlash存儲器Nand flash 4091 0
v853和v851參數(shù)對比 v853和v851是兩款Wi-Fi模塊,由于它們都是同一家公司出品,所以有些參數(shù)相似,但是它們之間也存在一些不同的地方。在本...
M3芯片和M2芯片參數(shù)對比 隨著電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展,各種高科技元器件不斷涌現(xiàn),芯片也是其中的主要元器件之一。 M3和M2芯片都是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中使用頻率較...
第一季度業(yè)績爆發(fā)!北京君正第一顆Nor Flash芯片已投片
近日,在投資者互動平臺上,開發(fā)者向北京君正提問:消費(fèi)級Nor Flash什么時候銷售等問題。北京君正回復(fù)稱,目前消費(fèi)級Nor Flash第一顆產(chǎn)品已投片...
Dialog半導(dǎo)體公司推出業(yè)內(nèi)功耗最低的閃存器件,進(jìn)一步豐富其IoT產(chǎn)品組合
與現(xiàn)有的SPI NOR Flash解決方案相比,AT25EU系列最大的差異化特性是在不影響性能的前提下實(shí)現(xiàn)了更低的總能耗。
網(wǎng)絡(luò)帶寬的單位成本和硬盤成本都在下降,多站點(diǎn)容災(zāi)恢復(fù)(DR)、重復(fù)數(shù)據(jù)刪除,還有更多其他技術(shù)的發(fā)展將推動在線存儲的普及。因此,我有充足的理由認(rèn)為,這個變...
存儲器:用來存放計算機(jī)中的所有信息:包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。
由于硬件成本原因,在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊,通常我們可以采用在片內(nèi)FLASH存儲器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來達(dá)到使用要求。對...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |