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標(biāo)簽 > Flash存儲(chǔ)器
FLASH閃存 閃存的英文名稱(chēng)是“Flash Memory”,一般簡(jiǎn)稱(chēng)為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。
FLASH閃存 閃存的英文名稱(chēng)是“Flash Memory”,一般簡(jiǎn)稱(chēng)為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存有根本性的差異:目前各類(lèi) DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性?xún)?nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無(wú)法保持,因此每次電腦開(kāi)機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán),這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
FLASH閃存 閃存的英文名稱(chēng)是“Flash Memory”,一般簡(jiǎn)稱(chēng)為“Flash”,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存有根本性的差異:目前各類(lèi) DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性?xún)?nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無(wú)法保持,因此每次電腦開(kāi)機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán),這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
工作原理
發(fā)現(xiàn)者
1957年,受雇于索尼公司的江崎玲於奈(Leo Esaki,1925~)在改良高頻晶體管2T7的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)增加PN結(jié)兩端的電壓時(shí)電流反而減少,江崎玲於奈將這種反常的負(fù)電阻現(xiàn)象解釋為隧道效應(yīng)。此后,江崎利用這一效應(yīng)制成了隧道二極管(也稱(chēng)江崎二極管)。
1960年,美裔挪威籍科學(xué)家加埃沃(Ivan Giaever,1929~)通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明了在超導(dǎo)體隧道結(jié)中存在單電子隧道效應(yīng)。在此之前的1956年出現(xiàn)的“庫(kù)珀對(duì)”及BCS理論被公認(rèn)為是對(duì)超導(dǎo)現(xiàn)象的完美解釋?zhuān)瑔坞娮铀淼佬?yīng)無(wú)疑是對(duì)超導(dǎo)理論的一個(gè)重要補(bǔ)充。
1962年,年僅22歲的英國(guó)劍橋大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理學(xué)研究生約瑟夫森(Brian David Josephson,1940~)預(yù)言,當(dāng)兩個(gè)超導(dǎo)體之間設(shè)置一個(gè)絕緣薄層構(gòu)成SIS(Superconductor-Insulator-Superconductor)時(shí),電子可以穿過(guò)絕緣體從一個(gè)超導(dǎo)體到達(dá)另一個(gè)超導(dǎo)體。約瑟夫森的這一預(yù)言不久就為P.W.安德森和J.M.羅厄耳的實(shí)驗(yàn)觀測(cè)所證實(shí)——電子對(duì)通過(guò)兩塊超導(dǎo)金屬間的薄絕緣層(厚度約為10埃)時(shí)發(fā)生了隧道效應(yīng),于是稱(chēng)之為“約瑟夫森效應(yīng)”。 宏觀量子隧道效應(yīng)確立了微電子器件進(jìn)一步微型化的極限,當(dāng)微電子器件進(jìn)一步微型化時(shí)必須要考慮上述的量子效應(yīng)。例如,在制造半導(dǎo)體集成電路時(shí),當(dāng)電路的尺寸接近電子波長(zhǎng)時(shí),電子就通過(guò)隧道效應(yīng)而穿透絕緣層,使器件無(wú)法正常工作。因此,宏觀量子隧道效應(yīng)已成為微電子學(xué)、光電子學(xué)中的重要理論。
應(yīng)用
閃存
閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件,與場(chǎng)效應(yīng)管有相同的名稱(chēng):源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層,用來(lái)保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏。采用這種結(jié)構(gòu),使得存儲(chǔ)單元具有了電荷保持能力,就像是裝進(jìn)瓶子里的水,當(dāng)你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以閃存具有記憶能力。
與場(chǎng)效應(yīng)管一樣,閃存也是一種電壓控制型器件。NAND型閃存的擦和寫(xiě)均是基于隧道效應(yīng),電流穿過(guò)浮置柵極與硅基層之間的絕緣層,對(duì)浮置柵極進(jìn)行充電(寫(xiě)數(shù)據(jù))或放電(擦除數(shù)據(jù))。而NOR型閃存擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應(yīng)(電流從浮置柵極到硅基層),但在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)則是采用熱電子注入方式(電流從浮置柵極到源極)。
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
什么是閃存?閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件,與場(chǎng)效應(yīng)管有相同的名稱(chēng):源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層,用來(lái)保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏。
2016-11-01 標(biāo)簽:閃存flash存儲(chǔ)器 2.5萬(wàn) 0
flash存儲(chǔ)器的作用_flash存儲(chǔ)器有什么用
FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存 ,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位...
2017-10-11 標(biāo)簽:flash存儲(chǔ)器 2.3萬(wàn) 0
Nand-flash存儲(chǔ)器工作原理及其操作實(shí)例(以K9F1208UOB為例)
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)...
2017-10-11 標(biāo)簽:nandflash存儲(chǔ)器k9f1208uob 2.2萬(wàn) 0
flash存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)原理及次數(shù)
FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù),F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器通常被用來(lái)保...
2017-10-13 標(biāo)簽:flash存儲(chǔ)器讀寫(xiě)原理讀寫(xiě)次數(shù) 2.2萬(wàn) 0
FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,...
2017-10-11 標(biāo)簽:flash存儲(chǔ)器 1.6萬(wàn) 0
常見(jiàn)閃存芯片型號(hào)/容量/廠家盤(pán)點(diǎn)
閃存芯片又稱(chēng)Flash存儲(chǔ)器,分為SLC 、MLC和TLC三類(lèi)。SLC和MLC分別是Single-Level Cell(單層單元)和Multi-Leve...
2019-02-05 標(biāo)簽:三星電子閃存芯片Flash存儲(chǔ)器 1.1萬(wàn) 0
對(duì)ROM和RAM以及FLASH存儲(chǔ)器的詳細(xì)解析
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě),RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。ROM在系統(tǒng)...
2018-01-19 標(biāo)簽:romramflash存儲(chǔ)器 1.1萬(wàn) 0
SST39SF040芯片介紹 SST39SF040與MCS-51的接口設(shè)計(jì)
Flash存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃速存儲(chǔ)器,是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn),既可以在線(xiàn)擦除、改寫(xiě),又能夠在...
2018-09-17 標(biāo)簽:單片機(jī)Flash存儲(chǔ)器 1.1萬(wàn) 0
FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,...
2017-10-11 標(biāo)簽:flash存儲(chǔ)器 8736 0
Flash存儲(chǔ)器,又叫做閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器。具有操作方便讀寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)。一般用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)和程序代碼,或者用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2023-06-02 標(biāo)簽:控制器STDFlash存儲(chǔ)器 7701 0
PIC16F1937/PIC16F1938/PIC16F1939中文資料,pdf (8位CMOS閃存單片機(jī))立即下載
類(lèi)別:IC中文資料 2010-01-16 標(biāo)簽:單片機(jī)flash存儲(chǔ)器PIC16F1937
類(lèi)別:傳感與控制 2017-04-21 標(biāo)簽:flash存儲(chǔ)器w25q128fv
AT24C51中文資料,pdf (電可擦的可編程存儲(chǔ)器(EE立即下載
類(lèi)別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2009-10-06 標(biāo)簽:EEPROMflash存儲(chǔ)器
SG 74HC164/SG 54HC164中文資料,pdf立即下載
類(lèi)別:IC中文資料 2010-01-06 標(biāo)簽:寄存器flash存儲(chǔ)器
AT24C1024 pdf datasheet (2-wir立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2009-04-09 標(biāo)簽:EEPROMflash存儲(chǔ)器
類(lèi)別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2011-03-31 標(biāo)簽:NANDFlash存儲(chǔ)器
類(lèi)別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2011-03-31 標(biāo)簽:NAND均衡Flash存儲(chǔ)器
AT24C08/AT24C16 pdf datasheet立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2009-04-09 標(biāo)簽:EEPROMflash存儲(chǔ)器
類(lèi)別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2011-03-31 標(biāo)簽:NANDFlash存儲(chǔ)器壞塊管理
基于DSP的FPGA配置方法研究與實(shí)現(xiàn)立即下載
類(lèi)別:DSP 2017-10-19 標(biāo)簽:flash存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片
flash存儲(chǔ)器,及閃速存儲(chǔ)器,這一類(lèi)型的存儲(chǔ)器具有速度快、方便等特點(diǎn),是人們使用電腦辦公或者娛樂(lè)時(shí)必備的工具。
2017-10-30 標(biāo)簽:閃存flash存儲(chǔ)器 3.3萬(wàn) 0
M3芯片和M2芯片參數(shù)對(duì)比 隨著電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展,各種高科技元器件不斷涌現(xiàn),芯片也是其中的主要元器件之一。 M3和M2芯片都是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中使用頻率較...
2023-08-16 標(biāo)簽:處理器Flash存儲(chǔ)器 1.6萬(wàn) 0
存儲(chǔ)器:用來(lái)存放計(jì)算機(jī)中的所有信息:包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。
2020-06-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器Flash存儲(chǔ)器華秋DFM 1.3萬(wàn) 0
FLASH存儲(chǔ)器怎樣寫(xiě)入數(shù)據(jù)
MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲(chǔ)器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段,其中信息存儲(chǔ)器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié),其他段有...
2018-04-10 標(biāo)簽:寄存器FLASH存儲(chǔ)器 8599 0
第一季度業(yè)績(jī)爆發(fā)!北京君正第一顆Nor Flash芯片已投片
近日,在投資者互動(dòng)平臺(tái)上,開(kāi)發(fā)者向北京君正提問(wèn):消費(fèi)級(jí)Nor Flash什么時(shí)候銷(xiāo)售等問(wèn)題。北京君正回復(fù)稱(chēng),目前消費(fèi)級(jí)Nor Flash第一顆產(chǎn)品已投片...
2021-05-11 標(biāo)簽:Flash存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片北京君正 6062 0
基于多端口串行Flash的條形LED顯示屏控制系統(tǒng)
為了不增加硬件成本而提高顯示數(shù)據(jù)的輸出速度,在分析現(xiàn)有條形LED顯示屏單元板電路的基礎(chǔ)上,提出了一種基于多端口串行Flash存儲(chǔ)器的LED顯示控制系統(tǒng),...
2012-08-07 標(biāo)簽:led顯示屏flash存儲(chǔ)器SST26VF016B 4348 0
NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度分別是多少
NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度會(huì)受到多種因素的影響,包括Flash芯片的具體型號(hào)、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此,無(wú)法給出確切的數(shù)值。
2024-02-19 標(biāo)簽:NANDFlash存儲(chǔ)器Nand flash 4090 0
Dialog半導(dǎo)體公司推出業(yè)內(nèi)功耗最低的閃存器件,進(jìn)一步豐富其IoT產(chǎn)品組合
與現(xiàn)有的SPI NOR Flash解決方案相比,AT25EU系列最大的差異化特性是在不影響性能的前提下實(shí)現(xiàn)了更低的總能耗。
2021-04-27 標(biāo)簽:閃存dialogFlash存儲(chǔ)器 3480 0
由于硬件成本原因,在許多嵌入式處理器中并沒(méi)有集成EEPROM 模塊,通常我們可以采用在片內(nèi)FLASH存儲(chǔ)器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來(lái)達(dá)到使用要求。對(duì)...
2020-04-09 標(biāo)簽:FlaShEEPROMFlash存儲(chǔ)器 3253 0
串行Flash存儲(chǔ)器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn),在IC卡和便攜式智能檢測(cè)儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介 紹一種通過(guò)51系列單片機(jī)的...
2010-07-02 標(biāo)簽:flash存儲(chǔ)器 2637 0
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