PID測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與光照對(duì)PID組件的影響介紹

　　PID試驗(yàn)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要是溫度和濕度方面。通過(guò)實(shí)驗(yàn)室模擬實(shí)際運(yùn)行環(huán)境，并將環(huán)境條件的惡劣程度放大，計(jì)算對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的運(yùn)行時(shí)間，達(dá)到時(shí)間和環(huán)境等效的結(jié)果，這是各種實(shí)驗(yàn)室測(cè)試PID的最終目的。

　　業(yè)內(nèi)不知道25C常溫和60C及85C下做PID測(cè)試到底有什么區(qū)別，也沒(méi)有實(shí)際的研究去證明時(shí)溫等效在PID上的計(jì)算公式。這方面筆者只能提出疑問(wèn)，說(shuō)不出個(gè)所以然。尤其是溫度上，總覺(jué)得夏天的陽(yáng)光下，不發(fā)電都會(huì)有五、六十度的高溫，用85C來(lái)模擬，根本不能算是加速試驗(yàn)，更不要說(shuō)常溫或60C了。就濕度上來(lái)說(shuō)，沿海地區(qū)或內(nèi)陸地區(qū)下完雷陣雨后85%的濕度也就是環(huán)境濕度，甚至還不到環(huán)境濕度。真的無(wú)法評(píng)說(shuō)。

　　那么，難道要放在釜里去煮??？筆者沒(méi)有這樣的研究，或許將來(lái)真有這種需要，用HAST的方法做PID。

　　除了溫濕度，再談?wù)勂渌目赡墉h(huán)境因素。

　　首當(dāng)其沖的，筆者得講講光照的影響。

　　PID在什么時(shí)候會(huì)發(fā)生？答曰：需要有系統(tǒng)電壓加在組件上，并且因邊框接地而對(duì)地形成電勢(shì)差。所以，形成PID必須是在系統(tǒng)發(fā)電的時(shí)候，不會(huì)在晚上。這就帶來(lái)一個(gè)問(wèn)題，即光照條件對(duì)組件帶來(lái)什么影響。

　　光照可能從兩方面對(duì)組件的PID產(chǎn)生作用。

　　一是當(dāng)光照時(shí)組件本身的發(fā)電情景，此時(shí)組件內(nèi)部是有電流通過(guò)的，而現(xiàn)有PID試驗(yàn)是將組件的正負(fù)極短接后進(jìn)行實(shí)驗(yàn)的，這到底有什么區(qū)別？有說(shuō)法是產(chǎn)生PID效應(yīng)時(shí)，陣列中的某塊組件正好處于不發(fā)電或低于正常發(fā)電量的狀態(tài)，如組件被局部遮擋時(shí)。此時(shí)被遮擋單元的電流不是或不完全是通過(guò)光生伏打效應(yīng)進(jìn)行的，而是系統(tǒng)的電流強(qiáng)行流過(guò)，甚至是沒(méi)有電流通過(guò)，而串聯(lián)陣列中的下游組件繼續(xù)在發(fā)電，被遮擋處就成了電流的瓶頸，導(dǎo)致接地的邊框產(chǎn)生從地到玻璃到電池片的“倒灌漏電流”，玻璃中的金屬離子遷移到電池片表面上，破壞了電池的N型電場(chǎng)結(jié)構(gòu)。在這種情況下，光照對(duì)PID的影響到底是什么。

　　第二種情況是經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期光照的組件對(duì)PID的抵抗能力。一般客戶在自測(cè)或給認(rèn)證機(jī)構(gòu)送樣時(shí)都是新組件。這時(shí)候組件各部分材料的性能都保持得比較完整的。如EVA，是沒(méi)有經(jīng)過(guò)任何光照、紫外降解的新鮮EVA。此時(shí)EVA材料內(nèi)游離的醋酸成分（或者說(shuō)VA中的V成分）是很少的，做PID試驗(yàn)時(shí)只有靠這一點(diǎn)醋酸成分以及試驗(yàn)過(guò)程中可能產(chǎn)生的游離醋酸成分帶動(dòng)玻璃中金屬離子的遷移（當(dāng)然EVA分子結(jié)構(gòu)因?yàn)榇姿岬拇嬖谙鄬?duì)于聚烯烴來(lái)說(shuō)極性更強(qiáng)一點(diǎn)，分子極化可能也會(huì)有助于漏電流的形成，所以EVA的體積電阻（10的14次方數(shù)量級(jí)）一般要比聚烯烴（10的18次方數(shù)量級(jí)）低）。尤其是抗材料廠推出的抗PID的EVA，VA含量尤其低，這樣的組件做當(dāng)前試驗(yàn)方法下的抗PID試驗(yàn)，漏電流就會(huì)比較低，給大家的結(jié)果自然是96小時(shí)內(nèi)沒(méi)有發(fā)現(xiàn)PID效應(yīng)。