**產(chǎn)品型號：** HAT1129RJ-VB
**絲印：** VBA2311
**品牌：** VBsemi
**參數(shù)：**
- **溝道類型：** P—Channel
- **最大耐壓：** -30V
- **最大電流：** -11A
- **導(dǎo)通電阻：** RDS(ON)=10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **門源極閾值電壓：** Vth=-1.42V
**封裝：** SOP8
**詳細(xì)參數(shù)說明：**
HAT1129RJ-VB是一款P—Channel溝道的MOSFET，具有最大-30V的耐壓和最大-11A的電流特性。在VGS為10V和20V時，導(dǎo)通電阻為10mΩ。門源極閾值電壓為-1.42V。該器件采用SOP8封裝，適用于高性能電源和功率管理應(yīng)用。
**應(yīng)用簡介：**
HAT1129RJ-VB廣泛應(yīng)用于要求高性能P—Channel溝道MOSFET的電路中。其低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性使其在功率開關(guān)和放大器應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
**適用領(lǐng)域和模塊舉例：**
1. **電源開關(guān)模塊：** 由于HAT1129RJ-VB的P—Channel溝道特性，適用于電源開關(guān)模塊，可實現(xiàn)高效的電源管理。
2. **電動汽車充電控制：** 在電動汽車充電控制電路中，HAT1129RJ-VB可用于功率開關(guān)，確保電能傳輸?shù)母咝浴?br>3. **電機驅(qū)動器：** 由于其-11A的最大電流，適用于電機驅(qū)動器中，可用于控制電機的啟停和速度調(diào)節(jié)。
**注意：** 在使用前，請仔細(xì)閱讀產(chǎn)品手冊和規(guī)格書，確保在規(guī)定的電氣和溫度條件下使用。
