**1. 產(chǎn)品簡介：**
BSZ040N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(3x3)。采用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適合用于高效能和高功率密度的電子應(yīng)用。
**2. 詳細(xì)參數(shù)說明：**
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ（在 VGS=4.5V 時）
- 4.5mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術(shù)**: Trench
**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**
BSZ040N04LS G-VB 適用于高效能電源管理和功率開關(guān)應(yīng)用，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、高功率 LED 驅(qū)動電路和電源開關(guān)。其超低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在要求高效率和高功率密度的場景中表現(xiàn)出色，特別適合于需要高開關(guān)速度和低功率損耗的應(yīng)用。
