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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSS84AKW-VB一款Single-P溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSS84AKW-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-3
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
BSS84AKW-VB 是一款 P-Channel MOSFET,封裝為 SC70-3,專為中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的 VDS(漏極-源極最大電壓)為 -60V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V,漏極電流 ID 達(dá)到 -0.135A。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 5000mΩ(在 VGS=4.5V 時(shí))和 4000mΩ(在 VGS=10V 時(shí)),采用溝槽型工藝技術(shù),適合于低功耗、小型開(kāi)關(guān)電路和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **封裝**: SC70-3
- **類型**: 單極性 P-Channel MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: -60V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 5000mΩ @ VGS = 4.5V;4000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: -0.135A
- **技術(shù)**: 溝槽型工藝

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:在低功耗負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,BSS84AKW-VB 能夠有效地處理負(fù)載電流,并通過(guò)其小型封裝適合于緊湊型電子設(shè)備。
2. **電源管理**:適用于電源管理系統(tǒng)中的負(fù)極開(kāi)關(guān),能夠控制負(fù)載電流并有效地管理電源流。
3. **信號(hào)開(kāi)關(guān)**:在需要負(fù)電壓切換的信號(hào)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,該 MOSFET 可作為信號(hào)開(kāi)關(guān),提供可靠的負(fù)電流開(kāi)關(guān)功能,適合用于小型電子設(shè)計(jì)。

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