企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.4w 內(nèi)容數(shù) 34w+ 瀏覽量 7 粉絲

BSZ035N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSZ035N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSZ035N03LS G-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,封裝形式為DFN8(3x3)。該MOSFET設(shè)計(jì)用于低電壓、高電流應(yīng)用,具有30V的漏源電壓(VDS)和最大20V的柵源電壓(VGS)。它具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流能力,非常適合用于高效率的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSZ035N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 60A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSZ035N03LS G-VB** 主要適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**: 在高電流電源管理系統(tǒng)中使用,如電源轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和低功率損耗。
2. **開關(guān)電路**: 在高電流開關(guān)電路中,如負(fù)載開關(guān)和電源開關(guān),提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,確保高效能。
3. **電動(dòng)驅(qū)動(dòng)**: 用于電動(dòng)汽車或其他電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,處理高電流負(fù)載,優(yōu)化系統(tǒng)性能和效率。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中需要高電流和低功耗的場景,提升設(shè)備的可靠性和性能。

該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在各種高效率電源管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

為你推薦