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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSS84W-7-F-VB一款Single-P溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSS84W-7-F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-3
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
BSS84W-7-F-VB 是一款單通道 P 溝道 MOSFET,封裝為 SC70-3,設(shè)計用于中低電流應(yīng)用。它具有 -60V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 -1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動電壓下,導(dǎo)通電阻為 5000mΩ,在 10V 的柵極驅(qū)動電壓下為 4000mΩ。最大漏極電流為 -0.135A,采用 Trench 技術(shù),適用于低功耗和小型電子設(shè)備中的開關(guān)控制。

### 參數(shù)說明
- **型號**: BSS84W-7-F-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單通道 P 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -60V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5000mΩ @ VGS = 4.5V
 - 4000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -0.135A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSS84W-7-F-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **低功耗開關(guān)**: 用于低功耗電子設(shè)備中的開關(guān)應(yīng)用,如便攜式電子產(chǎn)品和消費電子。
- **信號開關(guān)**: 在信號開關(guān)電路中,處理低電流信號的開關(guān)控制。
- **小型家電**: 在小型家電設(shè)備中作為開關(guān)元件,支持高效的開關(guān)操作。
- **便攜設(shè)備**: 適用于智能手表、傳感器和其他低功耗便攜設(shè)備中的開關(guān)控制。

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