產(chǎn)品型號(hào): HAT1126RJ-VB
絲印: VBA4658
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型: 2個(gè)P溝道
- 工作電壓: -60V
- 最大電流: -5.3A
- 導(dǎo)通電阻: RDS(ON)=58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth=-1~-3V
- 封裝: SOP8
應(yīng)用簡(jiǎn)介:
HAT1126RJ-VB是一款雙P溝道結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，適用于負(fù)電壓和負(fù)電流應(yīng)用場(chǎng)景，具有廣泛的應(yīng)用潛力。
舉例說明：
1. 電源反極性保護(hù)：HAT1126RJ-VB的高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性，使其適用于設(shè)計(jì)電源反極性保護(hù)模塊，可保護(hù)電路免受電源極性接反的損害。
2. 電池充放電保護(hù)：可用于設(shè)計(jì)電池充放電保護(hù)模塊，有效防止電池過充電、過放電，保護(hù)電池及相關(guān)電路的安全性。
3. 電源開關(guān)控制：適用于電源開關(guān)控制模塊，如電池電源切換、逆變器開關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景，提供穩(wěn)定可靠的電源切換功能。
通過以上例子，可以看出HAT1126RJ-VB適用于電源反極性保護(hù)、電池充放電保護(hù)、電源開關(guān)控制等領(lǐng)域，并且可用于設(shè)計(jì)對(duì)負(fù)電壓和負(fù)電流要求較高的模塊。
