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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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FDN361BN-NL-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): FDN361BN-NL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

VBsemi FDN361BN-NL-VB 參數(shù):
- 封裝:SOT23
- 類型:N-通道MOSFET
- 漏極-源極電壓(Vds):30V
- 連續(xù)漏極電流(Id):6.5A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):在VGS=10V、VGS=20V時(shí)為30mΩ
- 閾值電壓(Vth):1.2~2.2V

應(yīng)用概述:
VBsemi FDN361BN-NL-VB 是一款SOT23封裝的N-通道MOSFET,適用于多種應(yīng)用。以下是其參數(shù)和應(yīng)用的簡(jiǎn)要概述:

1. **封裝和類型:**
  - SOT23封裝,適用于有空間限制的設(shè)計(jì)。
  - N-通道MOSFET,適用于控制負(fù)電信號(hào)。

2. **電氣特性:**
  - **電壓額定值:**
    - 漏極-源極電壓(Vds):30V,適用于中等電壓應(yīng)用。
  - **電流額定值:**
    - 連續(xù)漏極電流(Id):6.5A,可處理中等到較高電流負(fù)載。
  - **導(dǎo)通電阻:**
    - RDS(ON):在VGS=10V、VGS=20V時(shí)為30mΩ,表明具有低電阻以實(shí)現(xiàn)高效導(dǎo)通。

3. **閾值電壓:**
  - 閾值電壓(Vth):1.2~2.2V,指定MOSFET開始導(dǎo)通的柵極電壓范圍。

應(yīng)用:
FDN361BN-NL-VB MOSFET 可以在各種電子應(yīng)用中使用,包括:

1. **電源管理:**
  - DC-DC 變換器。
  - 電池充放電管理。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):**
  - 小型電機(jī)控制電路。
  - 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)器:**
  - LED 照明應(yīng)用。
  - LED 顯示屏驅(qū)動(dòng)器。

4. **電源開關(guān):**
  - 電源開關(guān)和保護(hù)電路。
  - 逆變器和變頻器。

5. **便攜設(shè)備:**
  - 緊湊且便攜的電子設(shè)備。
  - 移動(dòng)電話、平板電腦和其他電池供電的小工具。

通過充分利用其SOT23封裝和N-通道特性,F(xiàn)DN361BN-NL-VB 適用于需要高效能源管理和負(fù)載控制的廣泛應(yīng)用。

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