型號：SI2371EDS-T1-GE3-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 類型：P溝道
- 額定電壓（Vds）：-30V
- 最大持續(xù)電流（Id）：-5.6A
- 導通電阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍（Vgs）：20V（正負）
- 閾值電壓（Vth）：-1V
- 封裝：SOT23
應用簡介：
SI2371EDS-T1-GE3-VB是一款P溝道場效應晶體管（MOSFET），適用于需要低導通電阻和負向電壓操作的電子應用。它在電源開關、電池管理、負載開關等領域具有廣泛的應用。
詳細參數(shù)說明：
1. **類型**：這是一款P溝道MOSFET，意味著它在輸入負向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。
2. **額定電壓（Vds）**：它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負向電壓條件下工作。
3. **最大持續(xù)電流（Id）**：這款MOSFET的最大電流承受能力為-5.6A。負號表示電流流向是從源到漏極。
4. **導通電阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是導通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為47mΩ，表示在導通狀態(tài)下的功耗相對較低。
5. **門源電壓范圍（Vgs）**：MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態(tài)。
6. **閾值電壓（Vth）**：這款MOSFET的閾值電壓為-1V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。
7. **封裝**：這款MOSFET采用SOT23封裝，這是一種常見的小型封裝類型，適用于緊湊的電路設計。
應用領域：
SI2371EDS-T1-GE3-VB這款MOSFET適用于多種需要低導通電阻和負向電壓操作的電子模塊和設備，包括但不限于以下領域模塊：
1. **電源開關**：可用于低電阻負向電壓電源開關，如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。
2. **電池管理**：可用于電池充電和放電管理，以確保安全和高效的電池使用。
3. **負載開關**：用于控制負載的通斷，如LED照明系統(tǒng)、電動工具和電子設備。
4. **電源保護**：可用于電源保護電路，以防止過流、過壓等異常情況。
5. **電流控制**：可用于電流控制電路，如電池充電器和電流放大器。
總之，這款P溝道MOSFET適用于需要低導通電阻和負向電壓操作的電子模塊和設備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在需要負向電壓操作的應用中。
