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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXGD3004E6Q 40V、8A、柵極驅(qū)動器 晶體管

型號： ZXGD3004E6Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXGD3004E6Q
  • 名稱 40V、8A、柵極驅(qū)動器
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXGD3004E6Q  

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的ZXGD3004E6Q這是一款高速非反相單柵極驅(qū)動器設(shè)計用于切換MOSFET或IGBTS。最高可傳輸5A峰值源極/源極電流進(jìn)入柵極以進(jìn)行有效充電，以及電容性柵極負(fù)載的放電。該柵極驅(qū)動器可確保MOSFET的快速切換，以最大限度地減少高電流開關(guān)應(yīng)用中的功率損耗和失真。它通?？梢杂?0mA將1.5A驅(qū)動到低柵極阻抗來自控制器的輸入。的開啟和關(guān)閉開關(guān)行為MOSFET可以單獨定制以適合應(yīng)用。通過適當(dāng)定義開關(guān)特性，EMI和交叉可以減少傳導(dǎo)。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXGD3004E6Q
名稱                    40V、8A、柵極驅(qū)動器
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT26


產(chǎn)品參數(shù)
Category Gate Driver Transistors
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN + PNP
VIN & VCC max (V) 40
I(source) typ  (A) 1.9
@ IIN  (mA) 10
I(sink) typ  (A) 1.9
@ IIN 2 (mA) 10 (mA)
IPK typ (A) 8 A
@ IIN  2 (A) 1 A
td(rise) typ (ns) 1.1 ns
tr typ (ns) 13.4 ns
td(fall) typ (ns) 0.95 ns
tf typ (ns) 12.4 ns

 

主要特征
高增益緩沖器，10mA 輸入典型值為 1.9A 輸出
8 安培峰值輸出電流
用于 +20V 至 -18V 柵極驅(qū)動的 40V 電源可防止 dV/dt 引起的誤觸發(fā)并最大限度地減少導(dǎo)通損耗
發(fā)射極跟隨器具有堅固耐用的閂鎖/射通能力
快速開關(guān)射極跟隨器配置：
1ns 傳播延遲時間
14ns 上升/下降時間，1000pF 負(fù)載
優(yōu)化的引腳排列可簡化 PCB 布局并降低寄生走線電感
接近于零的靜態(tài)電源電流

 

相關(guān)型號
US1MDFQ
US2JDFQ
ZXGD3003E6Q
ZXGD3004E6Q
ZXGD3006E6Q
BAS40-04Q-13-F
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BAS40-06Q-13-F
BAS40Q-13-F
BAS40WQ
BAS70-04Q-13-F
BAS70-05Q
BAS70-06Q
BAS70DW-04Q
BAS70DW-05Q-7-F
BAS70Q
BAS70TWQ
BAS70W-04Q-7-F
BAS70W-05Q
BAS70W-06Q
BAS70WQ
BAT1000Q-7-F
BAT54AQ
BAT54AWQ
BAT54CQ
BAT54CWQ
BAT54Q
BAT54SQ
BAT54STQ
BAT54SWQ
BAT54TQ
BAT54WQ
BAT54WSQ-7-F
SDM02U30LP3Q
SDM03U40Q
SDM20U30LPQ
SDM20U30Q
SDM20U40Q
SDM40E20LAQ
SDM40E20LSQ
ZHCS400Q
 

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