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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMWS120H100SM4 1200V N 溝道碳化硅功率 MOSFET 晶體管

型號： DMWS120H100SM4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMWS120H100SM4
  • 名稱 1200V N 溝道碳化硅功率 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO247-4

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMWS120H100SM4 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMWS120H100SM4 該 SiC MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DMWS120H100SM4
名稱                    1200V N 溝道碳化硅功率 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    TO247-4


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 1200 V
|VGS| (±V) 15, 4 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 37.2 A
PD @TC = +25°C (W) 208 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 100 @ 15V mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1.7 V
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 59.5 @ 15V nC
CISS Typ (pF) 1516 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 1000 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
適合電源應(yīng)用的高 BV DSS額定值
低輸入電容


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DMTH8028LFVWQ
DMTH8028LPSW
DMTH8028LPSWQ
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DMWS120H100SM4
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