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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH10H009LPS 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMTH10H009LPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH10H009LPS
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH10H009LPS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH10H009LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMTH10H009LPS
名稱                  100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                   PowerDI5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.5 W
PD @TC = +25°C (W) 125 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40.2 nC
CISS Typ (pF) 2309 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
熱效率封裝冷卻器運(yùn)行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開關(guān)速度快
< 1.1mm 封裝外形 – 非常適合薄型應(yīng)用 (PowerDI?)


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