DMP1009UFDF 12V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP1009UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMP1009UFDF
名稱 12VP 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP1009UFDF 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMP1009UFDF
名稱 12VP 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 19 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 26 nC
CISS Typ (pF) 1860 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 非常適合薄型應(yīng)用
PCB 占位面積為 4mm 2
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快

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