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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN68M7SCT N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN68M7SCT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN68M7SCT
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO220AB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN68M7SCT 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN68M7SCT 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時(shí)保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN68M7SCT
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                 TO220AB

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 68 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TC = +25°C (W) 125 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 36 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 72.9 nC
CISS Typ (pF) 4260 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V

 

主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試
低輸入電容
低輸入/輸出泄漏

 

相關(guān)型號(hào)
DMN68M7SCT
DMNH10H021SPSW
DMNH10H028SCT
DMNH10H028SK3
DMNH10H028SK3Q
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DMNH4004SPS
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DMNH4005SCTQ
DMNH4005SPS
DMNH4005SPSQ
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DMNH6008SCT
DMNH6008SCTQ
DMNH6008SPS
DMNH6008SPSQ
DMNH6009SPS
DMNH6010SCTB
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DMNH6011LK3
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DMNH6012LK3Q
DMNH6012SPS
DMNH6012SPSQ

 

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