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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3022LDG 30V 同步 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN3022LDG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3022LDG
  • 名稱(chēng) 30V 同步 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI3333-8 (Type D)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3022LDG  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3022LDG 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3022LDG
名稱(chēng)                30V 同步 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                PowerDI3333-8 (Type D)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 15 A
PD @TA = +25°C (W) 1.96 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22, 8 (@5V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1, 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.8, 6.1 nC
CISS Typ (pF) 370/766 pF


主要特征
生產(chǎn)中的100%無(wú)阻尼感應(yīng)開(kāi)關(guān)（UIS）測(cè)試
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度

 

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